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公开(公告)号：CN119877099A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510126686.7
申请日：2025-01-27
Applicant: 威刚(北京)汽车有限公司
IPC: C30B25/18 , H01L21/02 , H10D62/10 , H10D62/83 , H10D62/80 , C30B29/16 , C30B25/16 , C30B29/04 , C30B25/00
Abstract: 本发明属于半导体芯片生产技术领域，具体的说是一种在金刚石表面异质外延的氧化镓及其制备方法，包括：衬底；晶体器件；所述衬底采用金刚石材料，所述晶体器件采用氧化镓材料；所述晶体器件采用异质外延技术生长在衬底表面；通过采用异质外延的技术，金刚石晶圆的制造，要求纯度高、晶相一致、杂质少、尺寸大；氧化镓也要制造出大尺寸的材料，也要和金刚石相同的尺寸，充分利用氧化镓的超低成本优势和电子迁移率、耐低温等特性和金刚石的特性结合起来，研发出新型异质结构的大功率、高散热、超低温、高频率、低价格的功率和频率芯片，实现性能非常好的功率和频率芯片；其中异质外延要设计出外延的层数、结构、材质、工艺等。
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公开(公告)号：CN119776982A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411800745.6
申请日：2024-12-09
Applicant: 湖北兴发化工集团股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种低成本黑磷晶体的制备方法。其中黑磷晶体制备装置是反应器，具体表现是在反应器内壁原料端管壁上安装可上下移动的轨道。方法首先是在惰性氛围下在反应器原料端投入一定量的磷原料、催化剂及输运剂，待投料全部完成后，将隔板放入到反应器中，隔板在反应器原料端可上下移动，待到合适位置后将其固定在轨道上，然后密封反应器成核端，设置升温程序进行加热，程序结束后打开反应器可得到高质量的黑磷晶体。副产物全部附着在隔板上，在将隔板取下来后进行收集方便下次使用（代替催化剂）。本发明操作简单、工艺简单、质量稳定、效率高、副产物回收利用方便，生产产品成本将大大降低。
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公开(公告)号：CN119640394A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411807028.6
申请日：2024-12-10
Applicant: 广东工业大学
Abstract: 本发明属于钙钛矿纳米晶材料技术领域，具体涉及一种平凸透镜型CsPb2Br5‑CsPbBr3复合微米盘及其制备方法。为开发可控生长的CsPb2Br5‑CsPbBr3复合材料，本发明利用化学气相沉积法，将CsBr与PbBr2均匀混合，置于管式炉中心，将硅衬底置于管式炉下游，通入惰性气体，经过高温生长反应后，通过控制适宜的冷却温度在硅衬底上得到表面光滑、形貌为平凸透镜型的CsPb2Br5‑CsPbBr3复合微米盘。本发明制备CsPb2Br5‑CsPbBr3复合材料的方法，所需的原料易得，制备过程简单，适合大规模生产，所制得的平凸透镜型CsPb2Br5‑CsPbBr3复合微米盘光学性能优异、可控。
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公开(公告)号：CN119571453A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202510130622.4
申请日：2025-02-05
Applicant: 浙江晶盛机电股份有限公司 , 浙江晶信绿钻科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种金刚石长晶装置，属于金刚石生长技术领域，解决了现有技术金刚石生长质量欠佳的问题。本发明包括第一腔体，第一腔体下方设有生长区，所述生长区用于生长金刚石；天线，所述天线设置于第一腔体内且位于生长区上方，天线用于激发反应气体形成等离子体；以及调节组件，所述调节组件包括调节环和驱动件，所述调节环活动设置于天线上方，调节环用于约束等离子体的形态，所述驱动件作用于调节环，以使调节环至少具有水平方向的活动自由度。本申请通过额外配置调节组件，利用调节环约束等离子体的形态，然后通过驱动件调节调节环的水平位置，从而间接调节等离子体的水平位置，如此实现等离子体的位置纠偏，进而提高金刚石的长晶质量。
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公开(公告)号：CN119507033A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411500913.X
申请日：2024-10-25
