公开(公告)号：CN119932702A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202510174294.8

申请日：2025-02-18

Applicant: 辽宁盛晶源半导体科技有限公司

Inventor： 覃佐燕 ,  殷利迎

IPC: C30B23/00 ,  C30B29/40

Abstract: 本发明涉及氮化铝晶体生长设备技术领域，具体地说，涉及一种调节氮化铝晶体生长炉体热对流的热场结构。其包括上保温屏、上侧保温屏、对流阻隔屏、下侧保温屏和下保温屏，在本发明中，上保温屏装配在上侧保温屏内，上侧保温屏装配在对流阻隔屏上方，对流阻隔屏装配在下侧保温屏上方，下保温屏装配在下侧保温屏内，所有保温屏为圆周对称分布。使用本发明作为氮化铝晶体生长炉的热场结构，可将氮化铝晶体生长炉内的热对流区域分隔为上下两部分，增加氮化铝晶体生长用坩埚的纵向温度梯度，进而增加氮化铝晶体的生长速率、提高氮化铝晶体的产量。

公开(公告)号：CN119895084A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202380064822.3

申请日：2023-09-05

Applicant: 眉山博雅新材料股份有限公司

Inventor： 王宇 ,  官伟明 ,  顾鹏 ,  雷沛

IPC: C30B19/06 ,  C30B23/00

Abstract: 本说明书实施例提供一种籽晶托及晶体生长方法，所述籽晶托包括籽晶托本体和连接杆，所述籽晶托本体固定在所述连接杆的一端，所述籽晶托本体上远离所述连接杆的一侧设有籽晶粘接面。

公开(公告)号：CN119859845A

公开(公告)日：2025-04-22

申请号：CN202411444788.5

申请日：2024-10-16

Applicant: LPE公司

Inventor： M·G·梅斯奇亚

IPC: C30B25/08 ,  C30B25/16 ,  C30B25/12 ,  C30B25/14 ,  C23C16/458 ,  C23C16/52 ,  C23C14/50 ,  C23C14/54 ,  C30B23/00 ,  C30B23/02 ,  G01P3/00 ,  G01L11/00

Abstract: 本发明公开了一种用于测量和控制半导体膜沉积外延反应器中的衬底的角速度的方法。本发明还公开了适于执行所述方法的组件，以及包括所述组件的反应室和反应器。特别地，尽管不是唯一地，上述组件、反应室和方法可以用于硅、碳化硅或氮化镓外延沉积的热壁横流反应器中。

公开(公告)号：CN119843354A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202510081759.5

申请日：2025-01-20

Applicant: 苏州芯指南科技有限公司

Inventor： 李留臣

IPC: C30B23/00 ,  C30B29/36

Abstract: 本发明涉及一种籽晶热压粘接机构，包括载台、压盘和冷却环，载台包括载台本体和活动地设于载台本体上且可将载台本体上的籽晶座顶起并与载台本体分离的顶出组件；压盘用于与载台本体配合以对位于两者之间的籽晶座进行压合；冷却环环设在籽晶座的外侧且与冷却气体源相连通，其内侧开设有喷气孔，用于喷出冷却气体对籽晶座进行降温。本发明通过在载台本体上设置顶出组件，能够将载台本体上的籽晶座顶起并与载台本体分离，从而能够加快籽晶座、载台本体的散热；同时通过冷却环的设计，进一步加快了籽晶座和载台本体降温速度，实现籽晶座的快速冷却，保证籽晶片与籽晶座粘接品质的同时，生产效率更高。

公开(公告)号：CN119800492A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202510077221.7

申请日：2025-01-17

Applicant: 辽宁盛晶源半导体科技有限公司

Inventor： 殷利迎 ,  覃佐燕

IPC: C30B23/00 ,  C30B29/40

Abstract: 本发明公开了一种抑制AlN晶体PVT法生长过程中低温形核的坩埚及生长工艺，属于人工晶体生长技术领域，包括：籽晶托、坩埚筒和坩埚底；所述籽晶托下表面固定有AlN籽晶，并盖于所述坩埚筒顶部，所述坩埚筒内部设置有提前烧结定形的AlN原料块，所述AlN原料块放置于坩埚底顶部，所述坩埚底为凸字形状，且其边缘凹处均匀分布有多个AlN多晶片；所述坩埚筒底部由多个所述AlN多晶片进行支撑，使其位于坩埚底上方，本发明的坩埚结构，经过烧结AlN原料块、装配坩埚结构以及根据生长结果调整AlN多晶片厚度等多个步骤的生长工艺，区别于传统的温度梯度反转法，可以避免低温阶段气相成分在籽晶表现过早沉积对结晶质量的影响，可实现高质量籽晶的多次接续生长。

