公开(公告)号：CN119751033A

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202411781598.2

申请日：2024-12-05

Applicant: 江苏集萃半导体陶瓷材料研究所有限公司

Inventor： 叶志强 ,  韩若冰 ,  齐龙浩

IPC: C04B35/111 ,  C04B35/593 ,  C04B35/053 ,  C04B35/488 ,  C04B35/505 ,  C04B35/622 ,  B28B3/00 ,  B28B11/24 ,  B28B7/00 ,  B28B7/06 ,  B28B7/18 ,  B28B7/28 ,  B28B7/34

Abstract: 本发明公开了一种陶瓷柱形制品及其制备方法和应用，涉及陶瓷材料领域，通过将陶瓷粉体和分散剂、粘结剂混合制备陶瓷浆料，再将陶瓷浆料进行喷雾造粒，然后将造粒粉进行干压成型，接着将干压坯再进行冷等静压处理得到陶瓷坯体，最后将坯体进行热处理，得到致密度达到99.5％～99.8％、抗弯强度达到580MPa以上、显微硬度HV1达到2000以上、晶粒平均粒径不超过6μm的陶瓷制品。该方法不仅适合常规的柱状、管状制品的烧结制备，还适用于内径不小于0.04mm的管状制品的制备，特别是用于具有较大长径比的或者具有变径或者异形的棒状或管状制品的制备。

公开(公告)号：CN119731138A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202380059790.8

申请日：2023-11-28

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝高新材料公司

Inventor： 佐野翔哉 ,  船木开 ,  佐藤英树

IPC: C04B35/587 ,  C04B35/111 ,  C04B35/569 ,  F16C33/32

Abstract: 实施方式涉及的陶瓷球用原材料具备球面部和遍布所述球面部的表面的圆周而形成的带状部，所述带状部的端部的表面粗糙度R1和所述带状部的中央部的表面粗糙度R2之比即R1/R2为0.3以上且低于1.0。通过陶瓷球用原材料的这样的构成，能够在抑制加工时的陶瓷材料的碎裂的同时缩短加工时间。

公开(公告)号：CN119503847A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202411706533.1

申请日：2024-11-26

Applicant: 中铝山东有限公司

Inventor： 宋六九 ,  杨丛林 ,  常凯 ,  司恒刚 ,  李凡 ,  钱龙 ,  宁逸博 ,  朱春雷

IPC: C01F7/441 ,  C01F7/021 ,  B82Y40/00 ,  C04B35/111 ,  C09G1/02

Abstract: 本发明提供了一种高纯纳米氧化铝的制备方法及高纯纳米氧化铝，属于氧化铝粉体材料领域。包括：将高纯氢氧化铝依次进行第一焙烧及第一粉碎，得到γ‑Al2O3；将γ‑Al2O3依次进行第二焙烧及第二粉碎，得到α‑Al2O3；将α‑Al2O3配置成第一料浆，并向所述第一料浆中加入分散剂，后将含所述分散剂的第一料浆进行湿法研磨，得到第二料浆；将所述第二料浆依次进行过滤及洗涤，得到滤饼；将所述滤饼进行打浆，得到第三料浆；以及将所述第三料浆进行喷雾干燥，得到高纯纳米氧化铝粉体。通过多段焙烧，确保氢氧化铝前驱体转化为γ‑Al2O3以及γ‑Al2O3转化为α‑Al2O3，同时通过焙烧后的破碎，从而达到控制产品粒度分布的目的。

公开(公告)号：CN117800372B

公开(公告)日：2025-01-21

申请号：CN202410006579.6

申请日：2024-01-03

Applicant: 宁波国锋新材料科技有限公司

Inventor： 李源 ,  任红波 ,  贾利奎

IPC: C01F7/02 ,  C01F7/021 ,  C01F7/44 ,  C04B35/111 ,  C04B35/626

Abstract: 本发明涉及纳米材料制备技术领域，公开了一种高纯纳米类球形氧化铝的制备方法，包括以下步骤：(1)取氢氧化铝浆料，加热搅拌反应后进行固液分离，得到粉体；(2)将所述粉体经烘干、粉碎解聚后固液分离，得到超细氧化铝粉体；(3)将所述超细氧化铝粉体进行煅烧，即得高纯纳米类球形氧化铝。本发明的原材料来源广泛、容易获得且方便储存，制备工艺可控、重现性好、成本低，易于实现工业化，并且制备得到的高纯超细类球形氧化铝具有高活性、低比表面积，可广泛应用于各行各业。

公开(公告)号：CN119301379A

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202380044001.3

申请日：2023-05-29

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝高新材料公司

Inventor： 船木开 ,  佐藤英树

IPC: F16C33/32 ,  C04B35/111 ,  C04B35/569 ,  C04B35/587

Abstract: 实施方式涉及的陶瓷球用原材料具备球面部和横跨球面部的表面的圆周而形成的带状部。带状部的算术平均粗糙度Rab与球面部的顶点的算术平均粗糙度Rap之比即Rab/Rap为0.7以上且1.0以下。此外，陶瓷能够使用氧化铝、氮化硅、碳化硅、氮化硼及氧化锆中的任一种。通过对陶瓷球用原材料进行研磨加工而制造陶瓷球。

