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公开(公告)号：CN119932380A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510185969.9
申请日：2025-02-19
Applicant: 比亚迪股份有限公司
IPC: C22C21/10 , C22C1/10 , C22C1/06 , C22F1/053 , B22F10/28 , B22F10/34 , C22C5/06 , B33Y10/00 , B33Y70/00
Abstract: 本公开涉及一种铝合金组合物、铝合金制件及其制备方法，所述铝合金组合物包括：3.5~11.5重量%的Zn，1.8~2.6重量%的Mg，0.3~1.6重量%的Cu，0.25重量%以下的Fe，0.6~1.8重量%的Co，0.5~1.5重量%的Ni，0.4~0.68重量%的Ti，0.1~0.15重量%的Sc，0~0.15重量%的Zr，0.08~0.3重量%的SiC、2.2~3.6重量%的Al92Ti2Fe2Co2Ni2以及余量的Al。本公开提供的铝合金组合物既有效提高铝合金制件的强度，又改善了铝合金制件的塑性和焊接工艺性。
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公开(公告)号：CN119307771B
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202411695188.6
申请日：2024-11-25
Applicant: 湖南中伟新银材料科技有限公司
Inventor： 陈文贵
Abstract: 本发明属于银粉制备技术领域，具体公开了一种低银含量的银粉及其制备方法和应用。本发明的银粉制备方法，包括以下步骤：S1、配置含有银离子或银的络合物的反应体系，向反应体系中加入分散剂和表面活性剂，搅拌混合；S2、加入还原剂溶液，搅拌混合反应，加入包覆剂；S3、离心得到固体，干燥，粉碎即得银粉；其中所述表面活性剂包括离子型表面活性剂和非离子型表面活性剂。本发明方法制备的银粉具有合适的粒径范围和较低的银含量，并且具有相对较低的晶粒尺寸和熟化程度和较高的烧结活性，能用于低温快速烧结，在电子元器件的制造领域具有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN119604970A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202380052349.7
申请日：2023-06-26
Applicant: 田中电子工业株式会社
IPC: H01L21/60 , C22C5/06 , C22F1/00 , C22F1/14 , H10H20/857
Abstract: 本发明提供一种LED用银合金接合线及其制造方法，该LED用银合金接合线实现对蓝色光的高反射率，并且即使在超低环状的接合中，也使得球颈部的耐热强度得到了提高。实施方式的发光二极管(LED)用接合线由含有98质量％以上的银的银合金构成，高温/常温强度比为0.6以上且0.99以下，高温伸长率为1.5％以上。
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公开(公告)号：CN119571100A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411683432.7
申请日：2024-11-22
Applicant: 重庆川仪自动化股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种熔断器用高强度高导电性银带及其制备方法，包括纯银和强化剂，强化剂质量为纯银质量的0.005‑0.01％，强化剂为氧化锆、氧化钙、硼化钙和硼化锆中的一种或几种混合物，经过熔炼浇注后强化剂细小弥散分布在银晶界处，从而阻碍晶粒位错；另一方面，添加强化剂，纯银在凝固时优先依附于强化剂异质形核，增加形核率，从而达到细化晶粒的效果。本发明通过添加非金属强化剂，在保证电阻率满足熔断器用纯银要求的情况下，显著提高纯银力学性能，减少轧制断带风险，进而提高制备厚度小于0.05mm银带的成材率。
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公开(公告)号：CN119553123A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411726762.X
申请日：2024-11-28
Applicant: 昆明贵研新材料科技有限公司 , 云南贵金属实验室有限公司 , 云南省贵金属新材料控股集团股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种高性能银合金基复合材料的制备方法，属于银基复合材料制备技术领域。本发明包括(1)将纯银粉末和微合金元素粉末进行球磨，得到银基微合金粉末；(2)将银基微合金粉末和金属氢氧化物粉末加入醇类液体中，搅拌进行均匀化混合，得到混合物；(3)将混合物进行真空干燥和热还原处理，得到银合金基复合粉末；(4)对银合金基复合粉末进行放电等离子烧结，得到银合金基复合材料。本发明通过使用金属氢氧化物作为原料制备银合金基复合粉末，有效提升增强相在银基体中分散均匀性，从而提高银合金基复合材料的综合性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119491138A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202411717203.2
