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公开(公告)号：CN119931631A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510040127.4
申请日：2025-01-10
Applicant: 杭州海康威视数字技术股份有限公司 , 华中科技大学
Abstract: 本发明涉及一种金掺杂碲化汞胶体量子点的合成方法及红外光探测器，金掺杂碲化汞胶体量子点的合成方法包括以下步骤：制备汞前驱体溶液和碲前驱体溶液；向所述汞前驱体溶液注入所述碲前驱体溶液，配制成碲化汞量子点溶液；在所述碲化汞量子点溶液中加入氯金酸溶液，从而得到所述金掺杂碲化汞胶体量子点。本发明合成方法通过后处理的溶液法合成了金掺杂碲化汞胶体量子点，大大简化了碲化汞胶体量子点合成门槛，使其更可控、更快捷、更廉价。
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公开(公告)号：CN119911882A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202411234792.9
申请日：2024-09-04
Applicant: 广西大学
Abstract: 本发明公开了一种金属碲化物纳米棒的低温制备方法，其将碲源、表面活性剂、氢氧化钠依次溶解在超纯水中得到溶液A，接着在20～70℃下快速加入水合肼进行反应得到含有纳米级碲棒的溶液B；取金属盐化合物溶于超纯水中得到溶液C；向溶液C中加入抗坏血酸溶液混合均匀得到溶液D，将溶液D加入至溶液B中并且置于室温下反应，然后离心得到沉淀，取沉淀用蒸馏水洗涤后干燥得到纳米级棒状金属碲化物。本发明能够在低温度下进行大规模高结晶度碲纳米材料的合成，同时合成步骤简单且无需使用任何特殊的添加剂及催化剂，所述制备方法具有良好的尺寸可控性和形貌均一性，且操作安全性高、步骤简单、环境友好。
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公开(公告)号：CN119797289A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411950930.3
申请日：2024-12-27
Applicant: 中翰盛泰生物技术股份有限公司
IPC: C01B19/00 , C01B19/04 , C01G9/08 , C01G11/00 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , C09K11/02 , C09K11/56 , C09K11/88 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供了一种适用于量子点荧光微球应用的量子点提纯方法，包括以下步骤：(1)混合极性溶剂和量子点反应原液，得到量子点沉淀；(2)混合非极性溶剂与量子点沉淀，得到第一量子点溶液；(3)混合表面配体与步骤(2)得到的第一量子点溶液；(4)混合极性溶剂与步骤(3)所得到的量子点混合液，离心，固液分离后得到量子点沉淀；(5)重复步骤(2)‑(4)若干次；(6)混合非极性溶剂与步骤(5)得到的量子点沉淀，得到第二量子点溶液。本发明可以同时达到量子点提纯及量子点表面配体交换。
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公开(公告)号：CN119612456A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411620018.1
申请日：2024-11-13
Applicant: 昆明物理研究所
Abstract: 本发明涉及一种胶体量子点制造技术领域，具体为一种基于ODT辅助合成制备HgTe量子点的方法，取油胺加入单口瓶中，再向瓶中依次加入HgCl2以及ODT，然后加入TOP‑Te溶液，最后再溶液中注入四氯乙烯、三巯基丙酸和异丙醇，离心得到沉淀物并分散在正辛烷中，得到HgTe量子点溶液。本方法采用ODT辅助合成，HgTe CQDs单分散性、激子吸收特性优异；通过合成的HgTe量子点制备的HgTe量子点薄膜平整均匀、粗糙度低。
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公开(公告)号：CN116253297B
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202211724803.2
申请日：2022-12-30
Applicant: 深圳大学
IPC: C01B19/04 , H10N10/852 , H10N10/01 , C23C14/58 , C23C14/35