公开(公告)号：CN118993710B

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202411495381.5

申请日：2024-10-25

Applicant: 山东奥福环保科技股份有限公司 ,  蚌埠奥福声冷科技有限公司

Inventor： 潘吉庆 ,  武雄晖 ,  江涛 ,  黄妃慧 ,  程国园 ,  潘洁羽 ,  李颖双 ,  王子宇

IPC: C04B35/111 ,  C04B35/80 ,  C04B35/622 ,  C04B38/00

Abstract: 本发明涉及莫来石陶瓷技术领域，具体而言，涉及一种针状莫来石质多孔陶瓷材料及制备方法。陶瓷材料采用泥料制备得到，泥料的成分包括无机组份，无机组份包括针状多水高岭土和六方片状氢氧化铝粉体；针状多水高岭土中包括高岭石，所述高岭石的粒径小于或等于1μm；六方片状氢氧化铝粉体的粒度D50为1‑8μm，径厚比大于或等于20：1。该方法的泥料塑性、流动好，减少挤出压力；该方法成本低，效果好，易于推广；该材料孔密度高，能够承受腐蚀性、承受裂化、熔化、开裂、比表面积降低等环境。

公开(公告)号：CN118955102A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202411061436.1

申请日：2024-08-05

Applicant: 河北东同光电科技有限公司

Inventor： 康明生 ,  崔娜

IPC: C04B35/111 ,  C04B35/622 ,  C04B35/645 ,  C04B35/626

Abstract: 本发明公开了一种高性能导电氧化铝精密陶瓷的制备方法，包括按比例取料、球磨混料、初压制备粗坯的步骤，多段升温控制、双向加压、真空热压烧结、降温泄压的步骤以及切割打磨的步骤。本发明制备的高性能导电氧化铝精密陶瓷本身直接具备导电性，不需做任何涂层，电阻稳定、均匀，具有长效性，不会随时间而衰减，又能保持良好的机械性能，且制备过程的操作安全可控，制备的产品稳定性高，可产业化生产。

公开(公告)号：CN118754630A

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202410780905.9

申请日：2024-06-18

Applicant: 东莞市夏阳新材料有限公司

Inventor： 刘林杰 ,  杨旭强 ,  谢志鹏 ,  李燚华

IPC: C04B35/111 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626 ,  C04B35/63 ,  C04B35/634

Abstract: 本发明涉及无机非金属材料技术领域，具体涉及一种凝胶注模成型低介电损耗氧化铝陶瓷及其制备方法，该方法包括以下步骤：1)制浆球磨：取单体、交联剂、复合型分散剂加入去离子水中，搅拌均匀，得到预混液，再加入高纯度纳米活性氧化铝粉进行搅拌，得到浆料，将浆料和研磨球加入球磨罐，进行球磨，得到注模用浆料；2)凝胶注模成型；3)干燥脱水；4)预加工；5)排胶烧结；6)后加工。与采用热等静压和放电等离子烧结技术制备低介电损耗的氧化铝陶瓷相比，本发明方法成本较低，工艺更简单，可控性更好。

公开(公告)号：CN118479866A

公开(公告)日：2024-08-13

申请号：CN202410406115.4

申请日：2024-04-07

Applicant: 成都大学

Inventor： 王皓民 ,  陈睿翀 ,  黄章益

IPC: C04B35/111 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明属于陶瓷低温烧结技术领域，特别涉及一种纳米α‑Al2O3陶瓷的低温制备方法。发明采用冷烧结工艺，以氢氧化铝粉体为原料，2～20wt.％的去离子水为溶剂，在500～2000Mpa的单轴压力、200～500℃的加热温度、50～300min的保温时间下获得致密的α‑AlOOH陶瓷；随后，通过低温退火工艺，在400～600℃的退火温度，以及2～6h的保温时间下实现由α‑AlOOH到α‑Al2O3的完全相变，最终获得晶粒尺寸为30～50nm的α‑Al2O3陶瓷烧结体。本发明所述方法克服了传统α‑Al2O3陶瓷烧结温度高，难以获得纳米晶结构陶瓷烧结体的技术困境，提供了一种可在低温下制备具有纳米晶结构α‑Al2O3陶瓷的工艺方法，制备周期短，可操作性强。

公开(公告)号：CN116253560B

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202211615768.0

申请日：2022-12-15

Applicant: 先导薄膜材料(广东)有限公司

Inventor： 刘文杰 ,  高日旭 ,  余芳 ,  邵学亮 ,  童培云

IPC: C04B35/111 ,  C04B35/622 ,  C23C14/08 ,  C23C14/35

Abstract: 本申请涉及氧化物靶材生产技术领域，公开了一种氧化铝靶材及其制备方法，包括以下步骤：制备氧化铝粉末；将氧化铝粉末装入模具中压制成型，制得氧化铝坯体；将氧化铝坯体进行冷等静压处理，得到高密度氧化铝坯体；空气气氛下在常压烧结炉中，承烧板上铺一层烧结后的氧化铝砂，将高密度氧化铝坯体放置在氧化铝砂上层，以0.5‑1℃/min的升温速率，升温至1000℃，且在升温过程中，每升高200℃保温2‑4h；升至1000℃后保温2‑4h，再以0.01‑0.3℃/min的速率升温至1500‑1600℃，且在升温过程中，每升高30‑200℃保温2‑10h；通过该制备方法所制备出的靶材，在拥有3.97g/cm3密度的同时，其尺寸最大可以达到1.5×1.0m，极大地提高了靶材的尺寸上限；此外，还公开了一种氧化铝靶材。