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公开(公告)号：CN118899437A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202411116203.7
申请日：2024-08-14
Applicant: 深圳信息职业技术学院
IPC: H01M4/58 , C01G17/00 , H01M10/0525
Abstract: 本申请提供了一种锗酸镉微米棒及制备方法，化学式为Cd₂Ge₂O₆，该材料表现出以下电化学性能：首圈放电比容量：2100 mAh g⁻¹至2200 mAh g⁻¹；循环稳定性：在150次充放电循环后，稳定在700 mAh g⁻¹至750 mAh g⁻¹之间；倍率性能：在2000 mA g⁻¹的高电流密度下，充放电比容量200 mAh g⁻¹至230 mAh g⁻¹，并在电流密度恢复到100 mA g⁻¹时，充放电比容量能够维持在600 mAh g⁻¹至650 mAh g⁻¹；电荷转移电阻（Rct）：低于110Ω；锂离子扩散系数：具体表现为Warburg系数（Aw）低于160Ω·s⁻¹/₂。通过一步水热法制备了具有纺锤体形貌的锗酸镉（Cd₂Ge₂O₆）微米棒，该方法中所使用的原材料成本低，方法操作简单，反应条件较为温和，产物的纯度高、结晶性好、形貌均一，其晶胞参数与标准图谱PDF#43‑0468一致。
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公开(公告)号：CN118771972A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410825287.5
申请日：2024-06-25
Applicant: 泸溪蓝天高科有限责任公司
IPC: C07C51/02 , C07C51/42 , C07C51/48 , C07C51/487 , C07C59/255 , C01G17/00
Abstract: 本发明公开了一种从含酒石酸钠废液中回收酒石酸的方法，用N235萃取酒石酸锗，Na0H溶液反萃酒石酸锗，中和水解获得锗精矿沉淀和含酒石酸钠的废液。用HCL或H2S04调节含酒石酸钠废液PH＝1～3，再添加碳酸氢铵或氯化铵或硫酸铵等铵盐。在常温至50℃条件下，边搅拌边加入硫酸或盐酸保持溶液的PH＝1～3，反应0.5～1小时获得酒石酸氢铵白色沉淀。过滤酒石酸氢铵，置于100～150℃下进行热分解，用稀硫酸或稀盐酸溶液吸收洗涤热分解废气，获得无水内消旋酒石酸产品和回收硫酸铵或氯化铵吸收液返回用于沉淀酒石酸氢铵。本发明降低了萃取成本，促进了N235从含锗酸性液中萃取锗、生产锗精矿的技术工艺的推广、应用。
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公开(公告)号：CN118696008A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202280091825.1
申请日：2022-12-26
Applicant: 国立大学法人东海国立大学机构 , 株式会社村田制作所
Abstract: 半导体纳米粒子由Ag‑Ge‑S系化合物半导体形成。而且，Ag成分与Ge成分的含有比换算成摩尔比率为1.0以上且小于7.5，优选为1.8以上且小于7.3，平均粒径为9nm以下，粒径的最大值与最小值的差被抑制为3nm以下。该半导体纳米粒子在700～1000nm的近红外区发光。半导体纳米粒子在150℃以上且小于250℃、优选为220℃以下的反应温度下合成。可以将上述化合物半导体作为核粒子，在核粒子的表面形成被覆层。发光体含有该半导体纳米粒子。由此实现安全且容易处理并且能够在近红外区发光的半导体纳米粒子、该半导体纳米粒子的制造方法以及能够应用于消费品、医疗、保健用药品等各种领域的发光体。
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公开(公告)号：CN118440696A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410409245.3
申请日：2024-04-07
Applicant: 重庆移通学院
Abstract: 本发明请求保护一种基于CaGe1‑xO3:xBi3+的高灵敏度温度传感发光材料、制备方法，及其作为温度传感材料应用。属于发光材料领域，本发明涉及到的化学式为CaGe1‑xO3:xBi3+，其中x为Bi3+掺杂比例，0.001≤x≤0.02。本发明发光材料化学性能稳定，在288nm激发下具有两个发射峰，均为Bi3+的特征发射。由于其发射强度与温度的依赖关系，可用作温度测量。因为Bi3+对周围晶体场强环境的敏感性，获得了较高的温度灵敏度。本发明提供的制备方法为操作简单、成本低廉的常规高温固相法。
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公开(公告)号：CN117363355B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202311261993.3
申请日：2023-09-27
Applicant: 广东省科学院资源利用与稀土开发研究所
Abstract: 本发明公开了一种钙铕镓锗石榴石基深红光荧光粉及其制备方法。一种钙铕镓锗石榴石基深红光荧光粉，其化学组成为：Ca2Eu1‑xRExGa3Ge2O12，x为惰性稀土的掺杂浓度，其中：RE选自Y、La、Gd中的任一种，0≤x