Abstract: 本申请涉及热电薄膜的制备领域，提供一种用硒氛围化合制备热电薄膜的方法及热电薄膜，以解决现有硒化物的制备通常采用共蒸发法、化学法等方法制备，其工艺复杂、对于材料成分的稳定不能保证以及硒元素在高温下容易蒸发造成硒元素的偏失等问题。所述方法包括：采用靶材在衬底上制备前驱膜，以使所述前驱膜沉积在所述衬底上；夹持并封合所述衬底和所述前驱膜的周缘，并将夹持并封合后的所述衬底和所述前驱膜放置在反应炉内，其中，所述前驱膜的端面朝上；将硒粉末加入到所述反应炉内；封闭并加热所述反应炉，以使所述前驱膜与所述硒粉末进行硒化反应。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119553359A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411772595.2
申请日：2024-12-04
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明涉及一种一维碲化银纳米线的制备方法，属于表面合成技术领域。本发明利用高覆盖度的碲粉末在银衬底表面产生应力的策略，通过分子束外延技术精确控制碲粉末在银衬底表面的沉积量，将上述样品升温到生长温度后保温一定时间，接着将所述样品冷却至室温，得到一维碲化银纳米线。
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公开(公告)号：CN119490163A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202411484289.9
申请日：2024-10-23
Applicant: 江西铜业技术研究院有限公司
IPC: C01B19/04 , H10N10/852 , H10N10/01
Abstract: 本公开提供了一种碲化铋基粉末及其制备方法，属于热电材料技术领域。在本公开碲化铋基粉末的制备方法中，将原料和溶剂混合后，先用pH调节剂制备得到pH为10‑13的第二溶液，再加入螯合剂，形成第三溶液，并将第三溶液进行高能球磨，能够制备得到科恩系数高的碲化铋基粉末，将该碲化铋基粉末制备碲化铋基热电材料，能够提高碲化铋基热电材料的压缩强度、电导率和塞贝克系数。
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公开(公告)号：CN119430092A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411588826.4
申请日：2024-11-08
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B19/04 , H01M4/58 , H01M10/052 , H01M10/0562 , H01M10/058
Abstract: 本发明提供了一种多硫化硒复合正极材料及其制备的全固态锂电池，所述多硫化硒复合正极材料的制备方法包括：将所述多硫化硒材料、导电碳、硫化物固态电解质和粘合剂进行混合，得到所述多硫化硒复合正极材料。
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公开(公告)号：CN116354318B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202310277363.9
申请日：2023-03-17
Applicant: 广东晶智光电科技有限公司
IPC: C01B19/04
Abstract: 一种碲化镉合成方法包括步骤：S1，将碲粉和镉粉摩尔比1:1混合，混合的碲粉和镉粉作为物料；S2，将物料平铺装入水平放置的反应舟内，再将反应舟放进水平放置的石英管内；S3，将石英管抽真空并封管；S4，将封管后的石英管水平固定并使固定的封管后的石英管与加热区同心同轴；S5，加热机构的加热器加热，将加热区加热到480‑550℃后保温45‑90min；S6，加热机构以3‑12mm/min的速率朝向石英管水平移动，石英管逐渐进入加热区；S7，待石英管完全进入加热区后，加热机构停止水平移动并继续保温45‑90min；S8，加热器将加热区加热到1130‑1150℃保温100‑150min；S9，加热器将加热区降温退火至室温；S10，取出并破碎石英管，取出反应舟中合成的碲化镉多晶锭，称重并真空保存。由此，提高产品收率。
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公开(公告)号：CN119018859B
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411507696.7
申请日：2024-10-28
Applicant: 深圳大学
Abstract: 本发明涉及一种非晶碲化锗纳米颗粒的制备方法，所述非晶碲化锗纳米颗粒的制备方法的步骤包括：将卤化锗与酰胺盐及辛酸钠以摩尔比1:（0‑20）:（0‑10）混合，溶解在三正辛基膦及壬酸混合溶液中，以得到锗前驱体，将碲单质与三正辛基膦溶液混合，得到碲前驱体，然后对反应体系进行抽真空处理，除掉氧气和水分，并在60‑110℃的温度范围内加热，对所述反应体系中通入惰性气体，在250‑280℃的温度范围内，在所述反应体系中，将所述碲前驱体注入到所述锗前驱体中反应0.5‑60分钟，然后迅速冷却以得到非晶碲化锗纳米颗粒。
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