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公开(公告)号：CN114121505B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202111421442.X
申请日：2021-11-26
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本发明提供了一种原位自生复合氮掺杂碳与镍钴双氢氧化物纳米片阵列电极及其制备方法和应用，属于电极材料技术领域。本发明中，泡沫镍基底充当了促进电子传输的导电网格，制备的电极使氮掺杂碳自生复合于Ni‑CoLDH基体中，氮掺杂碳优异的导电性能够促进电极在储能过程中的电荷传输，该自生复合材料具有均匀共生、界面稳定、导电增强等特点；原位生长的Ni‑CoLDH纳米片阵列不仅继承了ZIF‑67的片状结构、多孔特性和稳定性，还具有优异的亲水性，并且在纳米片阵列结构上还生长了大量片状Ni‑CoLDH，有效避免了Ni‑CoLDH的堆叠、团聚和负载低等问题。
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公开(公告)号：CN119562751A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411606678.4
申请日：2024-11-12
Applicant: 湖北大学 , 珠海市湖大派诺产业发展研究院
IPC: H10N30/85 , H10N30/857 , H10N30/098 , H10N30/092 , D01F6/48 , D01F1/10
Abstract: 本发明公开的一种二维铅基钙钛矿PVDF压电‑光电复合薄膜及其制备方法和应用，通过将(2‑FBA)2PbCl4与PVDF复合，不仅有效提高了PVDF中具有高压电常数β相的含量，增强了复合压电传感器的电压输出性能，同时在光电方面有良好的性能，为压电‑光电自供电器件提供了可靠性方案。
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公开(公告)号：CN118450785A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410559390.X
申请日：2024-05-08
IPC: H10N30/85 , H10N30/87 , H10N30/01 , H10N30/06 , H10N30/092
Abstract: 本发明公开了一种直接印刷电极的陶瓷纤维‑聚合物复合压电器件及其制备方法，涉及电子材料与器件技术领域。本发明的陶瓷纤维‑聚合物复合压电器件包括由压电陶瓷纤维和聚合物复合而成的复合材料层，其中，压电陶瓷纤维在复合材料层表面形成暴露面，该暴露面直接与陶瓷纤维‑聚合物复合压电器件的电极接触。本发明制备工艺简单，相较于传统MFC封装工艺，消除了聚合物在电极组装过程中的影响，不存在粘结剂存在于电极和压电陶瓷纤维之间进而影响压电陶瓷器件性能的问题，显著提高了电极与复合材料的接触性能，从而增强了压电陶瓷器件的性能表现。
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公开(公告)号：CN114049323B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202111344166.1
申请日：2021-11-15
Applicant: 武汉易思达科技有限公司 , 湖北大学
Abstract: 本发明公开一种基于双目视觉的箱式车形变实时测量方法，其用数值的形式表示车厢的形变程度，并判断是否需要对其加以整修。一种基于双目视觉的箱式车形变实时测量系统包括：图像采集模块、图像处理模块和形变计算模块。其中，图像采集模块由摄像头阵列组成，用于采集箱式车图像；图像处理模块由数据处理设备组成，用于接收摄像头采集的图像，并对图像进行处理；形变计算模块用于根据提取出的车厢三个图像和形变前的图像对比计算箱式车的车厢是否发生形变以及形变程度，并判断该车是否需要进行整修。本发明解决了难于判断车厢是否发生形变和形变程度检测的问题，方便随时对车厢进行检测，在成本、操作性和精确度等方面具有优势。
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公开(公告)号：CN111916400B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202010709482.3
申请日：2020-07-22
Applicant: 湖北大学
IPC: H01L23/00 , H01L23/552 , H04L9/08 , H04L9/00 , G01R31/28
Abstract: 本发明公开基于衬底耦合容性PUF的芯片防半侵入式攻击方法，所述方法是先在芯片衬底下方引入金属层对光子和电磁信号进行有效屏蔽；再采用芯片内部基于衬底‑氧化层‑金属层电容耦合脉冲失配检测的衬底耦合容性PUF实时检测芯片下方金属层的完整性；衬底耦合容性PUF结构包括:由衬底‑氧化层‑金属层构成电容、由P+扩散区构成的衬底电压检测点、采样放大电路，金属层是铜、铝或导电的光、电磁屏蔽层，采样放大电路用于检测不同位置衬底电压检测点的耦合电压大小并输出设定的PUF；本发明可防止金属层被破坏，不额外引入新的工艺流程，完全与CMOS工艺兼容，具有完备的半侵入式攻击防护，可有效提升安全芯片的半侵入式攻击防护以及整个芯片的硬件安全性防护能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115219566A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210845909.1
