公开(公告)号：CN116216787B

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202310231419.7

申请日：2023-03-07

Applicant: 南京工业大学

Inventor： 李盛 ,  冷辉涛

IPC: H01M4/505 ,  C01G51/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01M4/50 ,  H01M4/52 ,  H01M10/0525

Abstract: 本发明公开了一种应用于锂离子电池负极的高熵氧化物材料的简便制备方法及应用，属于能源存储领域。利用湿法球磨和高温烧结的简单的工艺流程，通过简单的球磨形成用于锂离子电池负极的高熵氧化物材料前驱体，再通过烧结得到所需的高熵氧化物材料(Mn0.2Fe0.2Co0.2Cr0.1Zn0.2)3O4。本发明所用的制备方法简便，产率高，适合大规模生产，制备出的高熵氧化物材料粒径均匀细小，尺寸大约在100～200nm，借助于高熵材料其本身的特性，显示出优异的电化学性能。

公开(公告)号：CN119715702A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202411880724.X

申请日：2024-12-19

Applicant: 贵州民族大学

Inventor： 陈铖 ,  陈家荣 ,  王一博

IPC: G01N27/12 ,  C01G51/00 ,  C01G19/00

Abstract: 一种高性能异丙醇锡酸锌传感器的制备方法，属于半导体材料制备技术领域。本发明要解决现有锡酸锌气体传感器对于异丙醇的检测存在灵敏度不足、响应恢复时间长和稳定性差的问题。方法：一、将硝酸钴与2‑甲基咪唑加入到甲醇中搅拌溶解；二、静置、离心、抽滤及干燥；三、烧结得到四氧化三钴；四、制备锡酸锌前驱体混合溶液；五、水热反应；六、烧结得到四氧化三钴异质结锡酸锌；七、将四氧化三钴异质结锡酸锌及四氯金酸加入到去离子水中搅拌溶解，再加入柠檬酸钠搅拌溶解；八、烧结得到金掺杂的四氧化三钴异质结锡酸锌；九、制备传感器。本发明用于高性能异丙醇锡酸锌传感器的制备。

公开(公告)号：CN116553624B

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202310475196.9

申请日：2023-04-27

Applicant: 中色(宁夏)东方集团有限公司

Inventor： 杨永生 ,  王玉娜 ,  刘飞 ,  米玺学 ,  李鹏 ,  郭淑珍 ,  孙磊 ,  王耀玺 ,  李志林

IPC: H01M4/36 ,  C01G51/04 ,  C01G51/00 ,  C01B25/45 ,  C01G39/02 ,  C01G15/00 ,  H01M4/525 ,  H01M4/58 ,  H01M4/62 ,  H01M10/0525

Abstract: 一种高导电性钴酸锂前驱体包括本体、内包覆层、外包覆层，所述本体的成分包括四氧化三钴，内包覆层的成分包括磷酸钴锂，外包覆层的成分包括氧化钼、氧化铟以及四氧化三钴。本发明的钴酸锂前驱体具有两层包覆层，其中内包覆层为橄榄石结构的磷酸钴锂，在高压情况下能够抑制钴酸锂的晶型转变，从而提高高压情况下钴酸锂的稳定性；外包覆层为掺杂包覆层，烧结后的钴酸锂正极材料，含有氧化钼和氧化铟以及钴酸锂，氧化钼和氧化铟能够为钴酸锂提供导电通道，从而明显提升钴酸锂正极材料的导电性。同时，本体与内包覆层之间、内层与外包覆层之间会形成交互界面，即向内延伸层和向外延伸层，更不容易发生剥离脱落的现象。

公开(公告)号：CN119587581A

公开(公告)日：2025-03-11

申请号：CN202411853700.5

申请日：2024-12-16

Applicant: 青岛大学附属医院

Inventor： 张永涛 ,  乔圣林 ,  张寒 ,  党子显 ,  马柯

IPC: A61K33/34 ,  C01G51/00 ,  A61K33/24 ,  A61P31/04

Abstract: 本发明属于医药技术领域，具体涉及一种光催化级联增强过氧化物酶反应的纳米酶及其制备方法、用途。该纳米酶为掺铜的纳米酶CuCo(OH)2，其中，CuCo(OH)2中Cu的掺杂量为3‑5%。该纳米酶通过简便的一步水热法合成。本发明通过掺铜的Co(OH)2构建光催化级联增强过氧化物酶（POD）反应纳米酶，光增强的POD样酶活性使CuCo(OH)2具有高效的反应性氧种（ROS）生成和优异的抗菌性能，其卓越的体内抗菌活性和生物相容性，表明其在耐药菌感染治疗中的潜力，可用于治疗耐药菌感染。

公开(公告)号：CN119481031A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202411899523.4

申请日：2024-12-20

Applicant: 北京当升材料科技股份有限公司

Inventor： 袁金沙 ,  李晶晶 ,  朱呈祥 ,  宋顺林 ,  刘亚飞 ,  陈彦彬

IPC: H01M4/505 ,  H01M10/0525 ,  H01M4/525 ,  C01G51/00 ,  C01G53/00

Abstract: 本申请涉及电池技术领域，具体涉及正极材料及其制备方法和用电装置，该正极材料包括式I所示化合物：LiaNibCocMndMeO2 式I所述正极材料的晶格畸变变化率为1％≤△J50≤20％，2％≤△J100≤40％；其中，△J50＝(J50‑J0)/J0，△J100＝(J100‑J0)/J0，J0、J50、J100为采用所述正极材料的电池充电状态分别为0％SOC、50％SOC、100％SOC时所述正极材料的晶格畸变。该正极材料结构稳定性好，容量高，采用该正极材料的电池可以具有较高的能量密度和较长的循环寿命。

公开(公告)号：CN119461499A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202411815069.X