申请日：2024-11-27
Applicant: 商洛学院
Abstract: 本发明属于电接触材料技术领域，涉及一种含镍的AgZnO电接触材料及其制备方法。所述含镍的AgZnO电接触材料的制备方法，包括如下步骤：(1)采用溶胶‑凝胶法制备含镍的ZnO复合粉体；(2)将Ag粉和含镍的ZnO复合粉体加入容器中，并加入溶剂，进行超声混料，烘干后得到混料；(3)将步骤(2)得到的混料，压制成坯料，在惰性气氛下第一次烧结，烧结结束后冷却至室温，得到预制料；(4)将步骤(3)得到的预制料再次压制成型，在惰性气氛下第二次烧结，烧结结束后冷却至室温，得到含镍的AgZnO电接触材料。本发明得到的含镍的AgZnO电接触材料与ZnO制备的AgZnO电接触材料相比，含镍的AgZnO电接触材料的致密度、电导率和维氏硬度分别增加了2.8％、13.5％和28.8％。
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公开(公告)号：CN112941578B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202011260805.1
申请日：2020-11-12
Applicant: 杜邦电子材料国际有限责任公司
Abstract: 公开了含水酸性二元银‑铋合金电镀组合物以及使得能够电镀富银的二元银‑铋沉积物的方法。所述含水酸性二元银‑铋合金电镀组合物包括具有巯基官能度的5元杂环氮化合物，所述化合物使得能够沉积富银的二元银‑铋合金。所述富银的银‑铋沉积物是哑光到半光亮的、均匀的且具有低的摩擦系数。
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公开(公告)号：CN119320892A
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202411341206.0
申请日：2024-09-25
Applicant: 江苏嘉茂材料科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种超高纯度银靶材及其制备方法，属于靶材领域，包括以下重量分数配比的原料：高纯度银99.99％、钯0.05％‑0.15％、铱0.025％‑0.075％、钕0.1％‑0.3％、镨0.1％‑0.3％。该超高纯度银靶材及其制备方法，通过采用5N级别的高纯度银作为基础材料，并精确添加微量的钯、铱、钕和镨等元素，实现了靶材纯度的显著提升，超越了现有技术的纯度范围，该创新材料设计不仅优化了靶材的硬度、强度和耐磨性，还通过细化晶粒和多阶段热处理有效提高材料的致密均匀性并消除内部应力，此外，多向锻造工艺增强了靶材的各向同性，确保不同方向上性能的一致性，这些改进显著提升了靶材的机械性能，使其更能适应高耐磨性要求的应用环境，同时提高了使用该靶材制备的薄膜的导电性、反射率和均匀性。
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公开(公告)号：CN119301707A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202380044444.2
申请日：2023-05-25
Applicant: TDK电子股份有限公司
Abstract: 本发明涉及用于制造多层压敏电阻(1)的方法，其包括以下步骤：准备包含银和镍的金属糊(103)，其中金属糊(103)的金属中的镍的质量比例为最大25％，将金属糊(103)施加到陶瓷生膜(102)上，将另一陶瓷生膜(102)施加到金属糊(103)上以制造夹层结构，并且将生膜(102)与所施加的金属糊(103)烧结，其中生膜(102)被转化为陶瓷层(2)并且金属糊(103)被转化为内电极(3)。
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公开(公告)号：CN119220849A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411328328.6
申请日：2024-09-24
Applicant: 郑州大学
Abstract: 本发明公开了一种用于超薄透明膜的导电银合金及其导电银合金溅射靶材。所述导电银合金中含有摩尔百分比为2～15％的促进银薄膜形核元素，余量为Ag和不可避免的杂质；所述促进银薄膜形核元素为Mg、Al、Cu、Zn、Sn和Mn中的任一种。本发明导电银合金溅射靶材是将所述导电银合金经熔炼、浇注、轧制、机加工和磁控溅射沉积制备而成。本发明技术方案通过促进银薄膜形核元素Mg、Al、Cu、Zn、Sn或Mn对银进行合金化，在小于10nm厚度的条件下显著提升银薄膜的导电性能和可见光透过率。
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