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公开(公告)号：CN107111056A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580073094.8
申请日：2015-11-11
Applicant: 菲尼萨公司
Abstract: 在一个实例中，耦合系统包括第一波导、至少一个第二波导和中介件。第一波导具有第一折射率n1和锥形端。至少一个第二波导各自具有第二折射率n2。中介件包括具有第三折射率n3和耦合器部分的第三波导，其中n1>n2>n3。第一波导的锥形端绝热耦合至至少一个第二波导中的一个的耦合器部分。至少一个第二波导中的一个的锥形端绝热耦合至中介件的第三波导的耦合器部分。耦合系统被构造为在第一波导和至少一个第二波导之间以及在至少一个第二波导和第三波导之间绝热耦合光。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107209325B
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN201580073068.5
申请日：2015-11-11
Applicant: 菲尼萨公司
Abstract: 在一个实例中，光子系统包括具有Si基底的Si PIC、形成于Si基底上的SiO2隐埋氧化物、第一层和第二层。第一层形成于SiO2隐埋氧化物上方，并且包括在第一端和与所述第一端相对的锥形端具有耦合器部分的SiN波导。第二层形成于SiO2隐埋氧化物上方并在第一层上方或下方垂直移位。第二层包括Si波导，其具有与SiN波导的耦合器部分在两个正交方向上对齐的锥形端，使得所述Si波导的锥形端在两个正交方向上重叠并且平行于所述SiN波导的耦合器部分。SiN波导的锥形端被构造为绝热耦合至中介件波导的耦合器部分。
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公开(公告)号：CN107111056B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201580073094.8
申请日：2015-11-11
Applicant: 菲尼萨公司
Abstract: 在一个实例中，耦合系统包括第一波导、至少一个第二波导和中介件。第一波导具有第一折射率n1和锥形端。至少一个第二波导各自具有第二折射率n2。中介件包括具有第三折射率n3和耦合器部分的第三波导，其中n1>n2>n3。第一波导的锥形端绝热耦合至至少一个第二波导中的一个的耦合器部分。至少一个第二波导中的一个的锥形端绝热耦合至中介件的第三波导的耦合器部分。耦合系统被构造为在第一波导和至少一个第二波导之间以及在至少一个第二波导和第三波导之间绝热耦合光。
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公开(公告)号：CN108701962B
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN201680082116.1
申请日：2016-12-19
Applicant: 菲尼萨公司
IPC: H01S5/10 , H01S5/187 , G02B6/12 , G02B6/122 , G02B6/124 , H01S5/00 , H01S5/0225 , H01S5/026 , H01S5/12 , H01S5/125 , H01S5/20 , G02B6/27
Abstract: 一种系统包括：表面耦合边缘发射激光器(212)，包括芯波导、在表面耦合边缘发射激光器的与芯波导相同的层中光耦合到芯波导的扇形射出区域以及形成在扇形射出区域中的第一表面光栅(206)；以及光子集成电路(PIC)，包括光波导和形成在PIC的上层中的第二表面光栅，其中，第二表面光栅与第一表面光栅光学对准。由于扇形射出的锥形形状，降低了激光器芯片与PIC之间的光栅(206)对准要求。
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公开(公告)号：CN108701962A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201680082116.1
申请日：2016-12-19
Applicant: 菲尼萨公司
IPC: H01S5/10 , H01S5/187 , G02B6/12 , G02B6/122 , G02B6/124 , H01S5/00 , H01S5/022 , H01S5/026 , H01S5/12 , H01S5/125 , H01S5/20 , G02B6/27
CPC classification number: H01S5/026 , G02B6/12004 , G02B6/122 , G02B6/1228 , G02B6/124 , G02B6/2746 , G02B2006/12147 , H01S5/005 , H01S5/0064 , H01S5/02252 , H01S5/1032 , H01S5/1035 , H01S5/12 , H01S5/125 , H01S5/187 , H01S5/2027 , H01S5/22 , H01S5/3013
Abstract: 一种系统包括：表面耦合边缘发射激光器(212)，包括芯波导、在表面耦合边缘发射激光器的与芯波导相同的层中光耦合到芯波导的扇形射出区域以及形成在扇形射出区域中的第一表面光栅(206)；以及光子集成电路(PIC)，包括光波导和形成在PIC的上层中的第二表面光栅，其中，第二表面光栅与第一表面光栅光学对准。由于扇形射出的锥形形状，降低了激光器芯片与PIC之间的光栅(206)对准要求。
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公开(公告)号：CN107209325A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201580073068.5
申请日：2015-11-11
Applicant: 菲尼萨公司
Abstract: 在一个实例中，光子系统包括具有Si基底的Si PIC、形成于Si基底上的SiO2隐埋氧化物、第一层和第二层。第一层形成于SiO2隐埋氧化物上方，并且包括在第一端和与所述第一端相对的锥形端具有耦合器部分的SiN波导。第二层形成于SiO2隐埋氧化物上方并在第一层上方或下方垂直移位。第二层包括Si波导，其具有与SiN波导的耦合器部分在两个正交方向上对齐的锥形端，使得所述Si波导的锥形端在两个正交方向上重叠并且平行于所述SiN波导的耦合器部分。SiN波导的锥形端被构造为绝热耦合至中介件波导的耦合器部分。
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