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公开(公告)号：CN106409642A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610608823.1
申请日：2016-07-28
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： M·恩格尔哈特
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/3211 , H01J37/3222 , H01J37/32284 , H01J37/32458 , H01L21/3065 , H01L21/67115 , H01J2237/334
Abstract: 本公开涉及等离子体系统及使用该系统进行处理的方法。其中等离子体系统包括等离子体室，其包括室壁，具有设置在室壁内的第一焦线和第二焦线。第一天线在第一焦线处设置在等离子体室内。室壁被配置为将来自第一天线的辐射聚焦到第二焦线上。
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公开(公告)号：CN104918400A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201510105386.7
申请日：2015-03-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32284 , H01J37/32082 , H01J37/32155 , H01J37/32174 , H01J37/32192 , H01J37/32256 , H01L21/67069 , H01L21/67248 , H01L21/6831 , H01R13/719 , H03H1/0007
Abstract: 本发明涉及等离子体处理装置，在利用分布常数线路的多重并联谐振特性截断从处理容器内的高频电极等电部件进入供电线路、信号线等线路上的高频的噪声时，不使对高频噪声的阻抗功能和耐电压特性降低，将谐振频率任意地移位来调整或优化，在滤波器单元中，在两空芯线圈(104(1)、104(2))的各绕组空隙插入梳齿部件(114)的梳齿(M)，例如，在线圈中央部的有效区间(A)内主要配置具有小于标准厚度(ms)的厚度(m-)的第一梳齿(M-)，在其两侧和两端部的非有效区间(B)内配置具有与标准厚度(ms)相等或比其大的厚度(m+)的第二梳齿(M+)。
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公开(公告)号：CN1196168C
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：CN98811674.X
申请日：1998-09-28
Applicant: 利乐拉瓦尔集团及财务有限公司
Inventor： J·劳伦特
CPC classification number: B29C49/42 , A61L2/14 , A61L2202/23 , B29C37/0025 , B29C49/06 , B29C49/12 , B29C49/22 , B29C2049/027 , B29C2049/129 , B29C2049/4294 , B29K2995/0067 , C23C16/045 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H01J37/32284
Abstract: 用于利用等离子增强法处理瓶子(1)的内表面的设备，包括一个真空室(2)、一个带有微波发生器(4)的微波密封室(3)、排气装置和供气装置(5)。微波密封室(3)基本为圆筒形，其形状尽可能与待处理瓶子(1)的至少主体部分的形状一致。微波从瓶子(1)的底部与微波密封室(3)耦合，并且微波密封室以横向磁场谐振方式激励。本发明的设备非常紧凑而且非常简便。它可以集成于拉伸吹塑设备或装填设备中，为了提高生产率，可将多个单瓶设备排成一行或者一个阵列并将所有单瓶设备与一个能量、真空和气体输送管线的网络相连。每个单瓶设备可具有其自身的真空室或者多个微波密封室(3)可位于一个共用真空室中。
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公开(公告)号：CN106661732A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201580027337.4
申请日：2015-06-10
Applicant: 六号元素技术有限公司
Inventor： J·R·布兰登 , I·福里尔 , M·A·库珀 , G·A·斯卡斯布鲁克 , B·L·格林
IPC: C23C16/511 , C23C16/513
CPC classification number: H01J37/32201 , C23C16/274 , C23C16/458 , C23C16/511 , C30B25/105 , C30B25/205 , C30B29/04 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01J37/32247 , H01J37/32284 , H01J37/32293 , H01J37/32302 , H01J37/3244 , H01J37/32715 , H01J2237/3321 , H01J2237/3323 , C23C16/513
