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    一种由稻壳制备含有晶须结构β-SiC的方法
    2.
    发明公开
    一种由稻壳制备含有晶须结构β-SiC的方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN119753806A

    公开(公告)日：2025-04-04

    申请号：CN202411755816.5

    申请日：2024-12-03

    Applicant: 吉林大学

    Inventor： 林海波 ,  雷宇鹏 ,  林楠

    IPC: C30B1/10 ,  C30B29/36 ,  C30B29/62 ,  C30B1/02

    Abstract: 本发明提供了一种由稻壳制备含有晶须结构β‑SiC的方法，属于资源综合利用和无机非金属材料领域。本方法首先将稻壳在保护气氛中炭化得到稻壳灰，稻壳灰除杂处理后分别和NaCl以及H3BO3充分混合得到稻壳灰混合物。将两组稻壳灰混合物以此放入同一气氛炉中，通入保护气，使气体按顺序依次通过H3BO3混合物和NaCl混合物，以2～10℃/min的升温速率加热至1300～1600℃高温处理1～5h，将得到的固体洗涤、干燥后在空气中灼烧得到β‑SiC。本发明以廉价的稻壳为原材料制备了极具商业价值的产品碳化硅，在制备过程中无需使用氢氟酸等高毒性以及高腐蚀性原材料，热处理温度低，可容易实现规模生产，能够改善目前工业上碳热还原法工艺污染大、能耗高问题，降低生产成本，有利于工业推广应用。

    铁铟铬微晶复合环状磁轭
    3.
    发明公开
    铁铟铬微晶复合环状磁轭 审中-实审

    公开(公告)号：CN119736715A

    公开(公告)日：2025-04-01

    申请号：CN202510044260.7

    申请日：2025-01-11

    Applicant: 福建船政交通职业学院

    Inventor： 林绍义 ,  黄国凯

    IPC: C30B29/52 ,  H01F7/00 ,  C30B29/60 ,  C22C28/00 ,  C22F3/00 ,  C22F1/16 ,  C22F1/02 ,  C30B30/00 ,  C30B30/06 ,  C30B27/00 ,  C30B1/02

    Abstract: 本发明公开了铁铟铬微晶复合环状磁轭,其特征在于:在磁轭零件的上表面设一表面材料层，表面材料层的上表面设有分布数量≥50个/(平方微米)的近似球形铁铟铬微晶，每个微晶含铟超过50%(wt%)且含铁超过8%(wt%)且含铬超过1%(wt%)、极大长度小于150nm，且在每个晶形成过程的底部部分与表面材料层的静态接触角都小于70°，且每个微晶与表面材料层的界面宽度大于该微晶的极大长度的15%；由不少于8个微晶分布组成近似封闭状的、大于120 nm且小于2μm的外环，环内部允许出现数量小于等于7个微晶但该环内的微晶与表面材料层的界面面积之和小于该环内部面积的35%；零件表面材料层和磁轭零件成为一体。

    一种廉价、简易制备单晶铜箔的方法
    5.
    发明公开
    一种廉价、简易制备单晶铜箔的方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN119507019A

    公开(公告)日：2025-02-25

    申请号：CN202411463425.6

    申请日：2024-10-21

    Applicant: 盐城工学院

    Inventor： 张勤芳 ,  霍占跃

    IPC: C30B1/02 ,  C30B29/02 ,  C22F1/08 ,  C21D9/46

    Abstract: 本发明公开了一种廉价、简易制备单晶铜箔的方法，包括以下步骤：(1)对多晶铜箔进行预处理；(2)将预处理后的多晶铜箔放于耐高温衬底，随后整体结构平稳地将其推进管式炉中；(3)检测管式炉的气密性；(4)洗气，向管式炉注入还原气体，以确保管式炉内的氧气被彻底清洗干净；(5)向管式炉中持续通入还原气体，将铜箔加热至表面熔化温度，保持10至30min，随后降温至退火温度，保温，保温阶段结束后铜箔将随炉自然冷却至室温，即得。通过热处理促进晶格的旋转和晶界的迁移，从而得到暴露吉布斯自由能最低的晶面的单晶铜箔。

