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公开(公告)号：CN110943714A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201911148723.5
申请日：2019-11-21
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H03K3/3562
Abstract: 本发明提出一种带时钟门控的数据读出接口电路，属于集成电路和光电技术领域。本发明包括使能控制单元和M个移位寄存模块，M为所述单光子雪崩二极管探测阵列包含的像素数目；移位寄存模块用于储存和读出单光子雪崩二极管探测阵列的单级像素数据，使能控制单元用于实现读出时钟的时钟门控，当单光子雪崩二极管探测阵列中第x级像素的数据读出后，使能控制单元中第x级第一D触发器的输出进行切换，控制对应的第x个移位寄存模块中的第一2选1多路选择器输出由读出时钟切换为低电平信号，从而关闭第x级像素对应的D触发器组，达到节省功耗的目的。
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公开(公告)号：CN107450653A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710771529.7
申请日：2017-08-31
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: G05F3/26
CPC classification number: G05F3/26
Abstract: 本发明涉及集成电路技术。本发明解决了现有电压前馈电流产生电路耐压不够的问题，提供了一种电压前馈电流产生电路，其技术方案可概括为：电压前馈电流产生电路，包括电流输出端、运算放大器、LDMOS耐压管一、LDMOS耐压管二、电压输入端、固定电平输入端、电流源、低压电源电压输入端、增强型PMOS管一、增强型PMOS管二。本发明的有益效果是，电路结构简单，且功耗较小，节约版图面积，合理的使用了耐压管解决了传统电路的耐压问题，适用于电压前馈电流产生电路。
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公开(公告)号：CN107402594A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201710773696.5
申请日：2017-08-31
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: G05F1/56
CPC classification number: G05F1/56
Abstract: 本发明涉及集成电路技术。本发明解决了现有低压差线性稳压器功耗较大的问题，提供了一种实现高电源电压转变的低功耗低压差线性稳压器，其技术方案可概括为：实现高电源电压转变的低功耗低压差线性稳压器，包括外部电源输入端、电压输出端、PMOS管一、PMOS管二、NJFET耐压管一、NJFET耐压管二、NMOS管一、NMOS管二、耗尽型NMOS管、二极管、电阻一及电阻二。本发明的有益效果是，其避免使用误差放大器及带隙基准源，电路结构简单，功耗较小，能够实现高压电源的变换，适用于低压差线性稳压器。
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公开(公告)号：CN107390772B
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201710773734.7
申请日：2017-08-31
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: G05F3/26
Abstract: 本发明涉及集成电路技术。本发明解决了现有低压差线性稳压器功耗较大的问题，提供了一种高电源电压低功耗低压差线性稳压器，其技术方案可概括为：高电源电压低功耗低压差线性稳压器，包括外部电源输入端、电压输出端、PMOS管一、PMOS管二、JFET耐压管一、JFET耐压管二、NMOS管、NPN管一、NPN管二、二极管、电容、电阻一、电阻二、电阻三及电阻四。本发明的有益效果是，避免使用误差放大器，电路结构简单，功耗较小，由于使用了JFET耐压管一及JFET耐压管二，从而可以在高电源电压下工作，适用于低压差线性稳压器。
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公开(公告)号：CN110943714B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN201911148723.5
申请日：2019-11-21
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H03K3/3562
Abstract: 本发明提出一种带时钟门控的数据读出接口电路，属于集成电路和光电技术领域。本发明包括使能控制单元和M个移位寄存模块，M为所述单光子雪崩二极管探测阵列包含的像素数目；移位寄存模块用于储存和读出单光子雪崩二极管探测阵列的单级像素数据，使能控制单元用于实现读出时钟的时钟门控，当单光子雪崩二极管探测阵列中第x级像素的数据读出后，使能控制单元中第x级第一D触发器的输出进行切换，控制对应的第x个移位寄存模块中的第一2选1多路选择器输出由读出时钟切换为低电平信号，从而关闭第x级像素对应的D触发器组，达到节省功耗的目的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107450653B
