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公开(公告)号：CN106981469B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201610078223.9
申请日：2016-02-04
Applicant: 矽品精密工业股份有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L21/48
Abstract: 一种封装制程及其所用的封装基板，该封装基板包括：介电层、设于该介电层上的第一线路层、以及通过绝缘层结合至该介电层与该第一线路层上的支撑板，以通过该绝缘层具有浸泡溶剂后可恢复黏性的特性，故于该封装基板完成封装制程后，能重复使用该支撑板与该绝缘层，以避免浪费该支撑板。
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公开(公告)号：CN107481991B
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201610504135.0
申请日：2016-06-30
Applicant: 矽品精密工业股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L21/48
Abstract: 一种封装基板及其电子封装件与制法，该封装基板包括：一绝缘保护层、一嵌埋于该绝缘保护层中而未贯穿该绝缘保护层的线路层、以及贯穿该绝缘保护层并电性连接该线路层的导电柱，故本发明的封装基板仅具有一层线路层，且未使用核心层，因而能大幅降低其厚度。
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公开(公告)号：CN106158782A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201510147274.8
申请日：2015-03-31
Applicant: 矽品精密工业股份有限公司
IPC: H01L23/34 , H01L23/498 , H01L21/50 , H01L21/48
Abstract: 一种电子封装件及其制法，该电子封装件包括：散热件、以及结合于该散热件上的电子元件，使该电子元件产生的热量的散热途径直接连通该散热件，因而能有效提升散热效果。
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公开(公告)号：CN105470230A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201510516437.5
申请日：2015-08-21
Applicant: 矽品精密工业股份有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L21/56 , H01L23/31 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/13 , H01L21/4857 , H01L23/3128 , H01L23/498 , H01L23/49822 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/92 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/16235 , H01L2224/16237 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/92125 , H01L2924/00014 , H01L2924/15311 , H01L2924/1579 , H01L2924/37001 , H05K3/4682 , H05K2203/0152 , H05K2203/016 , H01L2924/014 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 一种封装结构及其制法，该制法包括：提供一具有相对的两表面的承载件，且于该承载件的两表面上分别形成一介电体，各该介电体中嵌埋有线路层与形成于该线路层上的导电层，之后移除该承载件，藉由在该承载件的相对两表面上分别制作线路层、导电层与介电体，以提高产能。
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公开(公告)号：CN106158782B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201510147274.8
申请日：2015-03-31
Applicant: 矽品精密工业股份有限公司
IPC: H01L23/34 , H01L23/498 , H01L21/50 , H01L21/48
Abstract: 一种电子封装件及其制法，该电子封装件包括：散热件、以及结合于该散热件上的电子元件，使该电子元件产生的热量的散热途径直接连通该散热件，因而能有效提升散热效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108305836A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201710043165.0
申请日：2017-01-19
Applicant: 矽品精密工业股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L23/498
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L21/4857 , H01L23/49822
Abstract: 一种封装基板及其制法，先以电镀方式形成线路层于一第一承载件上，再形成一具有多个第一开孔的第一绝缘保护层于该第一承载件上，接着，移除该第一承载件，之后形成一具有多个第二开孔的第二绝缘保护层于该第一绝缘保护层与该线路层上，以通过电镀方式形成该线路层，以得到较小的线宽/线距。
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公开(公告)号：CN107481991A
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201610504135.0
申请日：2016-06-30
Applicant: 矽品精密工业股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L21/48
Abstract: 一种封装基板及其电子封装件与制法，该封装基板包括：一绝缘保护层、一嵌埋于该绝缘保护层中而未贯穿该绝缘保护层的线路层、以及贯穿该绝缘保护层并电性连接该线路层的导电柱，故本发明的封装基板仅具有一层线路层，且未使用核心层，因而能大幅降低其厚度。
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公开(公告)号：CN106356356A
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201510466893.3
申请日：2015-08-03
Applicant: 矽品精密工业股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/31 , H01L21/60 , H01L21/56
Abstract: 本申请涉及一种半导体结构及其制法，该半导体结构包括：绝缘层，其具有相对的第一表面与第二表面，且该绝缘层具有贯穿该第一表面与该第二表面的开口；第一线路层，其设置于该绝缘层的第一表面上，且令部分该第一线路层外露于该开口，另外可于该第一线路上进行置晶、封装及植球制程，免除现有在线路层上形成图案化的拒焊层，避免线路层及拒焊层间发生脱层问题。
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公开(公告)号：CN108172561B
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201710058635.0
申请日：2017-01-23
Applicant: 矽品精密工业股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L21/60
Abstract: 一种用于半导体封装的承载基板与其封装结构，及半导体封装元件的制作方法。该承载基板包含一承载片、一基体，及一强化层。该基体设置于该承载片上，并包括一线路区，及一位于该线路区的外侧的非线路区。该强化层设置于该非线路区上，其中，该强化层反向该承载片的一顶面高于该线路区反向该承载片的一表面。本发明还提供一种具有所述承载基板的半导体封装结构，及具有所述半导体封装结构的半导体封装元件的制作方法。通过在非线路区设置具有厚度且高于该线路区的强化层，以增强该基体的该非线路区的结构强度，使该基体于剥离该承载片时，能让该基体的该非线路区有足够的结构强度抵抗，而不会随该承载片被剥除。
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公开(公告)号：CN107622953B
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201610603368.6
申请日：2016-07-28
Applicant: 矽品精密工业股份有限公司
IPC: H01L21/50 , H01L21/56 , H01L23/498
Abstract: 一种封装堆迭结构的制法，先提供一第一无核心层式封装基板，该第一无核心层式封装基板的一侧具有多个第一导电元件，而另一侧结合一承载板；接着，将该第一无核心层式封装基板以其第一导电元件结合至一第二无核心层式封装基板上，且该第二无核心层式封装基板上设有至少一电子元件；之后形成封装层于该第一无核心层式封装基板与该第二无核心层式封装基板之间，再移除该承载板。藉由堆迭两无核心层式封装基板，以减少该封装堆迭结构的厚度。
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