-
公开(公告)号：CN119943655A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510001242.0
申请日：2019-07-30
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/205 , C23C16/04 , C23C16/455 , C23C16/42
Abstract: 在一个实施方式中，提供了一种在基板上选择性地沉积硅锗材料的方法。所述方法包括：将所述基板定位在基板处理腔室内，所述基板上具有介电材料和含硅单晶；将所述基板维持在约450℃或更低的温度处；将所述基板暴露于工艺气体，所述工艺气体包括：硅源气体、锗源气体、蚀刻剂气体、载气和至少一种掺杂剂源气体；和在所述基板上外延地和选择性地沉积第一硅锗材料。
-
公开(公告)号：CN119932537A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510402382.9
申请日：2025-03-31
Applicant: 江苏微导纳米科技股份有限公司
Inventor： 荒见淳一
IPC: C23C16/455 , C23C16/50 , C23C16/52 , C23C16/44
Abstract: 本发明提供了一种分气装置及沉积设备，包括：壳体，内部中空且设有第一通道、容置空间以及N个第二通道，容置空间分别与第一通道和N个第二通道连通，第一通道用于与远程等离子体源连接，第二通道用于与喷淋板连通或者通过导气管路与喷淋板连通；旋转阀本体，可转动地设于容置空间内，旋转阀本体包括对应第一通道设置的进口以及与进口连通的N个出口；驱动件，与旋转阀本体驱动连接且用于驱动旋转阀本体转动。本发明通过驱动件的驱动，旋转阀本体可以在打开位置和关闭位置之间切换，从而通过一个旋转阀本体就可以实现对N个第二通道的清洁气体的通断控制，简化了整个分气装置的结构，降低了装置的制造成本。
-
公开(公告)号：CN119913461A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510083497.6
申请日：2025-01-20
Applicant: 西安交通大学
IPC: C23C14/32 , C23C14/02 , C23C14/06 , C23C16/455 , C23C16/40
Abstract: 本发明公开了一种铝合金表面结晶纳米复合膜层及制备方法，包括：在基体表面制备Cr镀层，然后Cr镀层上制备CrAlN镀层，得到镀有CrAlN膜层基体；在镀有CrAlN膜层基体表面制备TiO2镀层，在铝合金表面形成纳米复合膜层。其中，CrAlN镀层提供结构支持和抗氧化性，而结晶性TiO2镀层增强表面的抗结焦能力和自清洁特性。这种多层设计能够显著提升整体抗结焦效果，并延缓焦炭沉积速率。
-
公开(公告)号：CN114222830B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202080057459.9
申请日：2020-08-11
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 提供了用于衬底处理中，例如在半导体制造应用中的动态工艺控制的方法和系统。提供了一些示例系统和方法，其用于原子层沉积(ALD)工艺中的高级监控和机器学习。一些示例还涉及用于室参数匹配和气体管线填充时间的动态工艺控制和监控。
-
公开(公告)号：CN119900018A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202510037112.2
申请日：2019-10-03
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/40 , H01L21/02
Abstract: 公开了以＞600℃的温度形成氧化硅的原子层沉积(ALD)工艺。所用的硅前体具有下式：I.R1R2mSi(NR3R4)n，其中R1、R2和R3各自独立地选自直链或支链的C1至C10烷基和C6至C10芳基；R4选自氢、直链或支链的C1至C10烷基以及C6至C10芳基、C3至C10烷基甲硅烷基；其中R3和R4连接以形成环状环结构或R3和R4不连接形成环状环结构；m为0至2；n为1至3；并且m+n＝3。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119900016A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202510058831.2
申请日：2025-01-15
Applicant: 苏州三色传感科技有限公司
IPC: C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/48 , C23C16/458 , C23C16/56 , C30B25/14 , C30B25/12 , C30B25/10 , C30B33/02
