公开(公告)号：CN119947289A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202510105620.X

申请日：2025-01-22

Applicant: 上海华力微电子有限公司

Inventor： 吴世勋 ,  罗梦毫 ,  李晓玉

IPC: H10F39/18

Abstract: 本发明公开了一种CMOS图像传感器，光电二极管的N型区包括和转移晶体管的第一栅极结构的第一侧邻接的第一区域块和第二区域块。第二区域块包括：底边、顶边和斜边。底边和顶边都沿第二方向延伸，底边和第一区域块的第一侧邻接，底边具有第一宽度；顶边和底边之间的间距为第一长度，顶边具有第二宽度。斜边连接底边和顶边对应的端点；斜边和转移晶体管的源区到漏区的第一方向之间具有第一夹角。第二宽度大于等于零，第一宽度大于第二宽度，第一夹角大于零度；从顶边到底边的方向上，第二区域块的宽度逐渐增加并形成N型区的内部电势分布调节结构。本发明还公开了一种CMOS图像传感器的制造方法。本发明能增加光生电子的转移速度，改善图像滞后现象。

公开(公告)号：CN119940676A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202510125674.2

申请日：2025-01-26

Applicant: 上海华力微电子有限公司

Inventor： 许悦 ,  王勇 ,  李哲懿 ,  陆慜 ,  李嘉成

IPC: G06Q10/047 ,  G06F16/29 ,  G06N5/01

Abstract: 本发明涉及一种巡视路线规划方法、系统及可读存储介质，方法包括：采用栅格法划分工厂地形图，以工厂内的立柱作为各个标准栅格的端点；将工厂内的障碍物绘制到工厂地形图上；根据障碍物的分布情况在工厂地形图上设置巡视点，并将巡视点至少分为两组并分别绘制巡视点位图；使用启发式搜索算法计算各个巡视点位图中每两个巡视点绕过障碍物所需要的实际行走距离；对于各个巡视点位图，将经过巡视点位图中所有巡视点的路线规划问题转化为旅行商问题，并根据启发式搜索算法计算的结果求解旅行商问题的最优巡视路线，从而得到各个巡视点位图的最优巡视路线。本发明能够在减少人员巡视距离的同时实现工厂巡视全覆盖，给予现场巡视人员明确的指导。

公开(公告)号：CN112632891B

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202011265291.9

申请日：2020-11-13

Applicant: 上海华力微电子有限公司

Inventor： 王伟 ,  吴骏

IPC: G06F30/367

Abstract: 本发明公开了一种SPICE模型仿真系统，包括：模型导入模块，其用于导入模型文件；模型解析模块，其用于判断导入模型文件类型，并通过模型卡仿真器词法分析器解析模型文件类型获得模型参数；实测数据导入模块，其用于导入器件实测数据；仿真条件输入模块，其用于输入器件物理特性和器件仿真条件；仿真优化模块，其用于根据对模型文件、模型参数、器件实测数据、器件物理特性和器件仿真条件执行仿真优化后输出仿真结果。本发明还公开了一种SPICE模型仿真方法。本发明能降低操作员的技术要求能快速、准确获得仿真结果。

公开(公告)号：CN119795026A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202510125667.2

申请日：2025-01-26

Applicant: 上海华力微电子有限公司

Inventor： 孙雷雷 ,  沈逸豫 ,  刘涛

IPC: B24B37/20 ,  B24B37/00 ,  B24B37/005 ,  B24B37/34 ,  B24B57/02

Abstract: 本发明提供一种稳定研磨速率的方法、研磨方法，稳定研磨速率的方法包括：对待更换的钻石盘执行钝化步骤；使用完成钝化步骤的钻石盘进行第一制程中的研磨工序；其中，钝化步骤包括：使用待更换的钻石盘进行第二制程中的研磨工序，并持续预定时间，以使得钻石盘的打磨效率进入稳定区间。如此配置，通过对待更换的钻石盘执行钝化步骤，使用待更换的钻石盘先进行第二制程的研磨工序预定时间，将原本锋利的钻石盘钝化，以使得钝化后的钻石盘的打磨效率进入到稳定区间，保证钻石盘能够有效打磨研磨垫，将研磨垫上的孔隙打开，稳定研磨垫的软硬程度，进而稳定研磨速率，增加机台的跑货时间并保证产品的良率，减少原材料的损失和能源的消耗。

公开(公告)号：CN119530762A

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202311112365.9

申请日：2023-08-30

Applicant: 上海华力微电子有限公司

Inventor： 汪剑勇

IPC: C23C16/455

Abstract: 本发明公开了一种炉管的喷嘴安装装置，炉管中的第一喷嘴具有主喷嘴管道，主喷嘴管道位于工艺管的内侧表面的内部且沿工艺管的内侧表面从底部向顶部延伸。喷嘴安装装置包括第一安装部件。第一安装部件具有供第一喷嘴穿设的喷嘴安装孔，喷嘴安装孔，主喷嘴管道的靠近工艺管的内侧表面一侧的第一边缘贴紧喷嘴安装孔的靠近工艺管的内侧表面一侧的第二边缘，第二边缘和第一安装部件的外侧面之间具有第一间距。在工艺管的底部设置有法兰，第一安装部件通过第一固定件安装在法兰上。第一安装部件的外侧面位于工艺管的内侧表面的内侧或和工艺管的内侧表面对齐。本发明能调节较长的喷嘴和工艺管的内侧表面之间的间距，防止产生粘连。