申请日：2024-12-10

Applicant: 衢州华友钴新材料有限公司 ,  浙江华友钴业股份有限公司

Inventor： 王玉芬 ,  田礼平 ,  刘人生 ,  肖伶俐 ,  刘咏 ,  陶美洁

IPC: C01G51/04 ,  C01G51/00 ,  H01M4/525 ,  H01M10/0525

Abstract: 本发明公开一种改性四氧化三钴前驱体材料及其制备方法和应用，涉及锂离子电池技术领域，改性四氧化三钴前驱体材料包括四氧化三钴基体以及掺杂至四氧化三钴基体中的镍元素、锰元素；其中，在改性四氧化三钴前驱体材料的金属元素中，镍元素的摩尔占比为5％～20％，锰元素的摩尔占比为1％～3％，铝元素的摩尔占比为0.8％～3％，改性四氧化三钴前驱体材料的D50粒度为15～20μm，比表面积为3～5m2/g，改性四氧化三钴前驱体材料的粒度分布宽度SPAN值为0.2～0.4，该前驱体具有粒度均匀，颗粒表面无开裂等优势，以该前驱体材料制得的钴酸锂正极材料具有优异的循环稳定性和循环寿命。

公开(公告)号：CN119455933A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202411606056.1

申请日：2024-11-12

Applicant: 中国科学院大学

Inventor： 郝郑平 ,  卢一铭 ,  魏征 ,  张凤莲 ,  蒋国霞 ,  杨镇文 ,  王怡雯

IPC: B01J23/34 ,  B01D53/88 ,  B01D53/86 ,  B01J23/10 ,  B01J23/78 ,  B01J23/00 ,  B01J37/10 ,  C01B17/04 ,  C01G23/00 ,  C01G49/00 ,  C01G51/00 ,  C01G45/00

Abstract: 本发明属于硫磺回收技术领域，具体涉及有机硫水解协同硫回收催化剂及其制备方法和应用。包括以下步骤：(1)溶解锶盐；(2)加入过渡金属盐；(3)加入钛源；(4)加入碱金属化合物；(5)搅拌反应；(6)水热处理；(7)离心、洗涤、干燥和焙烧。所制得的催化剂的通式为SrTi1‑xMxO3，式中，x＝0.05‑0.2，M为过渡金属元素。所制得的催化剂的材料组成及结构可调变性强、表面酸碱性位丰富，具有优异的有机硫水解反应活性协同H2S选择氧化活性，可实现有机硫水解和H2S选择氧化高效协同进行，一步去除工艺气体中的含硫组分。

公开(公告)号：CN119390126A

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202411479325.2

申请日：2024-10-23

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 刘伟 ,  何冠铧 ,  宋朝霞 ,  王超 ,  周倩文 ,  赵忠夫

IPC: C01G45/02 ,  C01G51/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01M4/50 ,  H01M10/36

Abstract: 本发明公开一种由Co3[Co(CN)6]2为硬模板制备钴掺杂二氧化锰材料的制备方法和应用，属于电极材料制备技术领域。首先通过液相共沉淀反应法制备Co3[Co(CN)6]2类普鲁士蓝纳米立方材料；然后以Co3[Co(CN)6]2类普鲁士蓝纳米立方材料为硬模板，高锰酸钾为反应原料，采用水热合成法，制备出具有疏松多孔结构的钴掺杂二氧化锰材料，具体为由厚度约为10～20nm的纳米片组合构成尺寸为200～700nm的亚微米立方，同步完成了二氧化锰的Co原子掺杂和纳米片形貌控制的优化策略。将其作为电极材料时，极大地改善二氧化锰电极材料的导电性，提高水系锌离子电池的容量并具有优异的充放电循环稳定性。

公开(公告)号：CN119370901A

公开(公告)日：2025-01-28

申请号：CN202411497694.4

申请日：2024-10-25

Applicant: 荆门市格林美新材料有限公司 ,  格林美股份有限公司

Inventor： 许开华 ,  赵亚强 ,  张坤 ,  李聪 ,  段小波 ,  杨广杰

IPC: C01G51/04 ,  C01G51/00 ,  H01M4/52 ,  H01M4/58

Abstract: 本发明公开了一种阴离子掺杂的四氧化三钴及其制备方法和应用。所述制备方法包括以下步骤：1)将Al掺杂的氧化钴与第一氟源混合，煅烧，得到表层F掺杂的氧化钴；2)使用第二氟源，利用气相包覆的方法，对表层F掺杂的氧化钴进行F包覆，得到阴离子掺杂的四氧化三钴。本发明的方法利用体相湿法掺杂的方式进行Al掺杂，结合表层火法掺F以及外层气相F包覆，可以提高钴酸锂在高电压时的稳定性及电化学性能。

公开(公告)号：CN119221015A

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202411271188.3

申请日：2024-09-11

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 宋钫 ,  张昊阅 ,  冯若晗

IPC: C25B11/075 ,  C25B1/04 ,  C01G53/00 ,  C01G51/00

Abstract: 本发明涉及一种利用机械球磨法制备析氧电极的方法，所述方法包括如下步骤：S1、将多种过渡金属盐分别溶解，得到前驱金属盐溶液；在前驱金属盐溶液中分别滴加沉淀控制溶液，充分搅拌，得到前驱悬浊沉积液，过滤收集，得到不同过渡金属离子的催化前驱物；S2、将得到的不同过渡金属离子的催化前驱物均匀混合，再机械球磨，即得过渡金属氢氧化物纳米催化剂。本发明通过采用室温下的一步合成方法，解决了传统合成方法温度高，反应条件苛刻，产率低下，双金属位点共沉积难度大的问题，实现了化学成分均一稳定的催化前驱物的大批量制备。