公开(公告)号：CN115172321A

公开(公告)日：2022-10-11

申请号：CN202210770702.2

申请日：2017-02-22

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 施信益

IPC: H01L23/498

Abstract: 本发明公开了一种中介层及包括中介层的半导体封装体。中介层包括第一介电层、导电柱、导电环、焊料凸块及重分布层。第一介电层具有上表面及下表面。导电柱及导电环部分嵌设于第一介电层中，导电柱的一部分从第一介电层的下表面突出，导电环围绕导电柱，且导电环的一部分从第一介电层的下表面突出。焊料凸块设置于第一介电层的下表面上，导电柱的此部分及导电环的此部分皆嵌设于焊料凸块中。重分布层设置于第一介电层的上表面上。导电柱及导电环同时与焊料凸块连结，提供了较大的接触面积去接触焊料凸块，导电环可帮助导电柱支撑及托撑焊料凸块，因此焊料凸块可以被牢固地附着在导电柱及导电环上。

公开(公告)号：CN113380727A

公开(公告)日：2021-09-10

申请号：CN202110549348.6

申请日：2015-08-18

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 施信益 ,  施能泰

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/485 ,  H01L21/56 ,  H01L23/498

Abstract: 本申请涉及半导体器件。半导体器件包括：一中介层，具有一第一面及相对于第一面的第二面；至少一有源芯片，通过多个第一凸块安装到所述第一面的一芯片接合区域内；至少一虚设芯片，安装到所述第一面的所述芯片接合区域旁的一周边区域内；一成型模料，设置在所述第一面上，并且所述成型模料覆盖所述至少一有源芯片与所述至少一虚设芯片；以及多个焊接凸块，设置在所述第二面上。

公开(公告)号：CN106611713B

公开(公告)日：2021-09-03

申请号：CN201610102285.9

申请日：2016-02-25

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 施信益 ,  吴铁将

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/528

Abstract: 本发明公开了一种半导体封装体及其制作方法，半导体封装体的制作方法包含在晶圆的上表面上方设置多个半导体晶片；以第一铸形材料铸形多个半导体晶片；以及，在铸形多个半导体晶片后，在多个半导体晶片的上方形成复合层。借此，本发明的半导体封装体的制作方法，通过复合层强化半导体封装体，作为制造半导体封装体的工艺中的支撑，可用以抵抗工艺中作用于半导体封装体的应力，使得半导体封装体可减少或避免于工艺中被损毁或卷曲，让半导体封装体的良率提高，以节省材料成本。

公开(公告)号：CN111916417A

公开(公告)日：2020-11-10

申请号：CN202010908335.9

申请日：2015-09-22

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 施信益 ,  吴铁将

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 本申请涉及具有图案化表面结构的微电子装置。本发明公开了一种连接结构及其制造方法。该连接结构包含半导体基板、金属层、钝化层以及导电结构。金属层位于半导体基板的上方。钝化层位于金属层的上方，且包含一个开口。导电结构具有图案化表面结构，图案化表面结构通过钝化层的开口与金属层接触。借此，本发明的连接结构及其制造方法，其中连接结构的图案化表面结构，可改善在回焊期间的晶片翘曲，以避免晶片破裂并增加可靠性，还降低整体的翘曲级。

公开(公告)号：CN108400119B

公开(公告)日：2020-07-31

申请号：CN201710130042.0

申请日：2017-03-07

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 施信益

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L23/48

Abstract: 本发明公开了一种半导体封装及其制造方法，半导体封装包含至少一个半导体元件、第一重分布层、第一铸型化合物、第二铸型化合物、导电通孔以及第二重分布层。第一重分布层设置于半导体元件下方，且电性连接至半导体元件。第一铸型化合物设置于第一重分布层上方并环绕半导体元件。第二铸型化合物环绕第一重分布层与第一铸型化合物的至少一个部分。多个导电通孔延伸过第二铸型化合物。第二重分布层设置于第二铸型化合物远离第一重分布层的表面。第二重分布层经由多个导电通孔电性连接至第一重分布层。通过此半导体封装，半导体产品可更兼容的整合，并在更微型化下提供更佳的效能。

