公开(公告)号：CN112242387B

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202010677861.9

申请日：2020-07-15

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 驹﨑洋亮 ,  永沼宙 ,  太田尚城

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  G01D5/14 ,  G01D5/16

Abstract: 本发明的电子元器件封装件是具有包括相邻的第一边和第二边的外缘的电子元器件封装件。该电子元器件封装件具备：第一电子元器件芯片；第二电子元器件芯片，与第一电子元器件芯片分开设置；1个以上的第一端子，沿着第一边配置；1个以上的第二端子，沿着第二边配置；以及1个以上的第一导体，使1个以上的第一端子与第一电子元器件芯片连接，而没有使1个以上的第一端子与第二电子元器件芯片连接。

公开(公告)号：CN113391247A

公开(公告)日：2021-09-14

申请号：CN202110036954.8

申请日：2021-01-12

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 驹﨑洋亮 ,  太田尚城

IPC: G01R33/06

Abstract: 本发明的旋转检测装置具备磁场发生源、自旋阀元件和运算部。磁场发生源产生磁场且可以进行自身的旋转，其剩余磁通密度的温度系数的绝对值小于等于0.1％/℃。自旋阀元件包含磁性层，该磁性层对应伴随磁场发生源的旋转的磁场方向的变化而产生磁壁的移动。运算部检测由磁壁的移动而产生的自旋阀元件的电阻变化，并且算出磁场发生源的旋转数或旋转角。

公开(公告)号：CN105891739B

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201610089953.9

申请日：2016-02-17

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 驹﨑洋亮

IPC: G01R33/02 ,  G01P3/44 ,  G01B7/00

Abstract: 本发明提供一种磁传感器。磁传感器包括MR元件和偏置磁场发生部。MR元件具有沿着Z方向层叠的磁化固定层、非磁性层和自由层。偏置磁场发生部具有沿Z方向层叠的第一反铁磁性层、铁磁性层和第二反铁磁性层。偏置磁场发生部具有位于Z方向的两端的第一端面和第二端面。MR元件配置成，MR元件整体被包括在将与偏置磁场发生部的第一端面相当的假想平面沿着Z方向向与第二端面相反侧移动而形成的空间内。

公开(公告)号：CN106257298B

公开(公告)日：2020-01-17

申请号：CN201610459076.X

申请日：2016-06-22

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 驹﨑洋亮

IPC: G01R33/09

Abstract: 本发明所涉及的磁场产生体的特征在于具备被排列成规定的图形并产生多个外部磁场的多个磁场产生部。多个磁场产生部的各个包含第1铁磁性体部和第1反铁磁性体部。第1反铁磁性体部与第1铁磁性体部相接并与第1铁磁性体部交换耦合。第1铁磁性体部具有磁化。多个磁场产生部中包含第1铁磁性体部的磁化的方向互相不同的2个磁场产生部。

公开(公告)号：CN105988092B

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201610170100.8

申请日：2016-03-23

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 驹﨑洋亮

IPC: G01R33/09

CPC classification number: G01R33/038 ,  G01R33/09 ,  G01R33/093 ,  H01F7/0273

Abstract: 磁传感器具备MR元件以及沿第1方向隔开间隔配置并协同地产生偏置磁场的2个偏置磁场产生部。各偏置磁场产生部具有在正交于第1方向的第2方向上层叠的铁磁性层和反铁磁性层。与MR元件交叉且垂直于第2方向的假想平面上，从第2方向看位于2个偏置磁场产生部之间的元件配置区域被形成。元件配置区域包含中央区域和2个端部区域。MR元件被配置为在假想平面上包含于中央区域内。

公开(公告)号：CN105988092A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201610170100.8

申请日：2016-03-23

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 驹﨑洋亮

IPC: G01R33/09

CPC classification number: G01R33/038 ,  G01R33/09 ,  G01R33/093 ,  H01F7/0273 ,  G01R33/098

Abstract: 磁传感器具备MR元件以及沿第1方向隔开间隔配置并协同地产生偏置磁场的2个偏置磁场产生部。各偏置磁场产生部具有在正交于第1方向的第2方向上层叠的铁磁性层和反铁磁性层。与MR元件交叉且垂直于第2方向的假想平面上，从第2方向看位于2个偏置磁场产生部之间的元件配置区域被形成。元件配置区域包含中央区域和2个端部区域。MR元件被配置为在假想平面上包含于中央区域内。

公开(公告)号：CN112242387A

公开(公告)日：2021-01-19

申请号：CN202010677861.9

申请日：2020-07-15

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 驹﨑洋亮 ,  永沼宙 ,  太田尚城

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  G01D5/14 ,  G01D5/16

Abstract: 本发明的电子元器件封装件是具有包括相邻的第一边和第二边的外缘的电子元器件封装件。该电子元器件封装件具备：第一电子元器件芯片；第二电子元器件芯片，与第一电子元器件芯片分开设置；1个以上的第一端子，沿着第一边配置；1个以上的第二端子，沿着第二边配置；以及1个以上的第一导体，使1个以上的第一端子与第一电子元器件芯片连接，而没有使1个以上的第一端子与第二电子元器件芯片连接。

公开(公告)号：CN106257298A

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201610459076.X

申请日：2016-06-22

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 驹﨑洋亮

IPC: G01R33/09

Abstract: 本发明所涉及的磁场产生体的特征在于具备被排列成规定的图形并产生多个外部磁场的多个磁场产生部。多个磁场产生部的各个包含第1铁磁性体部和第1反铁磁性体部。第1反铁磁性体部与第1铁磁性体部相接并与第1铁磁性体部交换耦合。第1铁磁性体部具有磁化。多个磁场产生部中包含第1铁磁性体部的磁化的方向互相不同的2个磁场产生部。

公开(公告)号：CN105891739A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201610089953.9

申请日：2016-02-17

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 驹﨑洋亮

IPC: G01R33/02 ,  G01P3/44 ,  G01B7/00

CPC classification number: G01R33/093 ,  G01R33/02 ,  G01B7/003 ,  G01P3/44

Abstract: 本发明提供一种磁传感器。磁传感器包括MR元件和偏置磁场发生部。MR元件具有沿着Z方向层叠的磁化固定层、非磁性层和自由层。偏置磁场发生部具有沿Z方向层叠的第一反铁磁性层、铁磁性层和第二反铁磁性层。偏置磁场发生部具有位于Z方向的两端的第一端面和第二端面。MR元件配置成，MR元件整体被包括在将与偏置磁场发生部的第一端面相当的假想平面沿着Z方向向与第二端面相反侧移动而形成的空间内。