一种高结晶度中空型正极前驱体及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN119430316A

    公开(公告)日:2025-02-14

    申请号:CN202411825888.2

    申请日:2024-12-12

    Abstract: 本发明提供了一种高结晶度中空型正极前驱体及其制备方法和应用。所述方法包括以下步骤:将三元过渡金属混合盐溶液、沉淀剂溶液和络合剂溶液并流通入至底液中,进行共沉淀反应,待共沉淀反应的颗粒生长到目标粒径时停止进料,得到所述高结晶度中空型正极前驱体;其中,所述共沉淀反应包括成核阶段和生长阶段,所述成核阶段中沉淀剂溶液的进料速度小于所述生长阶段中沉淀剂溶液的进料速度,且所述共沉淀反应中沉淀剂溶液的进料速度小于10L/h。本发明提供的高结晶度中空型正极前驱体制备得到的三元正极材料在具有高容量的同时,还具有良好的结构稳定性和循环稳定性。

    一种铝锆共掺杂的碳酸钴及其制备方法和用途

    公开(公告)号:CN119219078A

    公开(公告)日:2024-12-31

    申请号:CN202411350316.3

    申请日:2024-09-26

    Abstract: 本发明提供了一种铝锆共掺杂的碳酸钴及其制备方法和用途。所述制备方法包括:将第一钴铝锆溶液和沉淀剂溶液并流加入反应容器中,进行第一共沉淀反应;在第一钴铝锆溶液中持续加入第二钴铝锆溶液,得到第三钴铝锆溶液,同时将第三钴铝锆溶液和沉淀剂溶液并流加入反应容器中,进行第二共沉淀反应,得到锆铝共掺杂的碳酸钴;第一钴铝锆溶液中铝盐的浓度小于第二钴铝锆溶液中铝盐的浓度,第一钴铝锆溶液中锆盐的浓度与第二钴铝锆溶液中锆盐的浓度相同;第三钴铝锆溶液的进料流量与第一钴铝锆溶液的进料流量相同。本发明中的制备方法,实现了铝锆共掺杂,还实现了铝的掺杂量在碳酸钴生长层中的逐渐增加,从而提升了钴酸锂正极材料高电压下的性能。

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