申请日：2022-07-19
Applicant: 湖北大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明公开了一种双面敏感型室温氢气传感器的制备方法，在氧化钼纳米纤维纸的正反两侧表面分别磁控溅射金属T i/Pt薄膜构成电极，以高纯钛、铂靶为溅射源，利用直流溅射的方法，得到双面敏感型室温氢气传感器。本发明制备的氢气传感器在室温下暴露在氢气环境中时，氢分子会被层状的多孔膜纳米纸传感器的正反两面同时吸附，迅速与氧离子反应，氧离子与氢分子反应释放出大量的电子，使传感器电阻下降，因此双面敏感元件具有较高的比表面积，灵敏度高，室温下的响应时间和恢复时间短。其次，该传感器和传统的敏感层是粉体和薄膜传感器相比，制备的室温氢气传感器不需要支撑物，不易脱落。再次，本发明方法简单，成本低。
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公开(公告)号：CN113161452A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110455751.2
申请日：2021-04-26
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本发明提供了一种钙钛矿薄膜、钙钛矿LED器件及其制备方法，该钙钛矿薄膜的制备方法，包括以下步骤：将溴化铯、溴化铅和2‑氨基‑2‑(4‑溴苯基)乙酸溶于溶剂中，搅拌后得到钙钛矿溶液；将钙钛矿溶液涂覆至基底上，加热，即得到钙钛矿薄膜。本发明的钙钛矿薄膜的制备方法，通过加入2‑氨基‑2‑(4‑溴苯基)乙酸，其能够增加钙钛矿溶液中溴化铯的溶解度，从而为钙钛矿薄膜的形成提供了丰富的Cs+离子，且2‑氨基‑2‑(4‑溴苯基)乙酸能提供更多的成核点，从而导致大量的相对较小的晶体形成，从而完全覆盖整个基底，提高薄膜覆盖率，减小钙钛矿薄膜针孔以及钙钛矿的晶体尺寸。
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公开(公告)号：CN111916400A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN202010709482.3
申请日：2020-07-22
Applicant: 湖北大学
IPC: H01L23/00 , H01L23/552 , H04L9/08 , H04L9/00 , G01R31/28
Abstract: 本发明公开基于衬底耦合容性PUF的芯片防半侵入式攻击方法，所述方法是先在芯片衬底下方引入金属层对光子和电磁信号进行有效屏蔽；再采用芯片内部基于衬底-氧化层-金属层电容耦合脉冲失配检测的衬底耦合容性PUF实时检测芯片下方金属层的完整性；衬底耦合容性PUF结构包括:由衬底-氧化层-金属层构成电容、由P+扩散区构成的衬底电压检测点、采样放大电路，金属层是铜、铝或导电的光、电磁屏蔽层，采样放大电路用于检测不同位置衬底电压检测点的耦合电压大小并输出设定的PUF；本发明可防止金属层被破坏，不额外引入新的工艺流程，完全与CMOS工艺兼容，具有完备的半侵入式攻击防护，可有效提升安全芯片的半侵入式攻击防护以及整个芯片的硬件安全性防护能力。
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公开(公告)号：CN109932765A
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201910149527.3
申请日：2019-02-28
Applicant: 湖北大学
IPC: G02B5/00
Abstract: 本发明公开一种基于二维光栅的光吸收器及其制作方法，可实现对外来入射光不同频段的、高效率吸收。该光吸收结构包括由上而下的依次采用的金属网格层、介质层、金属阻挡层以及衬底，金属阻挡层满足入射光在介质层表面引发表面等离子体效应，同时入射光辐射在金属网格层和介质层界面处形成表面等离子体，两种在空间上分离的等离子体在介质层中进行对称等离子体耦合作用。本发明兼备对不同可见光波段的高效率吸收，同时可大大抑制吸光特性对入射光入射角度的敏感度。
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公开(公告)号：CN105932151B
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201610325200.3
申请日：2016-05-17
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本发明公开一种用于粘度测试的微流控芯片及制作方法，包括：带微形凹槽的PDMS底板、探测电极、PVDF纳米纤维薄膜、PDMS薄膜、带微通道的PDMS盖板共五层结构。制作方法是：先通过SU8光刻胶的光刻以及脱模技术制作带微形凹槽底板和PDMS微流通道盖板，再通过掩膜版磁控溅射的方法在PDMS底板的微形凹槽两侧制作一对探测电极，再将通过静电纺丝法制作的PVDF薄膜转移到电极上。然后将底板与盖板键合，形成完整的微流控芯片。所述微流控芯片结构稳定且有利于集成，对样品的需求少、对种类无要求、测试时间短，无需供电，有利于制作微流控芯片粘度计向小型化甚至手持式应用拓展。
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