公开(公告)号：CN115821946A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202211236883.7

申请日：2022-10-10

Applicant: 中国建筑一局(集团)有限公司 ,  长安大学

Inventor： 张林 ,  刘喜 ,  安媛媛 ,  梁存君 ,  申张鹏 ,  曹雪峰 ,  史思军

IPC: E02D17/12 ,  E02D17/18

Abstract: 本申请公开一种预拌流态固化土肥槽回填施工工法，涉及建筑工程技术领域。包括：S1，施工准备；S2，肥槽清理；S3，标高抄测；S4，分段支模，根据肥槽回填施工作业段各区域不同的进度，对回填施工区域进行划分，在肥槽过长需要分段施工且肥槽宽度满足支撑作业要求时，对肥槽分段分层支模；S5，分层浇筑；S6，留样取样；S7，找平验收；S8，保护养护，施工过程严谨流畅，就地取材，稳定密实，抗渗性好。本申请充分发挥固化土自密实特性，减少肥槽回填施工对挖土机与打夯机的依赖；无需振捣，缩短施工周期，解决了肥槽回填段长、宽度窄的施工难点，在保证施工进度的同时具有一定经济效益和社会效益。

公开(公告)号：CN110556193A

公开(公告)日：2019-12-10

申请号：CN201810130366.9

申请日：2018-02-08

Applicant: 长安大学

Inventor： 张林 ,  程鸿亮 ,  胡笑钏

IPC: G21H1/06 ,  H01L31/0312 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种Pm-147碳化硅缓变N区同位素电池及其制造方法，该同位素电池的结构自下而上包括N型欧姆接触电极，N型高掺杂SiC衬底，N型SiC外延层，N型SiC外延层，在N型SiC外延层上部采用离子注入形成P型SiC欧姆接触掺杂区，在P型SiC欧姆接触掺杂区的顶部中心处设有P型欧姆接触电极，在P型SiC欧姆接触掺杂区的顶部除去P型欧姆接触电极的区域设有SiO2钝化层，在SiO2钝化层的上方设有Pm-147放射性同位素源。本发明设计新颖合理，可以有效解决Pm-147在材料深处的电离能量沉积的收集问题，有效提高了同位素电池的输出功率、能量转换效率。

公开(公告)号：CN106158943A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201610497719.X

申请日：2016-06-28

Applicant: 长安大学

Inventor： 张林 ,  谷文萍 ,  胡笑钏 ,  高恬溪

IPC: H01L29/74 ,  H01L29/16 ,  H01L29/06 ,  H01L21/332

CPC classification number: H01L29/74 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068

Abstract: 本发明公开了一种N沟碳化硅静电感应晶闸管及其制造方法，结构所采用的技术方案为：包括自下而上依次设置的第二P型欧姆接触电极、P型SiC衬底、N型SiC缓冲层、N型SiC漂移层和N型SiC电流增强层，N型SiC电流增强层上刻蚀形成有若干个台阶，相邻台阶之间设有沟槽，台阶的顶端设置有N型SiC欧姆接触层，N型SiC欧姆接触层的上部设置有N型欧姆接触电极，沟槽内设置有P型SiC欧姆接触区，P型SiC欧姆接触区与台阶侧面和沟槽的底部接触，位于沟槽底部的P型SiC欧姆接触区的上部设置有第一P型欧姆接触电极，第二P型欧姆接触电极、N型欧姆接触电极和第一P型欧姆接触电极均包括依次沉积的Ni层和Pt层。

公开(公告)号：CN102664197B

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201210181028.0

申请日：2012-06-05

Applicant: 长安大学

Inventor： 张林 ,  李演明 ,  邱彦章

IPC: H01L29/808 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L21/337 ,  H02M7/537

Abstract: 本发明公开了一种JFET及其制造方法以及使用该JFET的微型逆变器，其JFET包括漏极欧姆接触电极、衬底、SiC漂移层、N型SiC沟道层和N型SiC欧姆接触层以及两个栅极肖特基接触电极；其制造方法包括步骤：一、提供衬底,二、形成SiC外延层，三、形成N型SiC沟道层和SiC漂移层；四、形成N型SiC欧姆接触层,五、形成漏极和源极欧姆接触电极,六、形成两个栅极肖特基接触电极；其微型逆变器包括电容C1、C2和C3，电感L1，JFET1、JFET2和JFET3，以及碳化硅肖特基二极管D1、D2、D3和D4。本发明实现方便且成本低，提高了微型逆变器的工作频率和工作可靠性，降低了电能损耗和电价，实用性强。

公开(公告)号：CN102904565B

公开(公告)日：2014-05-28

申请号：CN201210380992.6

申请日：2012-10-09

Applicant: 长安大学

Inventor： 李演明 ,  张林 ,  贾亚飞 ,  文常保

IPC: H03K19/0185 ,  H02M3/155

Abstract: 本发明公开了一种用于DC-DC驱动的超低静态电流的电平移位电路，该电路主要解决电平移位过程中的静态损耗问题。该电平移位电路包括第一电源VCC，开关节点电压VX，第二电源VBOOT，逻辑输入端IN，逻辑输出端OUT，4个反相器INV1、INV2、INV3和INV4，12个晶体管M1-M12；晶体管M1、M2、M9、M10和M11均为5V的低压NMOS，晶体管M7、M8和M12均为5V的低压PMOS，晶体管M3、M4均为30V的高压NMOS，晶体管M5、M6均为30V的高压PMOS；由于采用具有自关断能力的30V高压PMOS，极大的减小了电路中的静态电流，使电路具有超低静态损耗功能。本发明电路简单，节省芯片面积，适用于具有开关型DC-DC转换器驱动等结构的电源芯片。