公开(公告)号：CN112489716B

公开(公告)日：2025-01-28

申请号：CN202011347770.5

申请日：2020-11-26

Applicant: 上海华力微电子有限公司

Inventor： 唐小亮 ,  李妍 ,  辻直樹 ,  陈昊瑜

IPC: G11C29/12 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明提供了一种存储器阈值电压均匀性的电性测试方法，包括：向选择管施加第一电压，让选择管一直开启；连接所有存储单元的接源线，连接所有存储单元的位线以及连接所有存储单元的基极区；向存储管施加第二电压，第二电压为扫描电压；第二电压每变化一次电压，在存储管上施加一次脉冲电压；量测基极区的电流；将基极区的电流和第二电压的值做成阈值电压表；保持基极区的电流恒定，第二电压变化的幅度越小，则存储器阈值电压越均匀。本发明可以不使用额外的测试结构，可以同时测试所有存储单元的阈值电压，以判断存储器的阈值电压是否均匀，测试简单，并且，不用编写测试程序，测试时间较短，减少存储器开发的时间。

公开(公告)号：CN112487746B

公开(公告)日：2025-01-28

申请号：CN202011347826.7

申请日：2020-11-26

Applicant: 上海华力微电子有限公司

Inventor： 顾经纶

IPC: G06F30/367 ,  G06F119/04

Abstract: 本发明提供了一种一种SPICE寿命模型的建模方法、调参方法、建模系统及MOS晶体管寿命的确定方法，应用于半导体领域。由于本发明提供的SPICE寿命模型中的各个选定参数与所述目标MOS晶体管电学特性衰减特性之间的函数关系式中包含时间参数，因此，可以快速准确的模拟出MOS晶体管在各个时刻下对应的电学特性衰减特性，从而实现了对MOS晶体管的电学特性随时间的退化效应进行预测的目的。

公开(公告)号：CN112084737B

公开(公告)日：2025-01-28

申请号：CN202010884907.4

申请日：2020-08-28

Applicant: 上海华力微电子有限公司

Inventor： 李飞 ,  王志利

IPC: G06F30/367 ,  G06F119/08

Abstract: 本发明公开了一种高精度温度模型校准方法及系统，所述方法包括如下步骤：步骤S1，在预定的温度区间选取若干温度点，利用该若干不同温度点测试的结果，构造不同温度点形成的温度区间所修正参数的模型；步骤S2，将构造的不同温度点形成的温度区间所修正参数的模型代入到设计好的带隙基准电路中进行仿真，并以测试值的真实情况进行拟合，从而得到校准后的各温度区间修正参数的模型，达到仿真和测试值一致的目的。

公开(公告)号：CN118712083A

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202410693117.6

申请日：2024-05-30

Applicant: 上海华力微电子有限公司

Inventor： 南非

IPC: H01L21/66

Abstract: 本发明提供了一种判断晶圆表面缺陷颗粒掉落位置的方法及系统，属于半导体领域。该判断晶圆表面缺陷颗粒掉落位置的方法包括获取表面具有缺陷颗粒的背景图片和原始数据，并将所述背景图片分割成若干子区域；获取所述子区域不同位置的灰阶值和平均值；计算所述子区域的表征值X，若X小于设定值，则该子区域为光阻覆盖区域，若X大于等于设定值，则该子区域为光阻显开区域；基于所述原始数据，输出所述光阻显开区域的缺陷颗粒的坐标。本发明通过将芯片的背景图片分割成若干子区域，然后通过计算子区域的灰阶值的表征值，能够准确判断出晶圆表面的缺陷颗粒掉落的位置，该方法能够准确给出具体哪些芯片受影响。

公开(公告)号：CN112614841B

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202011483368.X

申请日：2020-12-16

Applicant: 上海华力微电子有限公司

Inventor： 谈嘉慧 ,  孙昌

IPC: H01L29/788 ,  H10B41/35 ,  H10B41/50

Abstract: 本发明提供了一种分裂栅闪存单元，包括：绝缘体上半导体衬底，包括由下至上依次堆叠的第一半导体层、绝缘埋层及第二半导体层；浅沟槽隔离结构，从所述第二半导体层向下延伸至所述第一半导体层中，所述浅沟槽隔离结构限定出第一区域和第二区域；两个栅极结构，位于所述第二半导体层上并位于所述第一区域内；源区及两个漏区，位于所述第一区域内，并交替排布在所述栅极结构两侧的第二半导体层中；两个体区，位于所述第二区域内，且排布在所述浅沟槽隔离结构外侧的第二半导体层中；两个掺杂区，两个所述掺杂区均位于所述绝缘埋层下方的第一半导体层中。本发明以实现分裂栅闪存单元的阈值电压可调，提高器件的灵活性。