公开(公告)号：CN119948040A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202380068939.9

申请日：2023-09-26

Applicant: 日铁化学材料株式会社 ,  大八化学工业株式会社

Inventor： 和佐野次俊 ,  藤本和男

IPC: C07F9/12 ,  C08G59/62 ,  C09K21/12

Abstract: 本发明提供一种固化物中的阻燃性、耐热性、介电特性优异、吸水率小、且吸水后的介电特性变化小的含磷多环芳香族羟基化合物。一种含磷多环芳香族羟基化合物，其特征在于，由通式(1)表示。通式(1)中，m为1～20的整数，n1分别独立地为1～4的整数，Ar分别独立地为可具有取代基的碳原子数6～30的芳香环(不包括苯环)。R1分别独立地为氢、碳原子数1～5的直链或支链的烷基或者通式(2)所示的取代基，但至少1个R1包含通式(2)的结构。X表示连接基团，分别独立地为氧、硫、取代或未取代的碳原子数3～20的亚环烷基、或取代或未取代的碳原子数8～20的亚芳烷基。#imgabs0#

公开(公告)号：CN119836861A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202380063965.2

申请日：2023-08-31

Applicant: 日铁化学材料株式会社

Inventor： 林健太郎 ,  井上栋智

IPC: H10K30/60

Abstract: 本发明提供一种达成摄像用光电转换元件的高感度化、高分辨率化的材料及使用所述材料的摄像用光电转换元件。使用一种包含通式(1)所表示的化合物的光电转换元件用材料。Ar1～Ar3表示氘、碳数1～20的烷基、碳数12～36的芳基杂芳基胺基、碳数6～18的芳香族烃基等，Ar1～Ar3中的至少一个为通式(2)～通式(5)等中的任一个，X为C(Ar4Ar5)、O、S等，a及b为0～4的整数。*表示与通式(1)的键结点，L1及L2表示直接键、碳数6～18的芳香族烃基、碳数3～18的芳香族杂环基等中的任一个。Ar4～Ar12与Ar1～Ar3相同，c、e、f表示0～3的整数，d表示0～2的整数。[化1]#imgabs0#[化2]#imgabs1#

公开(公告)号：CN113966350B

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202080043545.4

申请日：2020-06-23

Applicant: 日铁化学材料株式会社

Inventor： 川辺正直 ,  仓富格

IPC: C08F8/42 ,  C08F212/08 ,  C08F210/14 ,  C08F212/36 ,  C08F212/12 ,  C08G81/02 ,  C08L87/00 ,  B60C1/00

Abstract: 本发明提供一种改性乙烯基芳香族系共聚物及其制造方法、改性共轭二烯系共聚物、及这些的应用。所述改性乙烯基芳香族系共聚物的特征在于，含有源自二乙烯基芳香族化合物的结构单元(a)及源自单乙烯基芳香族化合物的结构单元(b)，结构单元(a)的至少一部分为下述的交联结构单元(a1)，且所述改性乙烯基芳香族系共聚物的末端经改性基改性，所述改性基具有选自由氨基、羟基及烷氧基硅烷基所组成的群组中的至少一种官能基。#imgabs0#

公开(公告)号：CN119605342A

公开(公告)日：2025-03-11

申请号：CN202380052273.8

申请日：2023-07-19

Applicant: 日铁化学材料株式会社

Inventor： 小川淳也 ,  岛本勇也

IPC: H10K50/12 ,  H10K71/16 ,  H10K85/10 ,  H10K85/30 ,  H10K85/60 ,  H10K101/10 ,  H10K101/20

Abstract: 本发明提供一种电压低、效率高、并且具有长寿命特性的实用上有用的有机电场发光元件。具体而言，一种有机电场发光元件，包括发光层，所述发光层含有：下述通式(1)所表示的作为吲哚并咔唑衍生物的第一主体、下述通式(2)所表示的作为双咔唑衍生物的第二主体、以及发光性掺杂剂材料。(环G由式(1a)表示，环H由式(1b)表示，L1为单键等，X为N等，Ar1及Ar2为芳香族烃基或芳香族杂基等，且至少一个为苯基二苯并呋喃基等，R1、R2表示氘等。)(Ar3、Ar4为芳香族烃基等，L为单键等，R3、R6、R7为氘等。)#imgabs0#

公开(公告)号：CN119487229A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202380050901.9

申请日：2023-06-12

Applicant: 日铁化学材料株式会社

Inventor： 大山准平 ,  米村光治 ,  中村元

IPC: C22C38/00 ,  B22F1/00 ,  B22F3/15 ,  B22F3/18 ,  B22F3/24 ,  C21D9/46 ,  C22C19/03 ,  C22C30/00 ,  C22C33/02 ,  C22C38/08 ,  C22C38/10 ,  C22F1/00 ,  C22F1/10 ,  C22F1/16

Abstract: 本发明以在极薄(厚度50μm以下)Fe－Ni合金箔中，抑制边缘波、中间波纹、翘曲等变形为课题，目的在于获得这种变形被抑制的Fe－Ni合金箔。本发明的Fe－Ni合金箔，将正电子湮灭寿命(PAL)设为0.150ns以上，可以使变形量(边缘波、中间波纹、翘曲等变形的综合评价量)比现有产品更小。为了将PAL设为0.150ns以上而设定为空位主体的显微组织，因此可以通过HIP处理制造合金锭(板坯)，按照现有方法对该合金锭进行轧制、热处理，得到Fe－Ni合金箔。

