公开(公告)号：CN119930302A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202510122498.7

申请日：2025-01-26

Applicant: 江苏富乐华半导体科技股份有限公司 ,  江苏富乐华功率半导体研究院有限公司

Inventor： 段学锋 ,  吴树彬 ,  王斌 ,  朱亚军 ,  葛荘

IPC: C04B35/584 ,  C04B35/626 ,  C04B35/634 ,  C04B35/64 ,  C08F261/04 ,  C08F220/34

Abstract: 本发明公开了一种电子陶瓷浆料及其制备方法，涉及电子陶瓷加工技术领域。包括以下步骤：步骤1：溶胶：S1.1：准备氮化硅粉、十二烷基硫酸钠、改性聚乙烯醇、聚乙二醇‑400、烧结助剂，乙醇水溶液作为物料；S1.2：氮气氛围下，将物料依次置于混合罐中均质化，得到胶液；步骤2：球磨和脱泡：将胶液转移至球磨罐中，研磨制浆、达到粒度要求和刮涂要求后，脱泡，最后经过过滤和除铁处理，得到电子陶瓷浆料。有益之处：本发明提供了一种电子陶瓷浆料的自动化连续制备方法，在此过程中对粘接剂聚乙烯醇进行相应改性；同时，为了提高烧结助剂的分散效果，对硅藻土表面进行化学修饰，使其充当烧结助剂的载体，有效提高了产品的质量。

公开(公告)号：CN119930299A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202510108931.1

申请日：2025-01-23

Applicant: 宁波江丰电子材料股份有限公司

Inventor： 姚力军 ,  李爽 ,  周友平 ,  杨慧珍

IPC: C04B35/581 ,  H01L21/67 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  C04B37/00

Abstract: 本发明涉及一种氮化铝陶瓷加热器支撑体及其制备和焊接方法，所述氮化铝陶瓷加热器支撑体包括含烧结助剂分层区和不含烧结助剂均一区；所述含烧结助剂分层区位于氮化铝陶瓷加热器支撑体下端；所述含烧结助剂分层区的成分包括含烧结助剂的氮化铝粉末；所述含烧结助剂分层区的烧结助剂的含量由下至上逐层递减；所述不含烧结助剂均一区的成分包括氮化铝粉末。本发明所述氮化铝陶瓷加热器支撑体下端成分采用分层过渡结构，可实现反复加热冷却过程中不易失效，延长使用寿命。

公开(公告)号：CN119930295A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202510437365.9

申请日：2025-04-09

Applicant: 山东鑫亿新材料科技有限公司

Inventor： 王镇 ,  刘娜

IPC: C04B35/565 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  H05B3/14

Abstract: 本发明属于碳化硅电热元件的生产技术领域，具体涉及硅碳棒发热体及生产工艺。本发明所述的硅碳棒发热体的生产工艺，包括以下步骤：（1）碳化硅原材料预处理：将碳化硅原材料与添加剂混合，预烧处理；（2）混料及成型：将碳化硅原材料与预处理后的碳化硅、石墨电极粉、炭黑、粘结剂混合，挤压成型，得到棒坯；（3）烘干：将棒坯烘干；（4）一次烧成：在碳管炉或真空炉烧制；（5）二次烧成：在碳管炉或真空炉烧制，得到硅碳棒发热体。本发明提供的硅碳棒发热体的生产工艺，环保，所生产出的发热体密度高且电阻可调。

公开(公告)号：CN119874387A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202411873185.7

申请日：2024-12-17

Applicant: 比亚迪股份有限公司 ,  比亚迪汽车工业有限公司

Inventor： 周维 ,  徐强 ,  雷哲 ,  李凌群 ,  王灵晓

IPC: C04B35/64 ,  C04B35/584 ,  C04B35/581 ,  C09D1/00 ,  C09D7/65 ,  C09D7/63

Abstract: 本申请实施例提供一种浆料及其制备方法和基板前驱体，所述浆料包括如下质量份的组分：六方氮化硼粉末10份至40份、分散剂1份至10份、增稠剂0.01份至1份、粘接剂0.1份至1份以及溶剂45份至90份，按照上述配比制备的浆料可进行湿法喷敷，解决了干敷工艺会产生大量粉尘的问题；且浆料具有低黏度、状态稳定和一定的粘接性，有助于提高六方氮化硼粉末与生坯的结合性。

公开(公告)号：CN119874373A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202510086997.5

申请日：2025-01-20

Applicant: 常州赛璞睿生科技有限公司

Inventor： 李锋

IPC: C04B35/565 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明属于陶瓷膜技术领域，具体涉及一种耐高温碳化硅陶瓷膜及其制备方法，所述碳化硅陶瓷膜依次包含碳化硅支撑体和涂膜层；按重量份计，制备所述碳化硅支撑体包含以下原料：第一碳化硅粉80‑100份，烧结助剂3‑5份，聚乙烯醇5‑10份，改性聚丙烯酸铵2‑3份，邻苯二甲酸二丁酯0.1‑0.4份。本发明的陶瓷膜耐高温性好、力学性能优异，可用于制备耐高温材料，具有较好的应用价值。

公开(公告)号：CN119874357A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202411857037.6

