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公开(公告)号：CN114270269B
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202080058446.3
申请日：2020-07-14
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： N·潘迪 , S·G·J·马斯杰森 , K·布哈塔查里亚 , A·J·登博夫
Abstract: 公开了一种用于量测工具的照射和检测设备以及相关方法。该设备包括照射装置，该照射装置能够被操作以产生测量照射，该测量照射包括多个离散波长带并且在每个波长带内包括具有至多单个峰的光谱。该检测装置包括检测分束器以将散射辐射分成多个通道，每个通道与所述波长带中的不同的波长带相对应；以及至少一个检测器，用于分开地检测每个通道。
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公开(公告)号：CN119404148A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202380048899.1
申请日：2023-07-11
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： T·T·M·范沙伊科 , R·D·别杰斯 , A·J·登博夫 , J·M·M·德维特 , T·W·图克
Abstract: 公开了一种用于量测装置的传感器模块。传感器模块包括照射设备，该照射设备用于照射衬底上的结构，所述照射设备包括至少第一组照射器和第二组照射器，其中所述第一组照射器包括一个或多个照射器，每个照射器可操作以用包括第一光学特性的第一照射来照射所述结构，并且其中所述第二组照射器包括一个或多个照射器，每个照射器可操作以用包括不同于所述第一光学特性的第二光学特性的第二照射来照射所述结构；光学系统，该光学系统可操作以捕获由被照射的结构产生的被结构散射的散射辐射；以及检测器，该检测器可操作以检测散射辐射。
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公开(公告)号：CN111736436B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202010721198.8
申请日：2017-03-28
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20 , G01N21/956 , G01N21/47
Abstract: 一种方法，包括：获得使用图案化工艺处理的衬底上的量测目标的测量，该测量是使用测量辐射获得的；以及从测量导出图案化工艺的感兴趣参数，其中感兴趣参数由堆叠差异参数校正，堆叠差异参数表示目标的相邻周期性结构之间或量测目标与衬底上的另一相邻目标之间的物理配置中的非设计差异。
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公开(公告)号：CN115777084A
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202180048651.6
申请日：2021-05-27
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： S·G·J·马西森 , P·A·J·蒂内曼斯 , A·J·登博夫 , K·巴塔查里亚 , S·U·雷曼
IPC: G03F7/20
Abstract: 公开一种改进感兴趣参数的测量的方法。方法包括：获得量测数据，量测数据包括与衬底上的一个或多个目标相关的感兴趣参数的多个测量值，每个测量值与所述一个或多个目标中的目标和测量目标的测量条件的不同测量组合，以及与一个或多个目标的不对称性相关的不对称性度量数据相关。基于测量组合中感兴趣参数存在公共真实值的假设，确定测量组合中的每个测量组合使感兴趣参数的真实值与不对称性度量数据相关的各自关系。使用这些关系来改进感兴趣参数的测量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112005157B
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN201980025279.X
申请日：2019-02-04
Applicant: ASML荷兰有限公司
Abstract: 公开一种用于测量与衬底上的结构有关的关注的特性的方法和相关联设备。所述方法包括在利用照射辐射照射结构之后，直接地由关注的特性对在照射辐射被所述照射辐射被所述结构散射时的至少相位的影响，来计算关注的特性的值。
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公开(公告)号：CN113168122A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201980082667.1
申请日：2019-11-19
Applicant: ASML荷兰有限公司
Abstract: 本公开涉及对光刻工艺的参数的测量以及量测装置。在一个布置中，修改来自辐射源的辐射，并且该辐射用于照射使用光刻工艺形成在衬底上的目标。对从目标散射的辐射进行检测和分析以确定参数。对辐射进行修改包括：修改辐射的波长谱以具有介于全局最大值与局部最大值之间的局部最小值，其中局部最小值处的辐射的功率谱密度小于全局最大值处的辐射的功率谱密度的20％，并且局部最大值处的辐射的功率谱密度至少为全局最大值处的辐射的功率谱密度的50％。
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公开(公告)号：CN107771271B
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201680033826.5
申请日：2016-04-18
Applicant: ASML荷兰有限公司
Abstract: 公开了用于测量光刻工艺的参数的方法、计算机程序和相关联的设备。方法包括如下步骤：获得包括与多个第一结构有关的结构不对称性的测量的第一测量，结构不对称性的所述多个测量中的每一个对应于测量辐射的不同测量组合和至少第一参数的值；获得与多个目标有关的目标不对称性的多个第二测量，目标不对称性的所述多个测量中的每一个对应于所述不同测量组合中的一个；针对所述测量组合中的每一个确定描述所述第一测量与所述第二测量之间的关系的关系函数；从所述关系函数确定校正重叠值，所述校正重叠值针对归因于至少所述第一结构中的结构不对称性的结构贡献被校正。
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公开(公告)号：CN108931891B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201810681219.0
申请日：2014-11-20
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： Y·J·L·M·范多梅伦 , P·D·恩格布罗姆 , L·G·M·克塞尔斯 , A·J·登博夫 , K·布哈塔查里亚 , P·C·欣南 , M·J·A·皮特斯
IPC: G03F7/20
Abstract: 本公开的实施例涉及检查方法、光刻设备、掩模以及衬底。一种用于获得与光刻过程有关的焦距信息的方法和设备。该方法包括：照射目标，该目标具有交替的第一和第二结构，其中第二结构的形式是依赖于焦距的，而第一结构的形式不具有与第二结构的形式相同的焦距依赖性；以及检测由目标重定向的辐射，以对于该目标获得表示目标的整体非对称性的非对称性测量，其中非对称性测量指示形成目标的束的焦距。一种用于形成这种目标的相关联的掩模和一种具有这种目标的衬底。
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公开(公告)号：CN107148597B
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201580056531.5
申请日：2015-08-19
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： K·布哈塔查里亚 , H·W·M·范布尔 , C·D·富凯 , H·J·H·斯米尔德 , M·范德沙 , A·J·登博夫 , R·J·F·范哈伦 , 柳星兰 , J·M·M·贝尔特曼 , A·富克斯 , O·A·O·亚达姆 , M·库比斯 , M·J·J·加克
IPC: G03F7/20
Abstract: 衍射测量目标，其具有至少第一子目标和至少第二子目标，以及其中(1)第一和第二子目标每个包括一对周期性结构并且第一子目标具有与第二子目标不同的设计，不同的设计包括第一子目标周期性结构具有与第二子目标周期性结构不同的节距、特征宽度、间隔宽度和/或分割，或者(2)第一和第二子目标分别包括第一层中的第一和第二周期性结构，以及第三周期性结构在第一层下方的第二层中至少部分地位于第一周期性结构下方并且在第二层中没有周期性结构在第二周期性结构下方，以及第四周期性结构在第二层下方的第三层中至少部分地位于第二周期性结构下方。设计该测量目标的方法包括在子目标的外围处定位辅助特征，辅助特征配置为减小子目标外围处的测得强度峰值。
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