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公开(公告)号：CN107326443B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201710414718.9
申请日：2017-06-05
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种非线性光学材料弛豫铁电单晶单畴化的方法，包括了退火和极化两个过程，弛豫铁电单晶包括二元(1‑x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3‑xPbTiO3体系和三元(1‑x‑y)Pb(In1/2Nb1/2)O3‑xPb(Mg1/3Nb2/3)O3‑yPbTiO3体系，其中退火过程是弛豫铁电单晶研磨抛光后在气氛中进行退火处理，去除机械加工所引起的应力，通过极缓慢降温将铁电相形成过程中产生的自发应变极大程度的释放，从而降低晶体单畴化过程中电致畴转导致开裂的可能性。另外，撤去电场后，剩余退极化场会诱导形成纳米畴结构。为了保证单畴结构的形成和稳定性，可以通过电极注入形成体屏蔽效应来补偿剩余退极化场，进而得到高度单畴化且性能稳定的弛豫铁电晶体，该材料将具有半波电压小，光损伤阈值高，电光系数大等特点，远优于BBO、KTP和LN等材料。
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公开(公告)号：CN107326443A
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201710414718.9
申请日：2017-06-05
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种非线性光学材料弛豫铁电单晶单畴化的方法，包括了退火和极化两个过程，弛豫铁电单晶包括二元(1-x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3体系和三元(1-x-y)Pb(In1/2Nb1/2)O3-xPb(Mg1/3Nb2/3)O3-yPbTiO3体系，其中退火过程是弛豫铁电单晶研磨抛光后在气氛中进行退火处理，去除机械加工所引起的应力，通过极缓慢降温将铁电相形成过程中产生的自发应变极大程度的释放，从而降低晶体单畴化过程中电致畴转导致开裂的可能性。另外，撤去电场后，剩余退极化场会诱导形成纳米畴结构。为了保证单畴结构的形成和稳定性，可以通过电极注入形成体屏蔽效应来补偿剩余退极化场，进而得到高度单畴化且性能稳定的弛豫铁电晶体，该材料将具有半波电压小，光损伤阈值高，电光系数大等特点，远优于BBO、KTP和LN等材料。
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公开(公告)号：CN107219646A
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201710414043.8
申请日：2017-06-05
Applicant: 西安交通大学
IPC: G02F1/03
CPC classification number: G02F1/0316 , G02F1/03
Abstract: 本发明公开了一种高性能直波导型电光相位调制器及其制备方法，电光调制器具有平板电容型结构，包括相当于介质层的单晶与单晶上下表面的电极层。单晶为二元(1‑x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3‑xPbTiO3体系或三元(1‑x‑y)Pb(In1/2Nb1/2)O3‑xPb(Mg1/3Nb2/3)O3‑yPbTiO3体系。直波导型电光相位调制器是利用铁电体的畴转向和双折射率之差，通过加在共面电极上的预制电场诱发畴转向，在局部区间产生了高达3％的折射率变化，有效构造了一种结构简单，易于加工制造的光波导结构。本发明具有极低的半波电压、低的插入损耗、高的带宽和优异的相位调制能力。将铁电性和强光学非线性结合，可设计多种光信息转换器件，实现光子偏振态的有效控制，微弱信号的检测以及相控阵信号的生成与控制，适用于量子保密通信技术及微波光子学雷达技术领域。
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公开(公告)号：CN117427865A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311654738.5
申请日：2023-12-05
Applicant: 西安交通大学
IPC: B06B1/06
Abstract: 一种高温压电超声换能器，包括外壳底部设置延迟块，延迟块顶部设置压电元件，压电元件顶部设置背衬，压电元件顶部与背衬间设置有薄电极片，外壳的内壁开设引线通孔，引线通孔内穿入引线，引线位于引线通孔内的一端分成两极，两极分别连接薄电极片与外壳底部，引线位于外壳外的另一端外接用于信号传输的探头线，背衬、压电元件以及延迟块通过螺栓干耦合连接；制备方法：将压电元件置于延迟块上，将延迟块旋入换能器外壳，背衬层位于压电元件后方，将薄电极片置于背衬压电元件间，并固定在一起，得到压电超声换能器；应用：用于高温检测和高温测厚或结构健康监测；具有阻抗较高、声衰减系数较高、热膨胀系数差距小且高温稳定性好的特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113013321B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202110173478.4