    一种均匀畴结构的铁电晶体、周期极化方法及应用
    6.
    发明公开
    一种均匀畴结构的铁电晶体、周期极化方法及应用 审中-实审

    公开(公告)号：CN119465409A

    公开(公告)日：2025-02-18

    申请号：CN202411611463.1

    申请日：2024-11-12

    Applicant: 山东大学

    Inventor： 刘齐鲁 ,  桑元华 ,  王东周 ,  张龙喜 ,  宋于坤 ,  秦怀泽 ,  王孚雷

    IPC: C30B30/02 ,  C30B29/30 ,  C30B29/10 ,  C30B1/00 ,  C30B1/02 ,  G02F1/355

    Abstract: 本发明公开了一种均匀畴结构的铁电晶体、周期极化方法及应用，涉及非线性光学晶体材料技术与激光技术领域。该方法包括：在铁电晶体材料的正面蒸镀一层均匀的金属电极，在所述的铁电晶体材料的负面蒸镀一层均匀的透明电极；在蒸镀电极的铁电晶体材料表面上旋涂光刻胶，再依次经过光刻、显影、烘烤、腐蚀及去除光刻胶，得到携带金属电极图案的铁电晶体材料；通过反向电压或电子束聚焦法对携带金属电极图案的铁电晶体材料的极化反方向进行激发，构建畴核位点；通过外加电场对所得铁电晶体材料进行周期极化。本发明可快速制备出高质量大通光尺寸周期极化铁电晶体材料，周期极化铁电晶体口径的增加可以拓宽周期极化铁电晶体材料的应用场景和领域。

    一种在SiO2/Si衬底上制备微米级掺钕钇铝石榴石单晶薄膜的方法
    8.
    发明公开
    一种在SiO2/Si衬底上制备微米级掺钕钇铝石榴石单晶薄膜的方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN119411229A

    公开(公告)日：2025-02-11

    申请号：CN202411466713.7

    申请日：2024-10-21

    Applicant: 深圳技术大学

    Inventor： 项炳锡 ,  韩黄璞 ,  李青云 ,  马钰洁 ,  阮双琛

    IPC: C30B29/28 ,  C30B1/02 ,  C30B33/02 ,  H01S3/16

    Abstract: 本发明属于光学材料薄膜领域，公开了一种在SiO2/Si衬底上制备微米级掺钕钇铝石榴石单晶薄膜的方法，包括步骤：在硅基底晶圆表面热氧化形成二氧化硅薄膜，采用研磨抛光工艺磨削硅基底晶圆，得到SiO2/Si衬底，与掺钕钇铝石榴石晶圆直接键合，退火处理后，将掺钕钇铝石榴石晶圆磨削至与硅基底表面平行，化学机械抛光后，得到在SiO2/Si衬底上形成的微米级掺钕钇铝石榴石单晶薄膜。本发明采用先直接键合再进行高精度磨削的方式，显著提高了掺钕钇铝石榴石单晶薄膜的厚度均匀，在SiO2/Si衬底上实现了具有均匀厚度、单晶性良好的微米级掺钕钇铝石榴石单晶薄膜的制备。

    一种具有单晶颗粒形貌的高电压材料及其制备方法、电池
    9.
    发明公开
    一种具有单晶颗粒形貌的高电压材料及其制备方法、电池 审中-实审

    公开(公告)号：CN119340352A

    公开(公告)日：2025-01-21

    申请号：CN202310895162.5

    申请日：2023-07-20

    Applicant: 厦门松元电子股份有限公司

    Inventor： 杨和成 ,  谭焕辉 ,  张军志 ,  李太坤 ,  贺凯强

    IPC: H01M4/36 ,  C30B29/22 ,  C30B1/02 ,  C30B1/10 ,  H01M4/525 ,  H01M4/505 ,  H01M4/04 ,  H01M4/62 ,  H01M10/058 ,  H01M10/0525 ,  C01G23/00 ,  C01G25/00

    Abstract: 本发明提供一种具有单晶颗粒形貌的高电压材料，按照质量分数计，包括97.5％～99.5％主材料、0.3％～1.0％掺杂物质和0.2％～1.5％包覆材料，所述主材料的化学式为LixNi1‑y‑zCoyMnzO2，其中，0.95≤x≤1.15，0.1≤y≤0.30，0.2≤z≤0.40，所述掺杂物质掺杂于所述主材料中，且该掺杂物质选自Ba、Ca、Ti、Sr、Nb、W、Mg、Zr、Al中的一种或多种，所述包覆材料包覆于所述主材料的表面，且该包覆材料选自Al2TiO5、ZrTiO4、MgTiO3中的一种或多种。本发明的制备过程中均采用固体化合物进行混合，且一次引进掺杂元素，因而制备得到的高压材料具有单晶的形貌，其压实密度高，能量密度高，残留碱量低，加工性能好。采用本发明的高压材料制备得到的电池不仅具有较高的循环性能，而且由于主材料表面包覆有包覆层，因而也提高了电池的循环性能和安全性能。

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