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公开(公告)号：CN104392875A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201410558893.1
申请日：2014-10-20
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 一种纳米硅/氮化硅薄膜型电子源及其制作方法，包括依次沉积在基底上的底电极、纳米硅/氮化硅层以及顶电极；且纳米硅/氮化硅层采用镶嵌有纳米晶硅的氮化硅薄膜；或者纳米硅/氮化硅层采用纳米晶硅层与氮化硅层交替组成的多层薄膜。在纳米硅/氮化硅层的制备过程中，调节通入镀膜腔中的氩气和氮气的分压比或调节硅靶和氮化硅靶的溅射功率来控制最后制得的纳米硅/氮化硅层中的硅晶粒的大小及密度，使硅晶粒的粒径达到3-6nm。此纳米硅/氮化硅薄膜电子源的制作工艺与硅基微电子加工工艺兼容，并且其电子发射性能稳定。
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公开(公告)号：CN104357800A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410558337.4
申请日：2014-10-20
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 一种纳米硅薄膜阴极及其制作方法，由依次制作于基底上的底电极——含纳米晶硅的二氧化硅层(即纳米晶硅颗粒镶嵌在二氧化硅中)——顶电极构成，其中的含纳米晶硅的二氧化硅层采用溅射法结合高温退火工艺制备。在含纳米晶硅的二氧化硅层的制备过程中，调节通入镀膜腔中的氩气和氧气的分压比或调节硅靶和二氧化硅靶的溅射功率来控制最后制得的含纳米晶硅二氧化硅层中的硅晶粒的大小和密度分布，使含纳米晶硅二氧化硅层中粒径适中的硅晶粒的密度呈周期性变化的分层分布。此纳米硅薄膜阴极的制作工艺与硅微电子加工工艺兼容，并且电子发射性能稳定。
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公开(公告)号：CN104357800B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201410558337.4
申请日：2014-10-20
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 一种纳米硅薄膜阴极及其制作方法，由依次制作于基底上的底电极——含纳米晶硅的二氧化硅层(即纳米晶硅颗粒镶嵌在二氧化硅中)——顶电极构成，其中的含纳米晶硅的二氧化硅层采用溅射法结合高温退火工艺制备。在含纳米晶硅的二氧化硅层的制备过程中，调节通入镀膜腔中的氩气和氧气的分压比或调节硅靶和二氧化硅靶的溅射功率来控制最后制得的含纳米晶硅二氧化硅层中的硅晶粒的大小和密度分布，使含纳米晶硅二氧化硅层中粒径适中的硅晶粒的密度呈周期性变化的分层分布。此纳米硅薄膜阴极的制作工艺与硅微电子加工工艺兼容，并且电子发射性能稳定。
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公开(公告)号：CN104392875B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201410558893.1
申请日：2014-10-20
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 一种纳米硅/氮化硅薄膜型电子源及其制作方法，包括依次沉积在基底上的底电极、纳米硅/氮化硅层以及顶电极；且纳米硅/氮化硅层采用镶嵌有纳米晶硅的氮化硅薄膜；或者纳米硅/氮化硅层采用纳米晶硅层与氮化硅层交替组成的多层薄膜。在纳米硅/氮化硅层的制备过程中，调节通入镀膜腔中的氩气和氮气的分压比或调节硅靶和氮化硅靶的溅射功率来控制最后制得的纳米硅/氮化硅层中的硅晶粒的大小及密度，使硅晶粒的粒径达到3-6nm。此纳米硅/氮化硅薄膜电子源的制作工艺与硅基微电子加工工艺兼容，并且其电子发射性能稳定。
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