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公开(公告)号：CN116322023A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202210849318.1
申请日：2022-07-19
Applicant: 铠侠股份有限公司
IPC: H10B12/00
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置、半导体存储装置、及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置具备：第1电极；第2电极；氧化物半导体层，设置在第1电极与第2电极之间，在与从第1电极朝向第2电极的第1方向垂直的面中，包含由第1电极包围的第1区域；栅极电极，与氧化物半导体层对向；栅极绝缘层；第1绝缘层，设置在栅极电极与第1电极之间；及第2绝缘层，设置在栅极电极与第2电极之间；与第1方向平行的截面中的第1电极的第1部分与第1电极的第2部分的第2方向上的第1最大距离，大于所述截面中的第1绝缘层的第3部分与第1绝缘层的第4部分之间的第2方向上的最小距离。
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公开(公告)号：CN111725235B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN201910690282.5
申请日：2019-07-29
Applicant: 铠侠股份有限公司
Abstract: 本发明是一种半导体存储装置，具备：衬底；多个第1半导体部，沿与衬底的表面交叉的第1方向排列；第1栅极电极，沿第1方向延伸，从与第1方向交叉的第2方向与多个第1半导体部对向；第1绝缘部，设置在第1半导体部及第1栅极电极之间；第1布线，在第1方向上与第1栅极电极隔开；第2半导体部，连接于第1栅极电极的第1方向的一端及第1布线；第2栅极电极，与第2半导体部对向；及第2绝缘部，设置在第2半导体部及第2栅极电极之间。
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公开(公告)号：CN111583981B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202010066488.3
申请日：2020-01-20
Applicant: 铠侠股份有限公司
Abstract: 实施方式提供提高了可靠性的电阻变化型半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具有：第1布线，其在第1方向上延伸；多条第2布线，其在与所述第1方向交叉的第2方向上延伸，沿所述第1布线在所述第1方向上排列；以及多个存储膜，其设置在所述第1布线与所述多条第2布线之间。从所述第1布线的作为所述第1方向上的一侧的第1电压供给侧供给对于所述存储膜写入以及读出数据所需要的电压。所述多个存储膜包括第1存储膜和第2存储膜，所述第2存储膜配置在比所述第1存储膜离所述第1电压供给侧远的位置。所述第2存储膜与所述第1布线的连接面积比所述第1存储膜与所述第1布线的连接面积大。
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公开(公告)号：CN116864521A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202210993759.9
申请日：2022-08-18
Applicant: 铠侠股份有限公司
IPC: H01L29/417 , H01L29/78 , H10B12/00
Abstract: 实施方式提供晶体管特性优异的半导体器件以及半导体存储器件。实施方式的半导体器件具备：第1电极；第2电极；氧化物半导体层，其设置在第1电极与第2电极之间；栅电极，其将氧化物半导体层包围；以及栅极绝缘层，其设置在栅电极与氧化物半导体层之间，与第1电极分离，包含氮(N)。并且，从第1电极朝向第2电极的第1方向上的第1电极与栅极绝缘层之间的第1距离比第1方向上的第1电极与栅电极之间的第2距离小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111583981A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010066488.3
申请日：2020-01-20
Applicant: 铠侠股份有限公司
Abstract: 实施方式提供提高了可靠性的电阻变化型半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具有：第1布线，其在第1方向上延伸；多条第2布线，其在与所述第1方向交叉的第2方向上延伸，沿所述第1布线在所述第1方向上排列；以及多个存储膜，其设置在所述第1布线与所述多条第2布线之间。从所述第1布线的作为所述第1方向上的一侧的第1电压供给侧供给对于所述存储膜写入以及读出数据所需要的电压。所述多个存储膜包括第1存储膜和第2存储膜，所述第2存储膜配置在比所述第1存储膜离所述第1电压供给侧远的位置。所述第2存储膜与所述第1布线的连接面积比所述第1存储膜与所述第1布线的连接面积大。
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公开(公告)号：CN112447735B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202010108718.8
申请日：2020-02-21
Applicant: 铠侠股份有限公司
Abstract: 本实施方式涉及一种半导体存储装置及其制造方法，根据一实施方式，半导体存储装置具备：衬底；多个导电层，配置在与衬底交叉的第1方向且在与第1方向交叉的第2方向上分别延伸；第1半导体层，在第1方向上延伸且与所述多个导电层对向；存储部，设置在第1半导体层与多个导电层之间，与第1半导体层及所述多个导电层的一部分一起构成存储单元；及驱动电路，驱动存储单元。多个导电层遍及以下区域形成：第1区域，配置着多个存储单元；第2区域，设置在比第1区域更靠第2方向的端部；及第3区域，与第1区域及第2区域不同；且位于第3区域的部分与位于第1区域及第2区域的部分绝缘分离。驱动电路设置在第3区域，且具备：第2半导体层，在第1方向上贯通多个导电层且在第1方向上延伸；及绝缘层，设置在第2半导体层与多个导电层之间；第2半导体层的一端经由布线与第2区域的多个导电层连接，另一端与衬底连接。
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公开(公告)号：CN116825821A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202211062267.4
申请日：2022-08-31
Applicant: 铠侠股份有限公司
Abstract: 实施方式提供晶体管特性优异的半导体器件以及半导体存储器件。实施方式的半导体器件具备：第1电极；第2电极；第1氧化物半导体层，其设置在第1电极与第2电极之间；栅电极，其与第1氧化物半导体层相对向；第2氧化物半导体层，其设置在栅电极与第1氧化物半导体层之间，与第1电极相分离；以及栅极绝缘层，其设置在栅电极与第2氧化物半导体层之间。
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公开(公告)号：CN115867025A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202111611497.7
申请日：2021-12-27
Applicant: 铠侠股份有限公司
Abstract: 本发明的实施方式涉及一种半导体装置及半导体存储装置。实施方式的半导体装置具备：第1电极；第2电极；氧化物半导体层，设置在第1电极与第2电极之间；栅极电极，在从第1电极朝向第2电极的第1方向上，设置在第1电极与第2电极之间，且与氧化物半导体层对向；栅极绝缘层，设置在氧化物半导体层与栅极电极之间；第1绝缘层，设置在栅极电极与第1电极之间；及第2绝缘层，设置在栅极电极与第2电极之间，且氧原子浓度低于第1绝缘层的氧原子浓度。
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公开(公告)号：CN112447735A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010108718.8
申请日：2020-02-21
Applicant: 铠侠股份有限公司
IPC: H01L27/11519 , H01L27/11524 , H01L27/11565 , H01L27/1157
Abstract: 本实施方式涉及一种半导体存储装置及其制造方法，根据一实施方式，半导体存储装置具备：衬底；多个导电层，配置在与衬底交叉的第1方向且在与第1方向交叉的第2方向上分别延伸；第1半导体层，在第1方向上延伸且与所述多个导电层对向；存储部，设置在第1半导体层与多个导电层之间，与第1半导体层及所述多个导电层的一部分一起构成存储单元；及驱动电路，驱动存储单元。多个导电层遍及以下区域形成：第1区域，配置着多个存储单元；第2区域，设置在比第1区域更靠第2方向的端部；及第3区域，与第1区域及第2区域不同；且位于第3区域的部分与位于第1区域及第2区域的部分绝缘分离。驱动电路设置在第3区域，且具备：第2半导体层，在第1方向上贯通多个导电层且在第1方向上延伸；及绝缘层，设置在第2半导体层与多个导电层之间；第2半导体层的一端经由布线与第2区域的多个导电层连接，另一端与衬底连接。
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