公开(公告)号：CN111627883A

公开(公告)日：2020-09-04

申请号：CN202010127018.3

申请日：2020-02-28

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： D·阿勒斯 ,  F·达奇 ,  D·施莱瑟 ,  T·施特克

IPC: H01L23/495 ,  H01L21/50

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置，其包括引线框架，该引线框架包括至少第一和第二载体，所述第一和第二载体彼此横向地并排布置；至少第一和第二半导体管芯，所述第一半导体管芯布置在第一载体上并电耦合到第一载体，并且第二半导体管芯被布置在第二载体上并电耦合到第二载体；以及互连，其被配置为将第一载体机械地固定到第二载体并且使第一载体与第二载体电绝缘，其中，第一和第二半导体管芯至少部分地暴露于外部。

公开(公告)号：CN110718530B

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN201910504544.4

申请日：2019-06-12

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： T·施特克 ,  E·S·卡巴特巴特 ,  方炽胜 ,  戴秋莉

IPC: H01L23/50

Abstract: 本文描述了一种用于集成电路(IC)封装的示例性多分支端子。集成电路(IC)的示例性多分支端子可以包括：可以包括与所述IC的芯片进行的有源接合的第一分支，其中，所述有源接合可以包括接合至所述IC的所述芯片的导线；以及可以包括与所述IC的所述芯片的进行无源接合的第二分支，其中，所述无源接合可以包括接合至所述第二分支和所述IC的第一端子的电容器。

公开(公告)号：CN110729199A

公开(公告)日：2020-01-24

申请号：CN201910639898.X

申请日：2019-07-16

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： S·阿布德哈米德 ,  J·克里希南 ,  M·M·林 ,  J·纳拉亚纳萨米 ,  F·施诺伊 ,  T·施特克 ,  C·施廷普福

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/49 ,  H01L23/367

Abstract: 本发明提供了一种形成半导体器件的方法，包括：提供半导体封装，所述半导体封装包括电绝缘模制化合物主体、由所述模制化合物主体包封的半导体管芯、多个导电引线、以及金属散热片，其中所述多个导电引线中的每者从所述模制化合物主体突出，所述金属散热片包括从所述模制化合物主体暴露的后表面；利用金属涂层涂覆所述引线的从所述模制化合物主体暴露的外部部分；以及在完成所述引线的所述外部部分的涂覆之后，在所述半导体器件上提供平面金属散热器界面表面，所述平面金属散热器界面表面：从所述模制化合物主体暴露；以及基本上没有所述金属涂层。

公开(公告)号：CN114628350A

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN202111503576.6

申请日：2021-12-10

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： C·福伊尔鲍姆 ,  T·施特克

IPC: H01L23/495 ,  H01L21/60

Abstract: 一种集成电路封装包括具有管芯焊盘和引线的引线框架。半导体管芯附接到管芯焊盘的顶表面。夹具具有引线接触区域，该引线接触区域具有在夹具的底表面上的靠近夹具的第一端的表面图案。表面图案的一部分附接到引线的端子焊盘的顶表面。夹具包括在夹具的底表面上的靠近夹具的第二端的管芯接触区域。夹具的管芯接触区域附接到半导体管芯上的顶部接触部。表面图案在平行于管芯焊盘的底表面的平面的方向上、在夹具的纵向方向上具有的长度大于引线的端子焊盘的顶表面的长度。

公开(公告)号：CN111276449A

公开(公告)日：2020-06-12

申请号：CN201911233237.3

申请日：2019-12-05

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： T·施特克 ,  M·施塔德勒

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L23/14 ,  H01L23/04

Abstract: 本发明涉及一种半导体封装，该半导体封装包括：半导体芯片、封装体、金属板，该封装体将半导体芯片封装在内，该金属板具有第一板表面和相对置的第二板表面，其中，第一板表面在封装体上露出，其中，半导体芯片布置在第二板表面上，其中，第一板表面具有如下图案：该图案具有第一图块和第二图块，第一图块具有第一平均粗糙度，第二图块具有第二平均粗糙度，其中，第一平均粗糙度大于第二平均粗糙度。