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明提供一种利用高通量化学气相输运法制备单晶的方法，包括以下步骤：将不同的原料单独设置在石英管的原料区域，每个原料中分别加入输运剂，将石英管抽真空并密封处理；然后将石英管放入加热炉内进行加热，分别设置原料区域和结晶区域的加热温度以形成不同温度梯度，升温后原料与输运剂发生反应生成气态化合物，然后原料与原料之间自由反应，在温度梯度的作用下从高温向低温区域移动，并在不同的温度区域结晶生长。本发明操作简单，可以通过一次实验生长出不同比例的单晶，有效减少在实验过程中人为导致生长条件的差异，大大优化了实验技术缩短了实验周期，对于元素参杂、相图的构建具有重要意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119465388A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411552807.6
申请日：2024-11-01
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本发明涉及晶体生长技术领域，具体涉及氧化物单晶厚膜生长装置、生长系统及生长方法。氧化物单晶厚膜生长装置包括管体、金属源反应器、底托、输送单元和供气单元。该生长装置设置于炉体，与法兰、气体提供装置、真空泵系统以及驱动器一同构成氧化物单晶厚膜生长系统。在该生长系统中利用氧化物单晶厚膜生长方法，在远低于氧化物熔点下即可高速生长氧化物单晶，其原料承载装置无需使用耐温、耐氧化的贵金属材料制作，仅利用低成本普通材料即可。该生长方法步骤简单，生长所得氧化物单晶厚膜结晶质量好，能够适应大规模生产，大幅降低氧化物单晶生长系统以及氧化物单晶厚膜的生产成本。
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公开(公告)号：CN119411230A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411748571.3
申请日：2024-11-29
Applicant: 武汉拓材科技有限公司
Abstract: 本发明提出了一种用于生长磷化铟晶体的坩埚，包括载体坩埚和金刚石涂覆层/涂敷体，所述金刚石涂覆层/涂敷体设置于所述载体坩埚的内表面，所述载体坩埚材质为石墨、石英、碳化硅或氮化硼中的任意一种，所述金刚石涂覆层或者所述金刚石涂敷体表面所设置的金刚石涂覆层的厚度未d，则0.5μm≤d≤100μm，将磷化铟多晶料置于所述坩埚内，再将坩埚放入高压反应釜中，设置好工艺参数，进行单晶生长，解决了现有技术中生长得到的磷化铟晶体内应力大，位错多，晶格也容易产生畸变的问题。
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公开(公告)号：CN119308011A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411419804.5
申请日：2024-10-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种高熵硫化物及其制备方法和应用，涉及高熵材料技术领域，本发明以三氧化钼、五氧化二钽、二氧化钒、三氧化钨和二氧化钛的混合物为金属源，以硫粉为硫源，通过预先将第二温区、第三温区分别升温至850‑950℃、1050‑1100℃，然后将金属源、反应衬底分别置于第二温区、第三温区，能够实现金属源和反应衬底的快速升温，反应结束后通过液氮对反应产物进行快速冷却，能够避免制得的高熵硫化物发生元素偏析。另外，本发明提供的二维高熵硫化物具有较佳的光电响应性能，在光电技术领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN119162665A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411335937.4
申请日：2024-09-24
Applicant: 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 , 西安奕斯伟硅片技术有限公司
Inventor： 梁鹏欢
Abstract: 本公开涉及一种用于生产外延晶圆的方法和系统。用于生产外延晶圆的方法包括：根据在外延炉的腔室中生产的外延晶圆的多个特征的数据和与数据对应的权重获取腔室的总分；基于总分对腔室进行生产分配。根据本公开的用于生产外延晶圆的方法和系统，能够提升外延晶圆生产中的生产分配效率，并且能够提升外延晶圆生产中腔室分配的合理性。
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公开(公告)号：CN119145046A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411607379.2
申请日：2024-11-12
Applicant: 福建臻璟新材料科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种氮化铝单晶基板的制备方法，涉及氮化铝单晶基板相关领域，本发明通过采用双向生长法制备氮化铝单晶基板的优点在于，它能显著提高晶体生长速度，可达1.0‑1.5 mm/h，同时通过上下温度梯度控制，实现晶体在两个方向上的均匀生长，从而减少应力集中和缺陷生成，该方法不仅提高了基板的生产效率，还能优化晶体质量，确保其具备优良的机械、热学和光学性能，适用于高性能电子器件的制造。
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