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公开(公告)号：CN119567088B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510132811.5
申请日：2025-02-06
Applicant: 山西华耀亿嘉集成电路有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体芯片封装磨片技术领域，具体为一种半导体芯片减薄研磨设备及研磨工序，包括摆动机构、台座一、稳定架、研磨机构和研磨台，摆动机构包括电机一、转盘一和摆动架，电机一固定安装在台座一的上表面，转盘一固定连接在电机一的输出端，转盘一的上表面转动有转杆，转杆偏心设置，摆动架的一端与转杆的上端固定连接，研磨机构安装在摆动架的另一端，稳定架包括稳定杆和两个支架，两个支架分别设置在摆动架的左右侧，稳定杆沿水平前后方向滑动在两个支架之间，摆动架与稳定杆沿水平左右方向滑动连接，研磨台中设有用来夹持基板的多向夹持机构。解决了在采用目前的研磨设备对芯片进行减薄研磨的过程中，芯片可能会受到损伤的问题。
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公开(公告)号：CN119910566A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510407524.0
申请日：2025-04-01
Applicant: 浙江求是半导体设备有限公司 , 浙江晶盛机电股份有限公司 , 浙江晶瑞电子材料有限公司
IPC: B24B37/005 , B24B37/00 , B24B37/34 , B24B49/04
Abstract: 本申请提供一种研磨盘倾角自调节方法、装置和晶圆减薄设备，涉及晶圆加工制造领域。该方法包括：获取影响待减薄晶圆减薄效果的第一变量和第二变量；将第一变量和第二变量输入预先训练的面形预测模型，得到待减薄晶圆的预测面形，预测面形至少包括待减薄晶圆经晶圆减薄设备减薄加工后的厚度变化；若待减薄晶圆的预测面形与设定的目标面形不一致，将待减薄晶圆的预测面形和目标面形输入倾角调节模型，得到研磨盘的目标倾角；将研磨盘的倾角由初始倾角调节至目标倾角，且由调整至目标倾角的晶圆减薄设备执行待减薄晶圆的减薄加工。该方法能够实现对研磨盘倾角的精确自动调节，提高晶圆减薄加工的精度和质量。
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公开(公告)号：CN119897803A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202311403108.0
申请日：2023-10-26
Applicant: 东莞新科技术研究开发有限公司
Inventor： 戴勇
Abstract: 本发明公开了一种半导体研磨过程中的降温方法，包括：在半导体的研磨过程中，在所述半导体的表面施加电场，以产生电浆形成区域；通过气体注入器引入氮气，以在所述电浆形成区域中形成氮化物层；通过所述半导体的表面的热传导作用，将所述氮化物层中的热量传输至所述半导体的基片。采用本发明的技术方案能够在研磨过程中更加有效地控制半导体的表面温度，从而降低半导体研磨过程中的表面温度。
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公开(公告)号：CN115592557B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202211350571.9
申请日：2022-10-31
Applicant: 湖南凯通电子有限公司
Abstract: 本发明涉及陶瓷基板预处理技术领域，具体涉及陶瓷基板的预处理设备及其工作方法，包括研磨底座、研磨机构、扇形上下料平台、取料驱动机构和喷淋机构，研磨底座上通过多个支撑架固定安装有上扇形研磨箱和下扇形研磨箱，研磨机构包括两组研磨组件，两组研磨组件分别设置在上扇形研磨箱和下扇形研磨箱上，本发明，在对陶瓷基板进行预处理时，不仅便于对陶瓷基板的上下表面进行同时研磨抛光处理的同时，可很好的控制陶瓷基板上下表面的平行度，同时可对陶瓷基板上下表面的平行度进行一定的检测，且在对陶瓷基板进行预处理时，无需一批一批的加工处理，可对陶瓷基板进行持续上料的处理，大大提高了陶瓷基板的预处理加工效率和处理质量。
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公开(公告)号：CN119871215A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510226598.4
申请日：2025-02-27
Applicant: 宁波润平电子材料有限公司
IPC: B24B37/30 , B24B37/005 , B24B49/00 , B24B37/34
Abstract: 本发明提供了一种用于化学机械研磨的吸附膜，所述吸附膜为凹型圆结构；所述凹型圆结构包括底板和侧壁；所述侧壁的顶端固定设置有横板；所述横板靠近凹型圆结构中心线的一端设置有筋位。本发明通过对所述吸附膜的设计，使用该吸附膜用于200mm晶圆研磨时可以实现良好的加载和卸载效果，对晶圆有良好的固持效果，进一步增加了吸附膜对晶圆的压力传导，进而保证化学机械研磨具有良好的研磨效果，使得研磨后晶圆具有优异的厚度均一性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119871209A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510303553.2
申请日：2025-03-14