申请日：2021-02-07
Applicant: 西安交通大学
IPC: H10N30/057 , H10N30/045 , H10N30/067 , C23C14/04 , C23C14/35
Abstract: 本发明提供的一种压电单晶层叠驱动器的制备方法，包括以下步骤：步骤1，对单晶片依次进行三维定向、切割、减薄、清洗，得到多个单晶薄片；步骤2，将得到的单晶薄片放置在溅射电极模具中进行溅射电极，得到单晶薄片电极；步骤3，将得到的单晶薄片电极放置在极化装置中进行电极极化，得到极化后的单晶薄片电极；步骤4，利用堆叠模具对极化后的单晶薄片电极进行堆叠，得到压电堆；步骤5，在得到的压电堆的侧面溅射电极，得到层叠驱动器；本发明解决了现有的层叠驱动器只能单片制备，不能批量生产的缺陷。
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公开(公告)号：CN112786776A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202011567974.X
申请日：2020-12-25
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L41/083 , H01L41/09 , H01L41/277
Abstract: 本发明提供的一种压电单晶驱动器及其制备方法，包括压电单晶堆，压电单晶堆包括多个单晶片，多个单晶片(101)沿其厚度方向堆叠，且多个单晶片(101)之间电路并联连接；所述单晶片(101)的厚度方向为 方向、长度方向为 方向、宽度方向选取 方向；本发明在三维定向下的单晶片，其横向压电系数为2000pC/N以上，使得其在驱动电压相同情况下，其层数少，输出形变大、工作频率高等特点。
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公开(公告)号：CN113013321A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110173478.4
申请日：2021-02-07
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L41/277 , H01L41/257 , H01L41/297 , C23C14/04 , C23C14/35
Abstract: 本发明提供的一种压电单晶层叠驱动器的制备方法，包括以下步骤：步骤1，对单晶片依次进行三维定向、切割、减薄、清洗，得到多个单晶薄片；步骤2，将得到的单晶薄片放置在溅射电极模具中进行溅射电极，得到单晶薄片电极；步骤3，将得到的单晶薄片电极放置在极化装置中进行电极极化，得到极化后的单晶薄片电极；步骤4，利用堆叠模具对极化后的单晶薄片电极进行堆叠，得到压电堆；步骤5，在得到的压电堆的侧面溅射电极，得到层叠驱动器；本发明解决了现有的层叠驱动器只能单片制备，不能批量生产的缺陷。
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公开(公告)号：CN112769349A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202011567971.6
申请日：2020-12-25
Applicant: 西安交通大学
IPC: H02N2/00
Abstract: 本发明提供的一种钹型压电单晶驱动器，包括金属端帽和压电单晶堆，金属端帽设置有两个，分别设置在压电单晶堆的上下表面；所述压电单晶堆包括多个单晶片，多个单晶片采用结构上串联、电路上并联的方式相互贴合堆叠；所述单晶片为长方体结构，所述长方体结构的厚度方向为 方向、长度方向为 方向、宽度方向选取 方向；本发明该三维定向下的单晶片，其横向压电系数为2000pC/N以上，纵向压电系数为1200pC/N以上，使得其在驱动电压相同情况下，具有层数少，输出形变大、工作频率高等特点；同时，在压电单晶堆的上下表面增加的金属端帽，能够同时利用横向压电系数和纵向压电系数，使得输出形变进一步放大。
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公开(公告)号：CN107219646B
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201710414043.8
申请日：2017-06-05
Applicant: 西安交通大学
IPC: G02F1/03
Abstract: 本发明公开了一种直波导型电光相位调制器及其制备方法，电光调制器具有平板电容型结构，包括相当于介质层的单晶与单晶上下表面的电极层。单晶为二元(1‑x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3‑xPbTiO3体系或三元(1‑x‑y)Pb(In1/2Nb1/2)O3‑xPb(Mg1/3Nb2/3)O3‑yPbTiO3体系。直波导型电光相位调制器是利用铁电体的畴转向和双折射率之差，通过加在共面电极上的预制电场诱发畴转向，在局部区间产生了高达3％的折射率变化，有效构造了一种结构简单，易于加工制造的光波导结构。本发明具有极低的半波电压、低的插入损耗、高的带宽和优异的相位调制能力。将铁电性和强光学非线性结合，可设计多种光信息转换器件，实现光子偏振态的有效控制，微弱信号的检测以及相控阵信号的生成与控制，适用于量子保密通信技术及微波光子学雷达技术领域。
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