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公开(公告)号：CN119709336A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411889932.6
申请日：2024-12-20
Applicant: 黑龙江中医药大学
Abstract: 本发明为一种新型中药果蔬清洁剂，按质量百分比计，至少包含以下组分：马齿笕提取物4%、粳米20%、柠檬酸21%、碳酸氢钠32%、氯化钠7%、干淀粉24%；通过优化清洁剂中组分的配比，使得产品具有优异的对农残去除效果和抑菌效果，同时可避免对果蔬的二次污染。该产品使用方便，遇水迅速溶解，并产生大量气泡，产品已符合国家执行标准GBT24691对果蔬清洁剂的相关要求。
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公开(公告)号：CN114450388B
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202080067656.9
申请日：2020-09-24
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
Abstract: 一种用于微电子器件或半导体衬底的方法和清洁组合物，其包括至少一种烷醇胺；至少一种羟胺或羟胺衍生物或其混合物；至少一种具有至少两个羧酸基团的多官能有机酸和水。该清洁组合物可进一步包括至少一种腐蚀抑制剂。
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公开(公告)号：CN119500720A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202311079755.0
申请日：2023-08-25
Applicant: 东莞新科技术研究开发有限公司
Inventor： 万知武
IPC: B08B11/04 , B08B3/12 , B08B3/08 , B08B3/02 , C11D7/06 , C11D7/12 , C11D1/825 , C11D1/722 , C11D3/20 , C11D7/60 , C11D3/60 , F26B7/00
Abstract: 本发明玻璃板的清洗方法，包括采用第一清洗剂对玻璃板进行第一超声波清洗，所述第一超声波清洗设置第一清洗温度，所述第一清洗剂包括氢氧化钠、碳酸钠以及去离子水；采用第二清洗剂对所述玻璃板进行第二超声波清洗，所述第一超声波清洗设置高于所述第一清洗温度且不大于80℃的第二清洗温度，所述第二清洗剂包括柠檬酸、丙二醇甲醚、脂肪醇聚氧乙烯醚AEO‑9、异构醇聚氧乙烯醚TO‑7及去离子水；将所述玻璃板置于喷淋槽内进行淋洗；以及将所述玻璃板干燥。该方法操作简单、成本低，有效提高清洗效果，防止半导体产品被二次污染，同时延长玻璃板的使用寿命。
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公开(公告)号：CN119340202A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411886168.7
申请日：2024-12-20
Applicant: 天通瑞宏科技有限公司
Abstract: 本申请公开了一种光刻胶剥离方法，涉及半导体技术领域。光刻胶剥离方法包括：对晶圆进行退火以使金属镀层合金化；将晶圆在第一有机溶剂中浸泡以使晶圆上的光刻胶软化；依次使用第二有机溶剂、第三有机溶剂对晶圆进行喷淋，其中，第二有机溶剂包含N‑甲基吡咯烷酮，第三有机溶剂的挥发性强于第二有机溶剂；对晶圆进行烘干。本申请提供的光刻胶剥离方法能够有效地对晶圆上的光刻胶进行去除，同时能够缓解NMP对金属镀层的腐蚀，因此产品的良率能够得到提升。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119331695A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411426902.1
申请日：2024-10-14
Applicant: 吉林金翼蛋品有限公司
Abstract: 本申请公开了一种蛋壳果蔬净制备方法及其蛋壳烘干设备，涉及果蔬清剂的技术领域，其中蛋壳果蔬净的制备方法包括如下步骤：S1、将蛋壳进行破碎，并进行烘干；S2、取部分蛋壳，在600‑900℃内进行2h煅烧处理，并将煅烧后的蛋壳进行研磨，得到煅烧蛋壳粉；S3、取部分蛋壳，进行研磨处理，随后灭菌，得到非煅烧蛋壳粉；S4、取20‑36份非煅烧蛋壳粉与2‑6份柠檬酸进行搅拌混合得到混合粉料A；S5、取40‑53份煅烧蛋壳粉与8‑10份玉米提取物进行搅拌混合得到混合粉料B；S6、将3‑5份蒙脱石、3‑6份食盐加入到混合粉料A中并将混合粉料B缓慢加入到混合粉料A中，持续搅拌后干燥处理。本申请具有提高蛋壳果蔬净对农药残留吸附效果的效果。
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公开(公告)号：CN119216282A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411369917.9
申请日：2024-09-29
Applicant: 海南大学
Abstract: 本发明公开了一种清洗磁共振成像后离体组织表面的试剂盒，其包括试剂A、试剂B、试剂C和试剂D，其中：所述试剂A为正己烷和正戊烷的混合物；所述试剂B为正己烷、正戊烷和醇类物质的混合物；所述试剂C为醇类物质；所述试剂D为醇类物质和磷酸盐缓冲液的混合物。本发明还公开了一种清洗磁共振成像后离体组织表面的方法，其包括使用本发明所述试剂盒中的试剂A、试剂B、试剂C和试剂D依次对磁共振成像后的离体生物组织样本进行漂洗的步骤。本发明在该试剂盒中引入正己烷去除组织表面的全氟聚醚，同时解决了现有技术对于组织表面氟油清洗不彻底、清洗慢流程复杂的技术问题。
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公开(公告)号：CN119081798A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411199906.0
申请日：2024-08-29
Applicant: 上海盛剑微电子有限公司
Abstract: 本发明公开了一种清洗组合物及其制备方法和蚀刻残留物的清洗方法。所述清洗组合物，按照质量百分比计，包括如下组分：碱性化合物1％～25％、氟化物0.1％～15％、金属缓蚀剂0.1％～25％、清洗助剂0.01％～25％和有机溶剂10％～70％。本发明的清洗组合物，通过合适含量的碱性化合物、氟化物、金属缓蚀剂、清洗助剂和有机溶剂的相互配合，能够有效去除蚀刻残留物；同时，不会对所接触的金属及非金属材料产生明显腐蚀，对铝、银、钛、二氧化硅等蚀刻速率小，操作窗口大；本发明的清洗组合物可用于蚀刻残留物的清洗，如可用于干法蚀刻后的硅基OLED的清洗，具有优异的清洗效果。
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公开(公告)号：CN119020116A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202410970564.1
申请日：2024-07-19
Applicant: 浙江奥首材料科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种用于抑制铜钴电偶腐蚀的半导体芯片清洗液、其制备方法及应用。本发明用于抑制铜钴电偶腐蚀的半导体芯片清洗液包括重量配比如下的各组分：葡萄糖衍生物1‑5份；抑制剂1‑10份；有机胺1‑10份；超纯水80‑90份。本发明用于抑制铜钴电偶腐蚀的半导体芯片清洗液能有效的抑制铜的表面腐蚀，并且降低其表面粗糙度，同时促进BTA残留物的去除。本发明用于抑制铜钴电偶腐蚀的半导体芯片清洗液在半导体芯片清洗领域具有非常良好的应用前景和大规模工业化推广潜力。
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公开(公告)号：CN115975746B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202211706335.6
申请日：2022-12-29
Applicant: 陕西瑞益隆科环保科技有限公司
Abstract: 本发明属于阻垢剂制备技术领域，涉及一种焦化厂设备用阻垢剂及其制备方法。该阻垢剂由以下质量百分比的原料组成：酰胺类化合物30‑50％，砜类化合物30‑40％，磁性纳米颗粒5‑8％，分散剂2‑5％，渗透剂1‑3％，其余量为水。本发明提供的技术方案，利用不同组分复配，通过在线加药的方式达到高效去除机组结焦的目的，确保了检修周期内因停机造成的产能损失且避免了人工清理的安全风险。
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