公开(公告)号：CN106711083B

公开(公告)日：2019-10-11

申请号：CN201610099938.2

申请日：2016-02-24

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 吴铁将 ,  施信益

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/64

Abstract: 本发明公开了一种半导体结构及其制作方法，此方法包含下列步骤，接收基板，基板具有上表面及下表面；形成第一凹槽从上表面向下表面延伸，第一凹槽具有第一深度；形成第二凹槽从上表面向下表面延伸，第二凹槽具有小于第一深度的第二深度；在第一凹槽及第二凹槽中形成第一导电层；在第一导电层上形成第一绝缘层；在第一绝缘层上形成第二导电层，第二导电层借由第一绝缘层与第一导电层隔离；以及从下表面薄化基板以暴露出第一凹槽中的第二导电层。借此，本发明的制作半导体结构的方法，由于可以利用相同的蚀刻工艺形成电容结构和通孔结构，而使得制作方法更为简单且成本更低。

公开(公告)号：CN107305890B

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201610600640.5

申请日：2016-07-27

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 施信益 ,  吴铁将

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

Abstract: 本发明公开了一种半导体封装，包含一第一逻辑晶粒；一第二逻辑晶粒，邻近第一逻辑晶粒而设置；一架桥存储器晶粒，耦接到第一逻辑晶粒与第二逻辑晶粒；一重布层(RDL)结构，耦合第一逻辑晶粒与第二逻辑晶粒；以及一模塑料，至少部分包覆第一逻辑晶粒、第二逻辑晶粒及架桥存储器晶粒。第一逻辑晶粒与第二逻辑晶粒位于共平面。

公开(公告)号：CN108807307A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810730421.8

申请日：2017-02-15

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 施信益

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/538 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L25/0655 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/49805 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5385 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/73 ,  H01L24/92 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/73259 ,  H01L2224/92224 ,  H01L2224/96 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/81

Abstract: 本发明公开了一种半导体封装，包含第一、一第二中介元件，及一细缝，位于所述第一、第二中介元件间。第一、第二中介元件是共平面的。第一晶粒，设于第一、第二中介元件上。第一晶粒包含第一连接件，连接第一晶粒至第一或第二中介元件。重分布层结构，设于第一、第二中介元件下表面，电连接第一、第二中介元件。RDL结构包含至少一架桥绕线，跨越所述细缝，用以电连接第一、第二中介元件。

公开(公告)号：CN108022903A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201710096194.3

申请日：2017-02-22

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 施信益

IPC: H01L23/498

CPC classification number: H01L23/49838 ,  H01L21/4857 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49866 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2924/1432 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/18161 ,  H01L23/49827

Abstract: 本发明公开了一种中介层及包括中介层的半导体封装体。中介层包括第一介电层、导电柱、导电环、焊料凸块及重分布层。第一介电层具有上表面及下表面。导电柱及导电环部分嵌设于第一介电层中，导电柱的一部分从第一介电层的下表面突出，导电环围绕导电柱，且导电环的一部分从第一介电层的下表面突出。焊料凸块设置于第一介电层的下表面上，导电柱的此部分及导电环的此部分皆嵌设于焊料凸块中。重分布层设置于第一介电层的上表面上。导电柱及导电环同时与焊料凸块连结，提供了较大的接触面积去接触焊料凸块，导电环可帮助导电柱支撑及托撑焊料凸块，因此焊料凸块可以被牢固地附着在导电柱及导电环上。

公开(公告)号：CN107154391A

公开(公告)日：2017-09-12

申请号：CN201610201472.2

申请日：2016-03-31

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 施信益

IPC: H01L23/488

CPC classification number: H01L23/49838 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/19 ,  H01L24/29 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29166 ,  H01L2224/29184 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/81 ,  H01L24/10 ,  H01L2224/10122

Abstract: 本发明公开了一种半导体封装，包含一重分布层中介层，具有一第一面、相对于所述第一面的一第二面，及延伸于所述第一面与所述第二面之间的一垂直侧壁；至少一半导体晶粒，设置在所述重分布层中介层的所述第一面上；一第一模塑料，设置在所述第一面上，所述第一模塑料包覆所述半导体晶粒；多数个焊锡凸块设置在所述第二面上；以及一第二模塑料，设置在所述第二面上，其中所述第二模塑料包围所述多数个焊锡凸块，并且覆盖所述重分布层中介层的所述垂直侧壁。