公开(公告)号：CN119776979A

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202411992922.5

申请日：2024-12-31

Applicant: 富芯晶圆制造(深圳)有限公司

Inventor： 请求不公布姓名 ,  请求不公布姓名 ,  请求不公布姓名 ,  请求不公布姓名 ,  请求不公布姓名

IPC: C30B23/00 ,  C30B29/36

Abstract: 本发明公开了一种降低碳化硅晶体缺陷的制备方法，涉及碳化硅加工技术领域，包括以下步骤：将碳化硅原料装入到坩埚中；在碳化硅原料的上方装填一层导电碳化硅层，导电碳化硅的纯度为99％以上；在导电碳化硅层的上方装填一层陶瓷层；在坩埚盖上接上碳化硅籽晶，将坩埚放入碳化硅晶体生长炉。本发明可以解决大幅改善当前碳化硅单晶制备方法所导致的包裹体、位错等缺陷的质量问题。

公开(公告)号：CN119685933A

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202411853546.1

申请日：2024-12-16

Applicant: 重庆奕欣科技有限公司

Inventor： 郑秉胄

IPC: C30B29/36 ,  C30B23/00

Abstract: 本公开提供了用于碳化硅晶体生长的坩埚、设备以及方法；所述坩埚包括：筒状的坩埚本体，所述坩埚本体用于盛装碳化硅粉末；以及推料组件，所述推料组件设置在所述坩埚本体内，并且所述推料组件能够在生长碳化硅晶体的过程中沿所述坩埚本体的径向方向移动，以将所述坩埚本体的中心区域的碳化硅粉末推送至所述坩埚本体的边缘区域。

公开(公告)号：CN119663427A

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202411283636.1

申请日：2024-09-13

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社 ,  未来瞻科技株式会社

Inventor： 植松大辅

IPC: C30B23/00 ,  C30B25/00 ,  C30B29/36 ,  G16C20/70 ,  G06N3/092

Abstract: 碳化硅单晶制造装置(1)具备测定供给到坩埚(9)内的包含碳化硅原料气体的供给气体(20)的气体压力(Pobs)的压力传感器(14)。此外，碳化硅单晶制造装置(1)具备运算器(15)，该运算器(15)基于通过使用了根据碳化硅单晶(3)的生长的仿真及实验结果计算出的数据的机器学习而制作的学习模型、以及压力传感器(14)测定出的气体压力(Pobs)，预测到气体导入管(4)被固体附着物(30)堵塞为止的时间即堵塞时间。

公开(公告)号：CN119663426A

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202411183531.9

申请日：2024-08-27

Applicant: 盛新材料科技股份有限公司

Inventor： 马代良 ,  虞邦英 ,  林柏丞

IPC: C30B23/00 ,  C30B29/36

Abstract: 本申请提出一种碳化硅晶体制备装置及碳化硅晶体制备方法，包括：坩埚与扩晶导引组件，坩埚包括具有内部空间的坩埚本体与固定晶种且覆盖坩埚本体的坩埚盖，内部空间容纳原料；扩晶导引组件包括外缘构件与管状芯构件；外缘构件固定于坩埚本体且位于坩埚盖与原料之间，具有直径大于晶种的长晶面的直径的通孔；管状芯构件有可挠性且为高纯度石墨材料，机械连接通孔的内壁；管状芯构件的内直径小于或等于晶种的长晶面直径，长度小于其底部与原料之间的距离；长晶过程中，管状芯构件因晶体的长晶前缘的触及而脱落，外缘构件不与晶体发生反应。因此，可提供大尺寸的高质量晶锭。

公开(公告)号：CN119663176A

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202410857278.4

申请日：2024-06-28

Applicant: 南京航空航天大学

Inventor： 张玲珑 ,  方睿 ,  康健 ,  杨顺顺

IPC: C23C14/06 ,  C23C14/12 ,  C23C14/54 ,  C30B29/54 ,  C30B23/00

Abstract: 本发明公开了一种与温度相关的调控#imgabs0#能量转移效率的方法，首先制备二维有机无机异质结结构，接着将异质结样品放入冷台中，放置在荧光光谱仪下，然后连接控温设备，就能控制样品温度以调节样品的#imgabs1#能量转移效率。本发明为二维材料的FRET调节提供了新的角度，提高层间电荷和能量转移的见解，该研究对检测纳米尺度的相互作用具有重要意义，在生物医学、传感和成像等领域具有广泛的应用前景。