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108976255B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN201810546263.0
申请日：2018-05-31
Applicant: 赢创运营有限公司
IPC: C07F7/30 , C07F9/54 , C07C211/63 , C07C211/00 , C01G17/00
Abstract: 本发明涉及新型卤代锗化物及其制备方法。具体地，本发明涉及通式I的三氯锗化物(I)[R4N]/[R4P]Cl[GeCl3]，其中R=Me、Et、iPr、nBu、Ph。
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公开(公告)号：CN117363355A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311261993.3
申请日：2023-09-27
Applicant: 广东省科学院资源利用与稀土开发研究所
Abstract: 本发明公开了一种钙铕镓锗石榴石基深红光荧光粉及其制备方法。一种钙铕镓锗石榴石基深红光荧光粉，其化学组成为：Ca2Eu1‑xRExGa3Ge2O12，x为惰性稀土的掺杂浓度，其中：RE选自Y、La、Gd中的任一种，0≤x
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公开(公告)号：CN115198364B
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202110382308.7
申请日：2021-04-09
Applicant: 中国科学院理化技术研究所
Abstract: 本发明公开一种氟锗酸钪铷锂化合物和氟锗酸钪铷锂非线性光学晶体。氟锗酸钪铷锂非线性光学晶体具有非中心对称结构，属于三方晶系，可采用助熔剂法或水热法制备出高质量、大尺寸的晶体。该晶体具有大的非线性光学效应，约为KDP晶体的2～3倍；同时该晶体具有对称性高、透光范围宽，物化性能稳定，机械性能好，不易碎和潮解，易于切割、抛光加工和保存等优点，在制备激光非线性光学复合功能器件和制备压电器件方面具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN114836211B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202210513890.0
申请日：2022-05-11
Applicant: 合肥工业大学 , 安徽萍聚德医疗科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种Cu离子掺杂镓锗酸盐基绿色长余辉材料及其制备方法，该长余辉材料的化学式通式为：Sr1‑xCuxGa2Ge2O8，x＝0.01～0.05。该发光材料经紫外至可见光激发可获得450～800nm的宽带绿光发射，发射峰位于536nm附近，可作为荧光灯用于照明、LEDs器件及信息显示等领域；本发明Cu离子掺杂镓锗酸盐基绿色长余辉发光材料经过紫外至可见光激发后，其具有很好的长余辉性能，长余辉衰减可达41分钟，可用于信息防伪、信息存储等领域；本发明合成的发光材料经过紫外至可见光激发后，发射光谱归一化相对强度(I)随温度(T)呈函数I＝114.32e‑0.016T变化，可应用于发光测温等领域。本发明材料还具有发光效率高、发光波段宽、余辉时间可调、制备方法简单、无污染、成本低廉等优点。
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公开(公告)号：CN115784313A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211497142.4
申请日：2022-11-23
Applicant: 北京化工大学
IPC: C01G45/12 , C01G51/00 , C01G53/00 , C01F7/043 , C01G23/00 , C01G25/00 , C01G49/00 , C01G37/14 , C01G39/00 , C01G41/00 , C01G99/00 , C01G47/00 , C01G17/00 , C01G55/00 , H01M4/36 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M50/247 , H01M50/249
Abstract: 一种富锂锰基层状正极材料的原位表面改性方法，涉及锂离子电池技术领域。其电化学化成手段包括：(1)选用阴离子容量激活的近平衡电位作为预充放电激活表面相的截止电压；(2)通过加热、提高激活循环周数、优化正极形貌等手段，提高近平衡电位下的反应动力学，加快表面保护层的激发以及阴离子容量的激活。原位本征激发的表面包覆相为2～10nm致密保护层，其主要组成为岩盐相。可将此方法应用于富锂锰基层状正极活性颗粒的表面保护，应用于正极极片，并应用于二次锂离子电池和二次锂电池。该方法可以使电池具有较高的容量和容量保持率，适用于电动汽车和便携电子设备。
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