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公开(公告)号：CN107402594B
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201710773696.5
申请日：2017-08-31
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明涉及集成电路技术。本发明解决了现有低压差线性稳压器功耗较大的问题，提供了一种实现高电源电压转变的低功耗低压差线性稳压器，其技术方案可概括为：实现高电源电压转变的低功耗低压差线性稳压器，包括外部电源输入端、电压输出端、PMOS管一、PMOS管二、NJFET耐压管一、NJFET耐压管二、NMOS管一、NMOS管二、耗尽型NMOS管、二极管、电阻一及电阻二。本发明的有益效果是，其避免使用误差放大器及带隙基准源，电路结构简单，功耗较小，能够实现高压电源的变换，适用于低压差线性稳压器。
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公开(公告)号：CN107402594A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201710773696.5
申请日：2017-08-31
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: G05F1/56
CPC classification number: G05F1/56
Abstract: 本发明涉及集成电路技术。本发明解决了现有低压差线性稳压器功耗较大的问题，提供了一种实现高电源电压转变的低功耗低压差线性稳压器，其技术方案可概括为：实现高电源电压转变的低功耗低压差线性稳压器，包括外部电源输入端、电压输出端、PMOS管一、PMOS管二、NJFET耐压管一、NJFET耐压管二、NMOS管一、NMOS管二、耗尽型NMOS管、二极管、电阻一及电阻二。本发明的有益效果是，其避免使用误差放大器及带隙基准源，电路结构简单，功耗较小，能够实现高压电源的变换，适用于低压差线性稳压器。
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公开(公告)号：CN111309087B
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202010174484.7
申请日：2020-03-13
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 一种宽电源电压范围的正温度系数电流基准源，其中第一PNP三极管、第二PNP三极管、第三PNP三极管构成电流镜，使得第五NPN三极管与第四NPN三极管的集电极电流成比例，该电流比例等于第三PNP三极管与第二PNP三极管的发射结面积的比例，第五电阻上的压降等于第五NPN三极管的基极‑发射极电压与第四NPN三极管的基极‑发射极电压的差值，第五电阻上的电流乘上第四PNP三极管与第二PNP三极管的发射结面积的比例即为本发明输出的正温度系数电流基准信号。本发明通过适当调整第一电阻、第三电阻、第四电阻的取值，能够保证本发明的结构在低电源电压下可以正常工作；且本发明采用BJT结构，使得本发明允许的最高电源电压值较大，从而获得了宽电源电压范围。
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公开(公告)号：CN111309087A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN202010174484.7
申请日：2020-03-13
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 一种宽电源电压范围的正温度系数电流基准源，其中第一PNP三极管、第二PNP三极管、第三PNP三极管构成电流镜，使得第五NPN三极管与第四NPN三极管的集电极电流成比例，该电流比例等于第三PNP三极管与第二PNP三极管的发射结面积的比例，第五电阻上的压降等于第五NPN三极管的基极-发射极电压与第四NPN三极管的基极-发射极电压的差值，第五电阻上的电流乘上第四PNP三极管与第二PNP三极管的发射结面积的比例即为本发明输出的正温度系数电流基准信号。本发明通过适当调整第一电阻、第三电阻、第四电阻的取值，能够保证本发明的结构在低电源电压下可以正常工作；且本发明采用BJT结构，使得本发明允许的最高电源电压值较大，从而获得了宽电源电压范围。
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