公开(公告)号：CN119948199A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202380068450.1

申请日：2023-07-26

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 金钟允 ,  沈金松 ,  罗曼·M·莫斯托沃伊 ,  宋元浩 ,  陈佩嘉

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/50 ,  C23C16/52

Abstract: 本文所述的实施方式涉及用于清洁半导体工艺腔室部件的工艺系统。所述工艺系统包括工艺腔室，所述工艺腔室具有工艺腔室部件。所述工艺腔室组件包括基板支撑件，所述基板支撑件设置在所述工艺腔室的腔室空间内。气体分配组件面向所述基板支撑件。气体挡板流体地耦接到所述气体分配组件。传感器系统耦接到所述工艺腔室并被配置为监测所述工艺腔室的所述空间的至少一个特性。动态气体辅助件流体地耦接到所述气体挡板并通信地耦接到所述传感器。

公开(公告)号：CN119932526A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202311444147.5

申请日：2023-11-01

Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司

Inventor： 庄宇峰 ,  吕术亮 ,  董维 ,  谢忠帅 ,  李远

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52 ,  C23C16/46

Abstract: 本发明公开了一种加热器的热膨胀量测量方法，包括步骤：第一温度下，通过高度调节组件逐渐缩小晶圆与加热器的间距，过程中保持抽气管道抽气并实时记录抽气管道出口处的气压值，当该气压值趋于稳定时，获取第一温度下第一气压值到达第一饱和点时对应的所述高度调节组件的第一位置；第二温度下，重复上述步骤，当抽气管道出口处的气压值趋于稳定时，获取第二温度下第二气压值到达第二饱和点时对应的所述高度调节组件的第二位置；计算所述第一位置和第二位置的差值，得到所述加热器在第一温度和第二温度之间的竖直方向热膨胀量；该方法操作简单、测量结果精确，无需改变反应腔的内部结构，也不会影响反应腔内的热场分布。

公开(公告)号：CN119932485A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202510087376.9

申请日：2025-01-20

Applicant: 安徽光智科技有限公司

Inventor： 梁献波 ,  刘克武 ,  尹士平

IPC: C23C14/30 ,  C23C14/26 ,  C23C14/02 ,  C23C14/18 ,  C23C14/06 ,  C23C14/54 ,  C23C16/26 ,  C23C16/44 ,  C23C16/52 ,  C23C28/00

Abstract: 一种硒化锌基底镀制8‑12μmDLC+AR膜的制备方法包括步骤镀制DLC膜层和镀制AR膜。镀制DLC膜层包括：作为镜片的硒化锌基底的陪镀片和透镜产品的凸面清洁；放入工装夹具，挂入腔体内；抽真空并加热，离子源清洗；凸面镀251nmGe/211nmZnS/667.6nmGe；冷却，工装夹具连同镜片取出；检查光洁度；将陪镀片和光洁度检测合格的产品置于碳膜机；抽真空,RF离子源清洗；镀DLC；冷却，取出镜片。镀制AR膜包括：作为镜片的凹面对应的面清洁；放入工装夹具，挂入腔体内；抽真空并腔体加热，离子源清洗；凹面镀41.5nmGe/1443nmZnSe/1484nmYbF3/65nmZnS，Ge电子束蒸发，ZnSe、YbF3和ZnS电阻加热蒸发，离子源辅助沉积；冷却，工装夹具连同镜片取出。

公开(公告)号：CN117848261B

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202311803397.3

申请日：2023-12-25

Applicant: 广东鼎泰高科技术股份有限公司

Inventor： 曹时义 ,  李浩 ,  张耀祖 ,  王俊锋 ,  蒋健康 ,  赵紫锋 ,  龚文安

IPC: G01B21/08 ,  G06F30/17 ,  G06F30/20 ,  G06F17/10 ,  C23C16/27 ,  C23C16/52 ,  G01G19/414 ,  G01B21/02 ,  G01B21/10

Abstract: 本发明公开一种金刚石涂层刀具的膜厚监测方法，所述刀具包括刃部，所述膜厚监测方法包括如下步骤：获取待镀膜刀具的实际参数；依据所述实际参数确定对应的仿真参数，依据所述仿真参数选取对应的参考工件，所述参考工件包括圆台形的仿真刀刃；构建膜厚计算模型，所述膜厚计算模型通过所述仿真参数和实时测量的所述参考工件的重量得到，表征所述参考工件在镀膜时，所述仿真刀刃的膜厚和和参考工件的重量之间的映射关系；获取所述待镀膜刀具的实时重量和/或所述参考工件的实时重量，依据所述膜厚计算模型，确定所述待镀膜刃部的实时膜厚。本发明结构简洁，控制方法直接，涂层厚度控制更精确，非常利于实际操作。

公开(公告)号：CN113755824B

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202110612556.6

申请日：2021-06-02

Applicant: ASM IP私人控股有限公司

Inventor： 森幸博

IPC: C23C16/458 ,  C23C16/50 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52 ,  H01L21/67 ,  H01L21/687

Abstract: 一种用于处理衬底的设备可以包括：反应室；衬底支撑件，其设置在反应室内并设置有支撑表面以支撑衬底；以及提供旋转运动的马达，其中马达被控制和配置成在反应室和衬底支撑件之间围绕垂直于支撑表面的轴线产生双向旋转运动。