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201710771529.7
申请日：2017-08-31
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: G05F3/26
Abstract: 本发明涉及集成电路技术。本发明解决了现有电压前馈电流产生电路耐压不够的问题，提供了一种电压前馈电流产生电路，其技术方案可概括为：电压前馈电流产生电路，包括包括电流输出端、运算放大器、LDMOS耐压管一、LDMOS耐压管二、电压输入端、固定电平输入端、电流源、低压电源电压输入端、增强型PMOS管一、增强型PMOS管二。本发明的有益效果是，电路结构简单，且功耗较小，节约版图面积，合理的使用了耐压管解决了传统电路的耐压问题，适用于电压前馈电流产生电路。
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公开(公告)号：CN107402594B
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201710773696.5
申请日：2017-08-31
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明涉及集成电路技术。本发明解决了现有低压差线性稳压器功耗较大的问题，提供了一种实现高电源电压转变的低功耗低压差线性稳压器，其技术方案可概括为：实现高电源电压转变的低功耗低压差线性稳压器，包括外部电源输入端、电压输出端、PMOS管一、PMOS管二、NJFET耐压管一、NJFET耐压管二、NMOS管一、NMOS管二、耗尽型NMOS管、二极管、电阻一及电阻二。本发明的有益效果是，其避免使用误差放大器及带隙基准源，电路结构简单，功耗较小，能够实现高压电源的变换，适用于低压差线性稳压器。
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公开(公告)号：CN108008755A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201711226737.5
申请日：2017-11-29
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: G05F1/56
CPC classification number: G05F1/56
Abstract: 一种内嵌基准的低压差线性稳压器，属于模拟集成电路技术领域。本发明利用NPN晶体管的基极-发射极电压作为负温度系数电压，电阻电压作为正温度系数电压，采用带隙基准的方法实现温度补偿；在低压差线性稳压器的反馈环路中使用NPN晶体管和电阻构成带隙基准，同时构建误差放大通道，使得本发明提供的低压差线性稳压器能实现低温度系数的电源变换功能。本发明提出的低压差线性稳压器具有基准电压源的功能，能够集成到芯片内部供电，保持较低的静态电流；与现有低压差线性稳压器相比，本发明使用更少数量的晶体管实现了电源的变换，并保持了较低的功耗。
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公开(公告)号：CN107508583A
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201710774034.X
申请日：2017-08-31
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H03K17/284 , H03K17/28
CPC classification number: H03K17/284 , H03K17/28
Abstract: 本发明涉及集成电路技术。本发明一种基于电流型电容倍增的长延时电路，能够在现有电流型电容倍增电路的基础上进行改进，来实现面积小、工艺偏差比较小的长延迟电路，其技术方案可概括为：基于电流型电容倍增的长延时电路，包括外部电源输入端、电路输出端、NMOS管一、NMOS管二、PMOS管一、电容、电流源、PMOS管二、NMOS管三、比较器、基准电压输入端及计数器。本发明的有益效果是，采用了电流型电容倍增技术，使用较小的电容即可实现长延时的目的，且加入比较器及计数器，提升计数时间后可实现更长的延时，适用于长延时电路。
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公开(公告)号：CN107390772A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201710773734.7
申请日：2017-08-31
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: G05F3/26
CPC classification number: G05F3/26
Abstract: 本发明涉及集成电路技术。本发明解决了现有低压差线性稳压器功耗较大的问题，提供了一种高电源电压低功耗低压差线性稳压器，其技术方案可概括为：高电源电压低功耗低压差线性稳压器，包括外部电源输入端、电压输出端、PMOS管一、PMOS管二、JFET耐压管一、JFET耐压管二、NMOS管、NPN管一、NPN管二、二极管、电容、电阻一、电阻二、电阻三及电阻四。本发明的有益效果是，避免使用误差放大器，电路结构简单，功耗较小，由于使用了JFET耐压管一及JFET耐压管二，从而可以在高电源电压下工作，适用于低压差线性稳压器。
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