申请日：2024-12-17

Applicant: 海南大学

Inventor： 祁核 ,  陈骏 ,  吴捷

IPC: C04B35/495 ,  H10N30/853 ,  H10N30/097 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明提供一种高熵铌酸铋钙基高温无铅压电陶瓷及制备方法，属于高温压电陶瓷材料领域，化学组成为Ca1‑x‑y(Na0.5Bi0.5)xBi2+yTiyNb2‑y‑zTazO9+u wt％MO,0.1≤x≤0.9,0.1≤y≤0.9,0≤z≤5/3,0＜u≤0.4，所述MO选自B2O3，Fe2O3，CuO，MnO2中的一种或多种组合。该体系的陶瓷组成为单一正交铁电相，具有优异的压电性能、电绝缘性以及高的居里温度。

公开(公告)号：CN119874356A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202510033909.5

申请日：2025-01-08

Applicant: 同济大学

Inventor： 姚曼文 ,  李藏金 ,  姚熹

IPC: C04B35/493 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明公开了一种铁电‑压电陶瓷储能材料及其混杂工艺制备方法和应用，属于铁电‑压电陶瓷材料技术领域。铁电‑压电陶瓷储能材料包括多晶粉体和溶胶混合均匀经热处理形成微纳米复合结构颗粒，微纳米复合结构颗粒包括多晶粉体和分布在其周围的PLZS纳米成分层。铁电‑压电陶瓷储能材料的混杂工艺制备方法包括：制备溶胶和多晶粉体；对溶胶与多晶粉体进行热处理得到微纳米复合结构颗粒；将微纳米复合结构颗粒通过流延工艺和烧结得到铁电‑压电陶瓷储能材料样品。采用本发明所述的铁电‑压电陶瓷储能材料及其混杂工艺制备方法和应用，通过与溶胶成分混杂提高了比表面积和氧空位含量，有利于降低陶瓷材料的烧结温度，提高陶瓷材料的介电储能性能。

公开(公告)号：CN119871673A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202510087275.1

申请日：2025-01-20

Applicant: 宿迁睿曦绿业新材料科技有限公司

Inventor： 张艳伟 ,  赵欣 ,  杨建红 ,  温合静

IPC: B28C5/16 ,  C04B35/58 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  B28C7/00 ,  B08B9/087

Abstract: 本发明涉及二硼化钛技术领域，具体为一种热压烧结二硼化钛‑碳复合材料的热处理方法，包括：软化结构和成型结构，所述软化结构中的第一滑槽内部与第一连接板下端活动连接，所述第一连接板上端用加热结构连接第一支柱，所述第一支柱上端活动连接第一铰轴，所述软化结构中的桌体上端用螺栓连接底座，通过第一滑槽可以使得第一连接板下端活动连接，使得加热结构能够进行前后移动，通过把手可以带动加热结构进行移动，通过第一支柱上端连接的第一铰轴可以带动喷头进行转动，使得喷头能够在进行软化材料时能够被调节，通过第一转动杆可以对第一铰轴进行限位。

公开(公告)号：CN117185825B

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202311071130.X

申请日：2023-08-23

Applicant: 哈尔滨工业大学重庆研究院 ,  哈尔滨工业大学

Inventor： 杨治华 ,  贺云鹏 ,  周国相 ,  张砚召

IPC: C04B35/80 ,  C04B35/584 ,  C04B35/622 ,  C04B35/638 ,  C04B35/64 ,  H01L23/29

Abstract: 本发明属于氮化硅陶瓷材料技术领域，具体涉及一种氮化硅陶瓷基板及其制备方法和应用。本发明通过无机粉体中各原料的配合以及用量的调整，提供了一种高热导率、高强度、高韧性、色泽均一的氮化硅陶瓷基板，以α‑Si3N4为主相材料，掺杂具有固定长径比的β‑Si3N4纤维为第一副相材料，单晶纳米金刚石为第二副相材料，并添加烧结助剂xRE2O3‑(1‑x)MgAl2O4，复合着色剂aFe2O3‑bCr2O3‑cEr2O3‑dWO3，采用织构化成型技术和气压烧结工艺，制备出了高性能、高可靠性和稳定性的氮化硅陶瓷基板，有助于推动实现氮化硅陶瓷基板的产业化。

公开(公告)号：CN119859061A

公开(公告)日：2025-04-22

申请号：CN202411968099.4

申请日：2024-12-30

Applicant: 西南技术物理研究所

Inventor： 孙志成 ,  朱泽军 ,  张祖邦 ,  唐嘉 ,  杨永强 ,  徐伟 ,  吴杨海 ,  罗辉 ,  郭春艳 ,  梁松林

IPC: C04B35/50 ,  C04B35/48 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  C04B35/626

Abstract: 本发明涉及一种烧绿石型A2‑xBxZr2O7透明陶瓷材料及其制备方法，其中A和B独立地选自三价元素，选自Gd、Eu、Al、Tb中的至少一种。本发明所提供的透明陶瓷材料，具有较高原料利用率和高的光学透过率，可通过多种稀土掺杂对透明陶瓷材料进行改性，满足不同应用需求。本发明所提供的制备方法，通过固相法制备粉体，再经过真空钨丝炉子烧结制备透明陶瓷材料，特别是在原料制备过程中，采取二次球磨工艺，制得粒径更加均匀的粉体，再经过真空烧结，从而制备出高透过率的透明陶瓷材料；具有简单高效，原料利用率高，适用于大规模工业化生产的作用。