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公开(公告)号：CN119912244A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202411887329.4
申请日：2024-12-20
Applicant: 广州市尤特新材料有限公司
IPC: C04B35/115 , C23C14/34 , B02C23/06 , B02C17/10 , C04B35/622 , C04B35/626
Abstract: 本发明公开了一种氧化铝靶材的制备方法，包括以下步骤：将氧化铝、球磨液按照重量比5:2球磨处理，球磨结束，入模具压制成型，再烧结改进得到氧化铝靶材。本发明氧化铝靶材采用氧化铝经过球磨液处理，再入模具，烧结改进得到氧化铝靶材，产品的致密性和透明度协调改进，以及产品耐酸腐稳定性效果显著。
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公开(公告)号：CN119752324B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510258549.9
申请日：2025-03-06
Applicant: 天津世宇电子股份有限公司
Inventor： 安京哲
Abstract: 本发明公开了一种触摸屏玻璃面板及制造方法，属于玻璃面板生产技术领域，触摸屏玻璃面板包括玻璃基板，玻璃基板表面磁控溅射镀制有ITO薄膜，得到镀膜玻璃基板，镀膜玻璃基板表面涂覆有改性涂料，得到触摸屏玻璃面板。经检测，本发明制造的触摸屏玻璃面板兼具优异的透光率（95.1%～95.5%）、硬度（莫氏硬度达到7）、水接触角（104.2°～105.4°）、油接触角（86.1°～87.2°）和抗指纹性能（RFU值达77～82），综合性能得到显著提升。进一步地，经检测，添加有本发明制备的含氟硅烷的改性涂料所形成的保护层与镀膜玻璃基板具有优异的黏结性能。
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公开(公告)号：CN113355713B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202110527775.4
申请日：2021-05-14
Applicant: 张健
Inventor： 张健
IPC: C25D11/08 , C22F1/04 , C21D1/26 , C25F3/20 , C25D11/16 , C25D11/24 , C23C14/06 , C23C14/34 , C23C14/58 , C23F17/00
Abstract: 本发明提供了一种减摩润滑铝合金，所述铝合金表面为2‑2.5μm的阳极氧化膜，阳极氧化膜的孔道为阵列结构，孔径为500‑600nm，孔道内部物理沉积有硫化钼润滑颗粒，且所述铝合金至少经过阳极氧化处理、物理溅射硫化钼处理、水热处理和抛光处理。
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公开(公告)号：CN111653503B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202010135380.5
申请日：2020-03-02
Applicant: 洛克系统私人有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/683 , C23C14/34 , C23C14/50
Abstract: 一种用于溅射多个IC单元的方法，该方法包括以下步骤：向保持环施加层；在该层中切割孔的阵列；将保持环转移至模板，该模板位于放置站内；将所述孔的阵列与所述模板中的凹口的阵列对准；将IC单元传送至所述保持环，每个IC单元对应于对准的孔和凹口；以及向与所述保持环接合的所述IC单元施加溅射方法。
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公开(公告)号：CN119876869A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510388513.2
申请日：2025-03-31
Abstract: 本发明提供了一种利用离子束溅射制备薄膜的方法、离子束溅射镀膜装置，属于离子束溅射技术领域。该方法包括：通过离子束溅射方式对衬底表面进行第一镀膜处理，在衬底表面交替地沉积第一膜层和第二膜层，得到第一叠层膜；对第一叠层膜进行第一原位退火，得到原位退火后的第一叠层膜；通过离子束溅射方式对原位退火后的第一叠层膜表面进行第二镀膜处理，在第一叠层膜表面交替地沉积第三膜层和第四膜层，得到第二叠层膜；对第二叠层膜进行第二原位退火，得到薄膜。本发明的方法对于多叠层膜制备过程，能够降低叠层膜内部的热噪声。同时通过两次原位退火，减少了第一叠层到第二叠层取样、转移、装载过程中带来的对薄膜的污染。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119876866A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510105976.3