公开(公告)号：CN114502658B

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202080069299.X

申请日：2020-10-23

Applicant: 日铁化学材料株式会社

Inventor： 中岛祥人 ,  须藤芳树 ,  柿坂康太 ,  西山哲平 ,  出合博之 ,  田中睦人

IPC: C08L79/08 ,  C08L101/12 ,  C08K5/523 ,  C08K7/18 ,  C08K3/36 ,  C08G73/10 ,  C09J7/30 ,  C09J179/08 ,  C09J11/04 ,  C09J11/06 ,  C09J11/08 ,  B32B15/00 ,  B32B15/08 ,  B32B15/20 ,  B32B27/28 ,  B32B7/12 ,  H05K1/03

Abstract: 一种树脂组合物、树脂膜、层叠体、覆盖膜、带树脂的铜箔、覆金属层叠板及电路基板，所述树脂组合物含有：(A)含有自二胺成分衍生的结构单元的热塑性树脂，所述二胺成分含有相对于所有二胺成分而为40摩尔％以上的以二聚酸的两个末端羧酸基被取代为一级氨基甲基或氨基而成的二聚物二胺为主要成分的二聚物二胺组合物；及(B)选自芳香族缩合磷酸酯、二氧化硅粒子、或液晶性高分子填料中的一种以上。

公开(公告)号：CN119403857A

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202380048620.X

申请日：2023-06-12

Applicant: 日铁化学材料株式会社

Inventor： 宗正浩

IPC: C08G61/02 ,  B32B27/28 ,  C08F299/00 ,  C08J5/24

Abstract: 提供具有低相对介电常数和介电损耗角正切、同时具有高耐热性和粘接性的树脂材料。由下述通式(1)表示的多官能乙烯基树脂。#imgabs0#其中，R1表示碳原子数1～8的烃基，R2表示氢原子、由式(2)或式(3)表示的基团。X表示氢原子或由上述式(1a)表示的含有乙烯基的芳族基团。

公开(公告)号：CN111323951B

公开(公告)日：2025-01-21

申请号：CN201911259639.0

申请日：2019-12-10

Applicant: 日铁化学材料株式会社

Inventor： 小野悠树

IPC: G02F1/1333 ,  G02F1/1335 ,  G02B1/111

Abstract: 本发明提供一种具有光的反射得到了充分抑制的遮光膜的显示装置用基板及其制造方法、以及这些中使用的防反射层用树脂组合物溶液。所述显示装置用基板，包括透明基板以及遮光膜，所述遮光膜包括：配置于所述透明基板上，含有折射率为1.2～1.8的无机填料及透明树脂硬化物，且平均厚度为0.01μm～1μm的防反射层；以及配置于所述防反射层上，含有选自由有机黑色颜料、无机黑色颜料及混色伪黑色颜料所组成的群组中的至少一种遮光成分及树脂硬化物，且平均厚度为0.1μm～30μm的遮光层，并且所述防反射层与所述遮光层的界面处的所述防反射层的表面粗糙度为40nm～200nm。

公开(公告)号：CN119234478A

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202380040393.6

申请日：2023-05-23

Applicant: 日铁化学材料株式会社

Inventor： 井上栋智 ,  林健太郎

IPC: H10K30/60 ,  H01L27/146 ,  H10K30/30 ,  H10K30/86 ,  H10K39/32 ,  H10K85/60

Abstract: 提供一种达成摄像用光电转换元件的高感度、高分辨率化的光电转换元件用材料及摄像用光电转换元件。一种光电转换元件用材料，由通式(1)或通式(2)表示；另外，一种摄像用光电转换元件，在两片电极之间具有光电转换层及电子阻挡层，在该些层中的至少一个包含所述材料。环E独立地表示与邻接环在任意的位置进行缩合的由式(1a)表示的杂环。Ar1、Ar2、Ar5及Ar6分别独立地为碳数12～30的二芳基胺基、碳数12～30的芳基杂芳基胺基、碳数12～30的二杂芳基胺基、碳数6～30的芳香族烃基或碳数4～18的杂芳香族基，Ar1、Ar2、Ar5或Ar6中的至少一个为所述胺基或该胺基进一步进行缩环而成者。#imgabs0#

公开(公告)号：CN119156724A

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202380031683.4

申请日：2023-01-19

Applicant: 日铁化学材料株式会社

Inventor： 矢代笃士 ,  石川典明 ,  海野裕人 ,  萩原快朗 ,  中冢淳

IPC: H01M4/66 ,  C21D9/46

Abstract: 提供一种集电体用钢箔和使用该集电体用钢箔的全固态二次电池，所述集电体用钢箔在形成活性物质层后，在使活性物质结晶化程度的高温下进行热处理时，难以产生压曲或弯曲。本公开涉及的集电体用钢箔具备铁素体系不锈钢箔。本公开涉及的铁素体系不锈钢箔在利用CoKα射线的X射线衍射曲线中{110}面的峰的半高宽Fw为0.40～0.52°。