公开(公告)号：CN104916675A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201510010057.4

申请日：2015-01-09

Applicant: 爱思开海力士有限公司

Inventor： 车在春 ,  秦丞佑 ,  李安培 ,  张壹植

IPC: H01L29/772 ,  H01L29/778 ,  H01L29/786 ,  H01L21/335 ,  H01L21/265

Abstract: 一种用于制造半导体器件的方法包括：在低温下注入第一物类至衬底中来形成第一区；以及在高温下注入第二物类至衬底中来形成与第一区相邻的第二区。

公开(公告)号：CN115312521A

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN202210475304.8

申请日：2022-04-29

Applicant: 爱思开海力士有限公司

Inventor： 李振烈 ,  文范浩 ,  秦丞佑 ,  李锦范

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

Abstract: 本申请公开了半导体器件以及用于制造其的方法。本发明的实施例提供了一种能够降低邻近导线之间的寄生电容的半导体器件以及用于制造其的方法。根据本发明的实施例，一种半导体器件包括：图案结构，其形成在衬底之上；以及间隔物结构，其覆盖图案结构的两个侧壁，其中，间隔物结构包括扩散阻挡层、氮化硼层和抗氧化层的堆叠结构，以及扩散阻挡层、氮化硼层和抗氧化层从图案结构的侧壁被顺序地堆叠。

公开(公告)号：CN104916675B

公开(公告)日：2020-01-03

申请号：CN201510010057.4

申请日：2015-01-09

Applicant: 爱思开海力士有限公司

Inventor： 车在春 ,  秦丞佑 ,  李安培 ,  张壹植

IPC: H01L29/772 ,  H01L29/778 ,  H01L29/786 ,  H01L21/335 ,  H01L21/265

Abstract: 一种用于制造半导体器件的方法包括：在低温下注入第一物类至衬底中来形成第一区；以及在高温下注入第二物类至衬底中来形成与第一区相邻的第二区。