申请日：2025-01-23
Applicant: 上海原力芯辰科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种溅射成膜可控掺杂工艺及镀膜装置，涉及半导体镀膜技术领域。溅射成膜可控掺杂工艺包括：将基底和靶材放置在真空腔室内；向所述真空腔室内注入惰性气体和工艺气体；向所述真空腔室放电以使所述惰性气体电离；将具有有机金属化合物的气体通入所述真空腔室进行掺杂反应，以在所述基底表面制备出含有对应金属的化合物掺杂的膜层。因此，通过通入不同浓度的有机金属化合物气体和工艺气体反应并生成金属化合物，以实现调整薄膜上金属化合物的掺杂浓度，有效提高了膜层掺杂浓度的可调控性，还能够实现多层结构的膜层沉积，因而可适应更多更高的工艺需求。
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公开(公告)号：CN119243108B
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202411768836.6
申请日：2024-12-04
Applicant: 苏州佑伦真空设备科技有限公司
IPC: C23C14/50 , C23C14/34 , C23C14/35 , H01L21/687
Abstract: 本发明提出一种溅射镀膜机的真空腔室内的承托机构，包括加热腔体，当需要加工晶圆时，通过第二升降机构上升，托盘支柱穿过对应的第三通孔用于承接晶圆输送口进入的晶圆，随后，通过第二升降机构下降，将晶圆下落至晶圆加工托盘的上表面，通过第一升降机构运送晶圆加工托盘以及其上的晶圆至指定位置进行加工，保证晶圆在运输过程中的完整性，该结构简单，自动化程度高。
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公开(公告)号：CN119162548B
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202411686672.2
申请日：2024-11-25
Applicant: 苏州晶歌半导体有限公司
Abstract: 本发明公开了一种氮化铝薄膜的制备方法，其包括：对蓝宝石衬底的表面进行预处理，以增加所述蓝宝石衬底的表面的氧空位浓度；在经预处理后的蓝宝石衬底的表面上沉积形成氮化铝薄膜。本发明还公开了一种利用该制备方法制备得到氮化铝薄膜。本发明通过对蓝宝石衬底进行预处理，使蓝宝石衬底表面的氧空位增加，氧空位的增加会提高Al离子电导率，降低Al离子在界面的迁移势垒，促进Al离子的横向迁移，使得AlN初期倾向于进行二维生长。因此，不仅可以避免原本三维生长导致的位错及应力，同时还减少了AlN覆盖蓝宝石PSS衬底的时间，提高了量产效率。
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公开(公告)号：CN119857851A
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202411990405.4
申请日：2024-12-31
Applicant: 广州市尤特新材料有限公司
Abstract: 本发明属于合金材料技术领域，本发明具体公开了一种钨靶复合材料及其制备方法，包括以下步骤：（1）将球形钨粉、球形钛粉、羧甲基纤维素钠、聚乙烯醇加入到水中，球磨混合均匀，得到第一混合液；（2）将碳纳米管、氨基硅烷偶联剂加入到硝酸溶液中，搅拌均匀，得到第二混合液；（3）将第一混合液、片状二硫化钼粉、第二混合液混合均匀，超声处理，干燥，得到前驱体；（4）将前驱体进行脱脂，烧结，得到钨靶复合材料。所述的钨靶复合材料具有优异的导电性和力学性能，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN119855939A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202380068406.0
申请日：2023-10-13
Applicant: 山阳特殊制钢株式会社
IPC: C23C14/34
Abstract: 提供一种溅射靶，其主要成分是Cr且可得到均质的薄膜。溅射靶由Cr基合金构成。该Cr基合金含有10.0at%以上且30.0at%以下的B。该靶的金属组织包括CrB相和Cr单相。该CrB相的关于（111）面的X射线衍射峰相对于Cr单相的关于（110）面的X射线衍射峰的比率为10%以上且80%以下。该靶的3点弯曲试验的抗折强度，优选为300MPa以上。Cr基合金的含氧率优选为2000ppm以下。
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