Abstract: 本发明公开了一种超薄疏松膜制备用沉积设备及其工作方法，包括：主体单元包括电源放置箱以及固定安装在电源放置箱上表面的沉积箱，所述沉积箱两侧均开设有摆动槽。本发明利用限位框、第一弹簧、橡胶缓冲垫、连接杆、泵体、导气板、卡合气槽、排气板、密封顶板和导气槽，使限位框、第一弹簧和连接杆在密封板翻转过程中，对其进行辅助缓冲处理，防止其在一定程度上提高对设备的保护效果，进一步，利用泵体将气体原料通过导气槽向沉积箱内部进行排放，并利用倾斜气槽对进入气体进行加速处理，使其在进入沉积箱内部时进行一定程度上的加速处理。
-
公开(公告)号：CN119894021A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510072761.6
申请日：2025-01-17
Applicant: 南京大学
IPC: H10D30/01 , H10D64/01 , H10D62/17 , B82Y40/00 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开了一种非EUV技术的亚纳米节点晶体管的制备方法，通过将晶体管的源电极、漏电极、电极隔绝层分三步制作，使源、漏电极间距由隔绝层厚度来决定，实现1至10纳米超短沟道长度的晶体管。本发明针对EUV光刻方案单次精度低、设备昂贵等问题，利用半导体与电极之间的表面亲水性差异，实现介质在电极侧壁的侧向ALD生长，作为电极隔绝层，通过介质生长厚度来控制晶体管的沟道长度；由于ALD方法对介质厚度的控制优势，单次工艺精度为1纳米，远优于现有EUV光刻设备的单次工艺精度，大大简化微电子制造工艺流程，提高器件良率。
-
公开(公告)号：CN119876911A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510109680.9
申请日：2025-01-23
Applicant: 艾华(无锡)半导体科技有限公司
Inventor： 强恒存
IPC: C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本发明是一种卧式匀片机及匀片方法，包括：对花篮进行缺片检测，每次对两个相同的花篮一组同时进行检测，根据硅片单面镀膜的工艺要求，若其中任何一个花篮提示缺片异常，则这组两个花篮同时搬运至匀片机的花篮承载平台进行匀片，同时匀片机得到异常花篮的缺片信息，包括缺片数量及缺片位置。本发明的优点：设备结构和方法设计合理，具体的，（1）可有效避免ALD工艺舟内硅片单片放置的情况，无须人工干预，高效、稳定；（2）卧式匀片机花篮倾斜3°角布置，使得花篮内的硅片整齐、有规律的排布，匀片精准、无划伤；（3）匀片机构独立工位运行，不影响整机节拍，可有效提升整机稼动率，提高设备产能。
-
公开(公告)号：CN119876909A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202411442779.2
申请日：2024-10-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 加藤寿
IPC: C23C16/455 , C23C16/44
Abstract: 本发明提供一种技术，在成膜中可将基板支撑部等上形成的膜稳定地除去。清洁方法具有，(A)工序，从处理容器的内部将实施成膜处理的基板搬出，(B)工序，在(A)工序后，在处理容器的内部清洁支撑基板的基板支撑部和/或该基板支撑部的周边部。(B)工序中，在使基板支撑部旋转的同时，以喷嘴机构部的排出口通过基板支撑部的中心的方式，使基板支撑部或喷嘴机构部进行相对移动，且从喷嘴机构部的排出口向基板支撑部和/或该基板支撑部的周边部排出清洁气体，由此，部分清洁基板支撑部和/或基板支撑部的周边部的成膜区域。
-
公开(公告)号：CN119859791A
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202311371562.2
申请日：2023-10-20
Applicant: 中微半导体(上海)有限公司 , 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本发明公开了一种气体供给装置及成膜装置，所述气体供给装置包括：底座；进气顶盖，其设置在底座的顶端上；水冷板，其设置在底座上；第一分区环组，其设置在气体分隔板上。第二分区环组，其设置在水冷板上。第三分区环组中部分分区环环绕所述第一分区环组，与第一分区环组形成相互独立的上部中心区域空间和第一和第二上部边缘区域空间；第三分区环组中其余分区环环绕第二分区环组，与第二分区环组形成相互独立的下部中心区域空间和第一和第二下部边缘区域空间。第二上/下部边缘区域空间连通并向反应腔内通入围绕反应气体的吹扫气体，本发明可以在满足管路结构简单的条件下实现对反应腔内进行分区独立供气，且还能提高反应气体的源效。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
13339
records
(took 0.021 seconds)