公开(公告)号：CN119900019A

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202510096613.8

申请日：2025-01-21

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 刘东

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/67 ,  C23C16/52

Abstract: 本申请公开了一种工艺腔室及半导体工艺设备，工艺腔室包括腔室本体、封盖在腔室本体的顶部的上盖、在上盖的顶部与上盖固定连接的驱动结构，以及升降机构，升降机构包括：丝杠，一端与驱动结构连接；螺母，与腔室本体连接，并且螺母沿轴向相对于腔室本体具有第一预设距离的可自由活动行程；螺母与丝杠配合连接；驱动结构用于驱动丝杠转动，以使上盖相对于腔室本体进行升降运动，并在上盖封盖腔室本体时，继续驱动丝杠转动，以使螺母向上运动第二预设距离，第二预设距离小于或等于第一预设距离。本申请工艺腔室上半部分的整体重量直接支撑于腔室本体上，可以提高升降机构的使用寿命。

公开(公告)号：CN118910583B

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202411406805.6

申请日：2024-10-10

Applicant: 东领科技装备有限公司

Inventor： 张小强 ,  张远昊

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/52 ,  C23C16/54 ,  C23C16/458 ,  C23C16/02

Abstract: 本发明公开了一种连续生产用原子层沉积设备，涉及原子层沉积技术领域。本发明包括沉积设备本体，所述沉积设备本体的顶部固定安装有沉积腔室和离子清洗腔室，所述沉积腔室和所述离子清洗腔室的内部相连通，所述沉积腔室和所述离子清洗腔室的底部内壁均固定安装有电动滑轨，所述沉积腔室和所述离子清洗腔室之间设置有电动滑门，所述电动滑门与所述电动滑轨相适配。本发明通过设置预热组件，使得加热器控制各个保温液箱的温度保持一致，流动的换热液透过保温套管对进气管进行调温，当气体同步输送至各个喷淋盘中后，温度一致的进气管可以使气体在流动途中保持一致的温度，大幅缩小温差对晶圆表面沉积的单原子膜生长的影响，保证镀膜质量的一致性。

公开(公告)号：CN116411253B

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202111649980.4

申请日：2021-12-30

Applicant: 新奥科技发展有限公司

Inventor： 张国松 ,  田小让 ,  赵鑫 ,  吴超 ,  李全

IPC: C23C16/28 ,  C23C16/50 ,  C23C16/52 ,  C23C16/56 ,  C23C24/00 ,  G21B1/13 ,  G21B1/05

Abstract: 本发明提供了一种托卡马克硼化工艺，包括：在聚变装置的第一壁上镀上一层初始硼膜，当测量的当前硼膜厚度为所述初始硼膜厚度的预设百分比时，在所述聚变装置中调试出特定且稳定可重复的等离子体位形，并对所述第一壁上已经沉积的硼膜进行等离子体清洗后，开始通过与聚变装置连通的硼粉注入装置以预设的工艺条件向所述聚变装置中注入硼粉，以实现在聚变装置的预设部位上沉积硼膜。本发明可有效延长硼膜寿命，提升硼膜的质量，缓解硼膜受轰击后的不均匀的问题，进一步提升了硼膜对杂质的吸附抑制能力，为聚变装置等离子体放电运行提供更为可靠的壁条件。

公开(公告)号：CN119876898A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202510110758.9

申请日：2025-01-23

Applicant: 西北工业大学

Inventor： 许曼章 ,  郭梦璇 ,  买书航 ,  郑璐 ,  李伟伟 ,  陈梓越 ,  王学文 ,  黄维

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/52 ,  C23C16/448 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种层数可控的二维扭角MoS2及其制备方法，所述方法采用化学气相沉积法，在不同温度下，结合硫源的定位调控，可以进一步调节MoS2的层数，得到了不同层数的多层扭角MoS2材料。该方法工艺简单，成本低廉，所制备的多层扭角MoS2表面质量高，表面均匀平整，无二次成核点。层数依赖的扭角结构可额外增加二维扭角材料的层间扭转自由度，有望使得与平带相关的物理现象出现在更宽的扭转角度范围，为探索扭转角依赖的物理现象和性能提供了材料基础。

公开(公告)号：CN119866093A

公开(公告)日：2025-04-22

申请号：CN202411990507.6

申请日：2024-12-31

Applicant: 芜湖协鑫集成新能源科技有限公司 ,  协鑫集成科技股份有限公司

Inventor： 吕加先

IPC: H10F71/00 ,  H10F71/10 ,  H10F77/30 ,  H10F77/20 ,  H10F77/70 ,  H10F10/166 ,  C23C16/24 ,  C23C16/56 ,  C23C16/52

Abstract: 本发明公开太阳能电池及其制备方法，制备方法包括：清洗抛光N型硅衬底；背面沉积隧穿氧化层和本征非晶硅层；磷扩散形成N型掺杂多晶硅层、PSG层；使用激光开槽，得到待形成P+掺杂区的P区；制绒；在正面依次沉积本征非晶硅层和减反膜；在背面依次沉积本征非晶硅层和P型掺杂非晶硅层；使用激光部分开膜，裸露出N区的PSG层；酸洗PSG层，裸落出其下面的N型掺杂多晶硅层；在背面整面沉积TCO导电薄膜层；使用激光开槽，形成隔离槽，对N区和P区进行绝缘，制备金属电极，烧结固化。本发明结合HBC和TBC的各自优势，简化工艺、降低成本，与传统H太阳能电池相比，在温度控制上更具优势，避免高温对硅片的热应力，提升硅片质量。