Abstract: 一种用于通过化学气相沉积制造合成金刚石材料的微波等离子体反应器，该微波等离子体反应器包含：等离子体腔室，所述等离子体腔室限定用以支持具有主微波谐振模式频率f的主微波谐振模式的谐振腔；多个微波源，所述多个微波源耦合至等离子体腔室以生成具有总微波功率PT的微波并将其供入等离子体腔室中；气体流动系统，所述气体流动系统用于将工艺气体供入等离子体腔室以及将它们从那里去除；和基底支座，所述基底支座设置在等离子体腔室中并且包含用于支持基底的支持表面，在使用中合成金刚石材料有待沉积在所述基底上，其中配置所述多个微波源以便以主微波谐振模式频率f将总微波功率PT的至少30％耦合到等离子体腔室中，并且其中所述多个微波源中的至少一些是固态微波源。
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公开(公告)号：CN104918400B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201510105386.7
申请日：2015-03-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32284 , H01J37/32082 , H01J37/32155 , H01J37/32174 , H01J37/32192 , H01J37/32256 , H01L21/67069 , H01L21/67248 , H01L21/6831 , H01R13/719 , H03H1/0007
Abstract: 本发明涉及等离子体处理装置，在利用分布常数线路的多重并联谐振特性截断从处理容器内的高频电极等电部件进入供电线路、信号线等线路上的高频的噪声时，不使对高频噪声的阻抗功能和耐电压特性降低，将谐振频率任意地移位来调整或优化，在滤波器单元中，在两空芯线圈(104(1)、104(2))的各绕组空隙插入梳齿部件(114)的梳齿(M)，例如，在线圈中央部的有效区间(A)内主要配置具有小于标准厚度(ms)的厚度(m‑)的第一梳齿(M‑)，在其两侧和两端部的非有效区间(B)内配置具有与标准厚度(ms)相等或比其大的厚度(m+)的第二梳齿(M+)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103403837B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201180068064.X
申请日：2011-12-14
Applicant: 六号元素有限公司
Inventor： C·N·道奇 , P·N·英格利斯 , G·A·斯卡斯布鲁克 , T·P·莫拉特 , C·S·J·皮克尔斯 , S·E·科 , J·M·多德森 , A·L·卡伦 , J·R·布莱顿 , C·J·H·沃特
CPC classification number: C23C16/274 , C01B32/25 , C23C16/4586 , C23C16/511 , C23C16/52 , C23C16/56 , C30B25/105 , C30B29/04 , H01J37/32192 , H01J37/32284 , Y10T428/12993
Abstract: 一种用于通过化学汽相沉积制造合成金刚石材料的微波等离子体反应器，所述微波等离子体反应器包括：微波发生器，所述微波发生器构造成以频率f产生微波；等离子体室，所述等离子体室包括基部、顶板和侧壁，所述侧壁从所述基部延伸至所述顶板，从而限定了位于基部和顶板之间用于支持微波共振模式的共振腔；微波耦合构造，所述微波耦合构造成从微波发生器将微波供应至所述等离子体室；气体流动系统，所述气体流动系统用于将处理气体供应至所述等离子体室以及从所述等离子体室移除所述处理气体；基底保持件，所述基底保持件布置在所述等离子体室中并且包括用于支撑基底的支撑表面；和基底，所述基底布置在所述支撑表面上，所述基底具有生长表面，在使用中，所述合成金刚石材料将沉积在所述生长表面上，其中，基底尺寸和在所述共振腔内的位置选择为在使用中横跨所述生长表面产生局部轴对称的EZ电场分布，所述局部轴对称的EZ电场分布包括由更高的电场环所界定的大体平坦的中央部分，所述大体平坦的中央部分在所述基底的所述生长表面的面积的至少60%上延伸并且具有不超过所述中央EZ电场强度的±10%的EZ电场变化，所述更高的电场环布置在所述中央部分周围并且具有比中央EZ电场强度高10%至50%的峰值EZ电场强度。
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公开(公告)号：CN103339707B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201180066333.9
申请日：2011-12-14
Applicant: 六号元素有限公司
IPC: H01J37/32 , C23C16/511
CPC classification number: H01J37/32458 , C23C16/274 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H01J37/32284