Applicant: 沈阳科晶自动化设备有限公司
IPC: B24B37/10 , B24B49/00 , B24B49/12 , B24B37/005 , B24B37/015 , B24B37/34 , B24B55/06 , B24B37/30 , G01N1/28
Abstract: 本发明公开了一种全自动压力研磨抛光设备及其全自动控制方法，包括机架，机架外侧设置有输送装置，用于镶嵌样品的上下料，机架内设置有压力磨抛头，用于搬运并对载样盘施加压力进行研磨，机架内设置有研磨清洗装置，用于对载样盘内样品进行清洗和研磨，本发明提供的一种全自动压力研磨抛光设备及其全自动控制系统，通过设置识别模块对样品硬度、相邻硬度差、塑性、热导率及材质成分等关键参数进行自动识别，并结合数据处理模块根据识别结果计算研磨压力、转速、时间、次数、磨料更换及清洗频次，形成最优研磨计划，解决了多材料镶嵌样品复杂工况下人工操作过程麻烦、精准度差的问题。
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公开(公告)号：CN119871207A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510229204.0
申请日：2025-02-28
Applicant: 大庆高新区聚瑞祥科技开发有限公司
Inventor： 王中聚
Abstract: 一种研磨机，涉及研磨机技术领域。平台上设有防护筒，防护筒上部固定连接顶盖，顶盖底部固定连接驱动主机，驱动主机下部夹持固定连接研磨盘，平台在研磨盘下部位置设有夹持机构，顶盖下面设有均布的喷淋头。本发明的有益效果是：在研磨片上设置冷却盘，冷却盘内通过空腔、毛细物、工作液和负压环境形成一个热管系统，将研磨片产生的热量快速传递到冷却盘的上部，冷却盘的热量被切削液随时带走，极大的提高了研磨片的散热效率，设置过流孔A和过流孔B，可在研磨片所有面积范围进行散热，电动推杆A和电动推杆B设置成无序伸缩，电动推杆A推动伸缩的同时，无序进行摆动，推动工件在平台上无序移动，提高研磨效果。
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公开(公告)号：CN119871198A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202411976487.7
申请日：2024-12-30
Applicant: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
Inventor： 张文军
Abstract: 本发明涉及一种用于提高硅片平坦度稳定性的调整反馈方法，所属硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：抛光前通过设备对硅片进行测量，筛选出不符合要求硅片同时对厚度进行排序，接着采用双面抛光方式。第二步：抛光过程中需要对包括抛光液温度、抛光液Ph、抛光液流量、去除速率和定盘冷却温度的轻微波动进行控制。第三步：进行测量反馈调整，对平坦度水平波动和硅片厚度形貌进行监控调整。第四步：当硅片加工完进行平坦度测量时，设备通过设定目标值进行调整。第五步：通过软件分析，对测量硅片进行厚度形貌监控，确保加工出来硅片厚度形貌一致。具有操作便捷和运行稳定性好的特点。解决了加工中平坦度波动稳定性差的问题。
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公开(公告)号：CN119858111A
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202510151417.6
申请日：2025-02-11
Applicant: 重庆红江机械有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种弹片夹爪式多工件研磨夹具及其使用方法，所述弹片夹爪式多工件研磨夹具包括支撑装置以及弹片夹持装置，所述弹片夹持装置以能够分离的方式设置在所述支撑装置上；所述支撑装置上间隔设置有多个大端安装孔；所述弹片夹持装置包括夹具体以及与所述夹具体连接的弹片夹持组件，所述夹具体对应各个所述大端安装孔的位置分别设置有小端安装孔，各个所述小端安装孔的朝向所述弹片夹持组件的一侧设置有开口部，所述弹片夹持组件能够从所述开口部伸入所述小端安装孔或者能够从所述开口部退出所述小端安装孔。本发明的装夹效率高且能够批量研磨，有利于提高产量，以实现满足市场及用户的快速产出工件的需求。
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公开(公告)号：CN119852209A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202411976834.6
申请日：2024-12-31
Applicant: 华海清科(北京)科技有限公司
Abstract: 本发明提出了晶圆清洗装置、系统、方法和化学机械抛光设备。所述晶圆清洗装置包括：晶圆输送定位装置和晶圆旋转定位装置，晶圆输送定位装置的顶部高于晶圆旋转定位装置，晶圆输送定位装置和晶圆旋转定位装置集成为定位清洗单元；主轴旋转组件，主轴旋转组件连接在定位清洗单元的下方，用于驱动定位清洗单元旋转；以及升降组件，升降组件连接主轴旋转组件的下方，用于带动主轴旋转组件和定位清洗单元升降，利用主轴旋转组件升降的不同高度实现晶圆的输送定位和旋转定位。本发明的晶圆清洗装置集成了晶圆定位清洗单元和主轴旋转组件，具备晶圆输送定位和清洗功能，提升了晶圆清洗设备的空间利用率。
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