用于将靶材料溅射沉积到基底的方法和设备

    公开(公告)号:CN114868224B

    公开(公告)日:2025-04-29

    申请号:CN202080089400.8

    申请日:2020-11-10

    Abstract: 公开了一种用于将靶材料溅射沉积到基底的设备。在一种形式中,该设备包括在使用中在其中提供基底的基底部分和在使用中在其中提供靶材料的靶部分。靶部分和基底部分在它们之间限定沉积区。该设备包括在使用中用于产生等离子体的天线装置和限制装置。限制装置包括天线装置和沉积区之间的第一元件以及第二元件。天线装置位于第二元件和沉积区之间。第一元件在使用中将等离子体限制成朝向沉积区,以提供靶材料到基底的溅射沉积。第二元件在使用中将等离子体限制成远离第二元件,朝向天线装置,并且经由第一元件朝向沉积区。

    集成电路铜互连中含第六副族氮化物的扩散阻挡层

    公开(公告)号:CN119890178A

    公开(公告)日:2025-04-25

    申请号:CN202510102526.9

    申请日:2025-01-22

    Applicant: 云南大学

    Abstract: 本发明涉及集成电路铜互连中含第六副族氮化物的扩散阻挡层,属于芯片制造领域。所述扩散阻挡层包括含Cr的扩散阻挡层、含氮化钼的扩散阻挡层、含氮化钨的扩散阻挡层;所述含Cr的扩散阻挡层中含有Cr和N、优选为由Cr和N组成。本发明所设计和制备的厚度小于等于16nm的含Cr的扩散阻挡层在800℃退火处理之后扩散阻挡性能未失效。本发明所设计和制备的厚度小于等于16nm的含氮化钼的扩散阻挡层在700℃退火处理之后扩散阻挡性能未失效。本发明所设计和制备的厚度小于等于16nm的含氮化钨的扩散阻挡层在600℃退火处理之后扩散阻挡性能未失效。本发明涂层组分设计合理,制备工艺简单可控,所得产品性能优良,便于产业化应用。

    一种X射线源先进复合靶材及其制备方法

    公开(公告)号:CN119890006A

    公开(公告)日:2025-04-25

    申请号:CN202510013641.9

    申请日:2025-01-06

    Inventor: 毛庆全 杨沛

    Abstract: 本发明涉及技术领域,具体涉及一种X射线源先进复合靶材及其制备方法,包括:S1、选取的基材和基材压板,并对基材及基材压板进行清洗处理,之后,进行真空烘干处理;S2、将真空烘干后的基材放置在专用工装上,采用溅射方式在基材的内侧面上溅镀一层内薄膜,再采用溅射方式或化学气相沉积工艺在基材的外侧面上形成一层外薄膜,得到镀膜后的基材;S3、将镀膜后的基材与真空烘干后的基材压板之间进行真空钎焊连接,钎焊温度控制在450‑550℃范围内,得到复合靶材。该复合靶材具有优异的性能,能够很好的兼顾了匀热与散热效率,将焦点处集中的热量向X、Y方向传导扩散;解决了现有技术中存在的现有的靶材匀热性能差、散热效果不好等问题。

    一种二次光刻图形化金属电镀工艺方法

    公开(公告)号:CN119877055A

    公开(公告)日:2025-04-25

    申请号:CN202411992630.1

    申请日:2024-12-31

    Abstract: 本发明涉及半导体激光器领域技术领域,尤其涉及一种二次光刻图形化金属电镀工艺方法,包括步骤:取正面金属欧姆接触后的晶圆,一次匀光刻胶,一次前烘;对光刻胶进行一次曝光,进行一次后烘;进行一次显影,得到一次保留光刻胶;溅射形成Ti‑Ag金属薄层;二次匀光刻胶,二次前烘;进行二次曝光,二次后烘;进行二次显影,得到二次保留光刻胶,二次保留光刻胶的尺寸大于一次保留光刻胶的尺寸;电镀Au金属层;剥离光刻胶层得到图形化的Ti‑Ag‑Ag金属层;本发明提供一种可以有效改善电镀金属厚度均匀性并降低工艺难度的工艺方法,不受晶圆表面金属层区域和绝缘层区域限制,电镀厚金属能够均匀覆盖各区域,均匀性可达到8%。

    细栅镀膜设备及其镀膜方法
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119876890A

    公开(公告)日:2025-04-25

    申请号:CN202510124465.6

    申请日:2025-01-26

    Abstract: 本申请涉及一种细栅镀膜设备及其镀膜方法,包括基膜卷绕机构、掩膜传动机构、压合机构以及沉积机构。基膜卷绕机构包括基膜、收卷辊及与所述收卷辊同步转动的放卷辊,基膜的一端绕设在收卷辊上,另一端绕设在放卷辊上;掩膜传动机构包括掩膜、第一辊及与所述第一辊同步转动的第二辊,掩膜的一端绕设在第一辊上,另一端绕设在第二辊上,掩膜上开设有镂空图形;压合机构用于挤压基膜和掩膜,以使得部分掩膜与部分基膜贴合,形成贴合段;沉积机构用于在所述贴合段沉积待沉积物质,以在所述镂空图形内形成栅线。即通过本申请的细栅镀膜设备能够实现栅线的连续化生产,大大提高了生产效率,适合大规模批量生产。

    优化膜层台阶厚度和平面厚度比值的晶圆镀膜装置

    公开(公告)号:CN119876881A

    公开(公告)日:2025-04-25

    申请号:CN202510317590.9

    申请日:2025-03-18

    Abstract: 本申请公开了一种优化膜层台阶厚度和平面厚度比值的晶圆镀膜装置,包括工作腔、载台、靶材和准直器,镀膜过程中,靶材溅射出的金属原子能够穿过准直器、落到载台承接的晶圆上,准直器能够挡去部分金属原子,使得沉积到平面上的金属原子量减少;准直器包括上安装板、下安装板和金属波纹管,金属波纹的管壁呈波纹状,能够高效捕捉并固定金属原子,还能够承受一定的压力、并进行适应性弹性变形;上安装板和下安装板的间距可调,以便于根据工艺要求控制倾斜原子的通过量,从而降低晶圆表面膜层的平面厚度、改善膜层台阶厚度和平面厚度的比值、优化晶圆的镀膜效果。

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