公开(公告)号：CN108962863A

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201810516744.7

申请日：2018-05-25

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： L·陈 ,  G·德拉罗策 ,  W·H·顾 ,  T·S·李 ,  T·施特克 ,  J·Y·王

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/367 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56

Abstract: 一种半导体芯片封装体包括导电载体和设置在所述导电载体之上的半导体芯片。所述半导体芯片具有面向所述导电载体的第一表面和与所述第一表面相反的第二表面。金属板具有机械连接到半导体芯片的所述第二表面的第一表面和与金属板的所述第一表面相反的第二表面。所述金属板完全重叠半导体芯片的所述第二表面。金属板的所述第二表面至少部分地在所述半导体芯片封装体的外围处暴露。

公开(公告)号：CN111627883B

公开(公告)日：2024-11-26

申请号：CN202010127018.3

申请日：2020-02-28

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： D·阿勒斯 ,  F·达奇 ,  D·施莱瑟 ,  T·施特克

IPC: H01L23/495 ,  H01L21/50

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置，其包括引线框架，该引线框架包括至少第一和第二载体，所述第一和第二载体彼此横向地并排布置；至少第一和第二半导体管芯，所述第一半导体管芯布置在第一载体上并电耦合到第一载体，并且第二半导体管芯被布置在第二载体上并电耦合到第二载体；以及互连，其被配置为将第一载体机械地固定到第二载体并且使第一载体与第二载体电绝缘，其中，第一和第二半导体管芯至少部分地暴露于外部。

公开(公告)号：CN115579345A

公开(公告)日：2023-01-06

申请号：CN202210703450.1

申请日：2022-06-21

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： T·施特克 ,  F·达奇 ,  陈志文

IPC: H01L23/495 ,  H01L21/48 ,  H01L21/50 ,  H05K1/18

Abstract: 本文公开了一种用于PCB嵌入的功率模块，其包括：引线框架；功率半导体管芯，其在该管芯的第一侧具有第一负载端子和控制端子并且在相对侧具有第二负载端子，该第二负载端子被焊接到引线框架；被焊接到第一负载端子并且在功率模块的第一侧形成功率模块的第一端子的第一金属夹具；以及被焊接到控制端子并且在功率模块的第一侧形成功率模块的第二端子的第二金属夹具。引线框架在功率模块的第一侧形成功率模块的第三端子，或者第三金属夹具被焊接到引线框架并且形成第三端子。功率模块端子在功率模块的第一侧的+/‑30μm以内是共面的。

公开(公告)号：CN114783898A

公开(公告)日：2022-07-22

申请号：CN202111548784.8

申请日：2021-12-17

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： T·施特克 ,  M·施塔德勒 ,  M·H·祖尔基夫利

IPC: H01L21/603 ,  H01L23/488 ,  B23K3/08 ,  B23K37/04

Abstract: 公开了一种半导体器件，其包括附接到衬底的半导体管芯和通过焊接点附接到所述半导体管芯的背离衬底的一侧的金属夹具。所述金属夹具具有多个槽，所述槽的尺寸被设置为占用至少10％的焊膏，所述焊膏被回流以形成所述焊接点。还描述了对应的生产方法。

公开(公告)号：CN114420575A

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：CN202111191664.7

申请日：2021-10-13

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： J·纳拉亚纳萨米 ,  S·阿布德哈米德 ,  庄铭浩 ,  M·R·戈多伊 ,  蓝志民 ,  A·R·穆罕默德 ,  S·K·穆鲁甘 ,  T·施特克

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/495 ,  B23K26/38

Abstract: 一种用于制造功率半导体封装体的方法包括：提供包括裸片焊盘和框架的引线框架，其中，裸片焊盘通过至少一个系杆连接到框架；将半导体裸片附接到裸片焊盘；通过激光切割而切穿至少一个系杆，从而形成切割表面；以及在激光切割之后，在裸片焊盘和半导体裸片之上模制，其中，切割表面被模制化合物完全覆盖。