Abstract: 用于通过化学气相沉积制造合成金刚石材料的微波等离子体反应器，所述微波等离子体反应器包括：微波发生器，所述微波发生器配置为产生频率为f的微波；等离子体腔，所述等离子体腔包括基部、顶板、和从所述基部延伸到所述顶板的侧壁，从而限定用于支持微波谐振模式的谐振腔，其中，所述谐振腔具有从所述基部延伸到所述顶板的中央对称旋转轴，并且其中，所述顶板横过所述中央对称旋转轴安装；微波耦合结构，所述微波耦合结构用于将微波从所述微波发生器进给到所述等离子体腔内；气体流动系统，所述气体流动系统用于将工艺气体进给到所述等离子体腔内和将所述工艺气体从所述等离子体腔中移除；以及基底保持器，所述基底保持器设置在所述等离子体腔中并且包括用于支承基底的支承表面，在使用时所述合成金刚石材料沉积在所述支承表面上；其中，所述谐振腔配置为具有从所述等离子体腔的所述基部到所述顶板测量的高度，所述高度支持在所述频率f下在所述基部与所述顶板之间的TM011谐振模式；以及其中，所述谐振腔还配置为具有在比从所述基部测量的所述谐振腔的所述高度的50%小的高度处测量的直径，所述直径满足所述谐振腔高度/所述谐振腔直径的比率范围为从0.3至1.0的条件。
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公开(公告)号：CN103339707A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201180066333.9
申请日：2011-12-14
Applicant: 六号元素有限公司
IPC: H01J37/32 , C23C16/511
CPC classification number: H01J37/32458 , C23C16/274 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H01J37/32284
Abstract: 用于通过化学气相沉积制造合成金刚石材料的微波等离子体反应器，所述微波等离子体反应器包括：微波发生器，所述微波发生器配置为产生频率为f的微波；等离子体腔，所述等离子体腔包括基部、顶板、和从所述基部延伸到所述顶板的侧壁，从而限定用于支持微波谐振模式的谐振腔，其中，所述谐振腔具有从所述基部延伸到所述顶板的中央对称旋转轴，并且其中，所述顶板横过所述中央对称旋转轴安装；微波耦合结构，所述微波耦合结构用于将微波从所述微波发生器进给到所述等离子体腔内；气体流动系统，所述气体流动系统用于将工艺气体进给到所述等离子体腔内和将所述工艺气体从所述等离子体腔中移除；以及基底保持器，所述基底保持器设置在所述等离子体腔中并且包括用于支承基底的支承表面，在使用时所述合成金刚石材料沉积在所述支承表面上；其中，所述谐振腔配置为具有从所述等离子体腔的所述基部到所述顶板测量的高度，所述高度支持在所述频率f下在所述基部与所述顶板之间的TM011谐振模式；以及其中，所述谐振腔还配置为具有在比从所述基部测量的所述谐振腔的所述高度的50%小的高度处测量的直径，所述直径满足所述谐振腔高度/所述谐振腔直径的比率范围为从0.3至1.0的条件。
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公开(公告)号：CN100447297C
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200480010016.5
申请日：2004-04-12
Applicant: 东洋制罐株式会社
IPC: C23C16/511 , B01J19/08 , B65D23/02 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32284 , C23C16/045 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H05B6/80
Abstract: 本发明提供一种能够在处理对象的表面形成均匀的薄膜层，而且能够在短时间内进行处理的微波等离子体处理方法。所述方法是通过将微波引入等离子体处理室(1)，使处理用的气体等离子体化，在配置于所述等离子体处理室(1)内的具有瓶子形状、容器形状或管状形状的基体(13)上形成薄膜层的微波等离子体处理方法，该方法将所述具有瓶子形状、容器形状或管状形状的基体(13)固定于与所述等离子体处理室(1)的中心轴相同的轴上，所述等离子体处理室内的微波的驻波模式在从所述具有瓶子形状、容器形状或管状形状的基体的开口部(131)到主体部(133)为止采用TE模式或TEM模式，所述具有瓶子形状、容器形状或管状形状的基体的底部(132)采用TE模式与TM模式共存的模式。
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公开(公告)号：CN106803475A
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201510837495.8
申请日：2015-11-26
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32284
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，涉及半导体技术领域。该等离子体处理装置包括：处理腔室；静电卡盘，其设置在所述处理腔室中，用于承载被处理体；微波产生装置，其用于产生微波，并通过引导管将所述微波向处理腔室进行引导；平面天线，其由导体构成，且具有多个向所述处理腔室放射所述引导管引导的微波的狭缝；介电板，其由电介质构成，且构成所述处理腔室的顶壁，用于使通过所述平面天线的狭缝的微波透过；下电极板，其上施加有直流偏压，用于调整所述表面波等离子体的能量大小。本发明的等离子体处理装置在具有等离子体密度高、电子温度低，可以实现精确处理或者实现等离子体刻蚀中的高选择性。
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