公开(公告)号：CN102904565A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201210380992.6

申请日：2012-10-09

Applicant: 长安大学

Inventor： 李演明 ,  张林 ,  贾亚飞 ,  文常保

IPC: H03K19/0185 ,  H02M3/155

Abstract: 本发明公开了一种用于DC-DC驱动的超低静态电流的电平移位电路，该电路主要解决电平移位过程中的静态损耗问题。该电平移位电路包括第一电源VCC，开关节点电压VX，第二电源VBOOT，逻辑输入端IN，逻辑输出端OUT，4个反相器INV1、INV2、INV3和INV4，12个晶体管M1-M12；晶体管M1、M2、M9、M10和M11均为5V的低压NMOS，晶体管M7、M8和M12均为5V的低压PMOS，晶体管M3、M4均为30V的高压NMOS，晶体管M5、M6均为30V的高压PMOS；由于采用具有自关断能力的30V高压PMOS，极大的减小了电路中的静态电流，使电路具有超低静态损耗功能。本发明电路简单，节省芯片面积，适用于具有开关型DC-DC转换器驱动等结构的电源芯片。

公开(公告)号：CN102664197A

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：CN201210181028.0

申请日：2012-06-05

Applicant: 长安大学

Inventor： 张林 ,  李演明 ,  邱彦章

IPC: H01L29/808 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L21/337 ,  H02M7/537

Abstract: 本发明公开了一种JFET及其制造方法以及使用该JFET的微型逆变器，其JFET包括漏极欧姆接触电极、衬底、SiC漂移层、N型SiC沟道层和N型SiC欧姆接触层以及两个栅极肖特基接触电极；其制造方法包括步骤：一、提供衬底,二、形成SiC外延层，三、形成N型SiC沟道层和SiC漂移层；四、形成N型SiC欧姆接触层,五、形成漏极和源极欧姆接触电极,六、形成两个栅极肖特基接触电极；其微型逆变器包括电容C1、C2和C3，电感L1，JFET1、JFET2和JFET3，以及碳化硅肖特基二极管D1、D2、D3和D4。本发明实现方便且成本低，提高了微型逆变器的工作频率和工作可靠性，降低了电能损耗和电价，实用性强。

公开(公告)号：CN116031508A

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202211669308.6

申请日：2022-12-24

Applicant: 长安大学

Inventor： 张林 ,  李彦波 ,  黄鑫荣 ,  徐先峰

IPC: H01M10/42 ,  G06N3/08 ,  G06N3/086 ,  G06N3/0442

Abstract: 一种基于深度学习的锂离子电池管理系统及方法，包括中央控制模块、状态监测模块、环境传感模块、人机交互模块、显示预警模块和深度学习模块；环境传感模块、人机交互模块、状态监测模块、显示预警模块和深度学习模块均连接到中央控制模块；状态监测模块连接锂离子电池和深度学习模块；本发明采用深度学习方法，基于历史测试数据，建立可以精确反映不同工作状态下锂离子电池的电学特性，为电池的荷电状态和健康状态监测提供参考。并可以根据需求更新训练数据，从而可以充分考虑每个锂离子电池的个性化差异，为用户提供更精确的锂离子电池荷电状态和健康状态。

公开(公告)号：CN110459340A

公开(公告)日：2019-11-15

申请号：CN201811269908.7

申请日：2018-10-29

Applicant: 长安大学

Inventor： 张林 ,  王晓艳 ,  朱礼亚

IPC: G21H1/06

Abstract: 本发明公开了一种H-3碳化硅PN型同位素电池及其制造方法，该同位素电池的结构自下而上包括N型欧姆接触电极，N型高掺杂SiC衬底，N型SiC外延层，P型SiC外延层，在P型SiC外延层上部的部分区域设有P型SiC欧姆接触掺杂层，在P型SiC欧姆接触掺杂层的顶部设有P型欧姆接触电极，在P型SiC外延层上部除去P型欧姆接触掺杂区以外的区域设有SiO2钝化层，在SiO2钝化层的上方设有H-3放射性同位素源。本发明设计新颖合理，可以有效解决H-3在表面的辐照生载流子复合损耗问题，有效提高了同位素电池的输出功率、能量转换效率。

公开(公告)号：CN108880469A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201810359475.8

申请日：2018-04-20

Applicant: 长安大学

Inventor： 谷文萍 ,  张林 ,  徐小波 ,  周晏萱 ,  胡笑钏

IPC: H02S50/10

CPC classification number: H02S50/10

Abstract: 本发明提供了一种太阳能电池参数提取的方法，包含以下步骤：1)根据基尔霍夫电流定律得到理想的单二极管太阳能电池等效电路的电流电压特性方程，建立太阳能电池单二极管模型；2)利用半导体测试仪测出太阳能电池的I～V曲线，并结合单二极管模型中I～V曲线获得参数开路电压Voc、短路电路Isc来提取未知参数并联电阻Rsh；3)通过引入临时参数Rso、no并进行多次迭代计算来确定未知参数串联电阻Rs、理想因子n；4)通过上述所求得参数值带入公式变形中求未知参数光电流Iph、反向饱和电流I0。