公开(公告)号：CN119931108A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202510107444.3

申请日：2025-01-23

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 刘淑娟 ,  崔海霞 ,  李万娇 ,  赵强 ,  王梦竹

IPC: C08J5/18 ,  C08L51/00 ,  C08K5/00 ,  C09K11/02 ,  C09K11/06 ,  C07D295/037 ,  C07D295/023 ,  G01T1/20 ,  G01T1/164 ,  G01N23/04 ,  C30B29/54

Abstract: 本发明属于光电材料领域，公开一种可用于X射线成像的锑(III)基柔性闪烁体薄膜及其制备方法和应用，所述方法如下：称取A2(CnH2n)和SbCl3加入溶剂中，加热搅拌使反应物溶解，再经过降温，抽滤、洗涤、干燥，得到目标闪烁体单晶；将聚合物SEBS‑g‑MAH加入至甲苯溶液中，加热搅拌至溶液澄清透明；将目标闪烁体单晶研磨至粉末，加入SEBS‑g‑MAH/甲苯溶液中，搅拌至粉末分散均匀；将得到的溶液滴涂至聚四氟乙烯模具中，常温挥发得到薄膜；本发明制备的锑(III)基柔性闪烁体薄膜具有良好的机械性能，可反复弯曲、拉伸和压缩。

公开(公告)号：CN119913599A

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202411600032.5

申请日：2024-11-11

Applicant: 浙江省白马湖实验室有限公司 ,  西湖大学

Inventor： 师恩政 ,  夏明 ,  王天禹

IPC: C30B7/08 ,  C30B7/00 ,  C30B29/54 ,  H10K85/50 ,  H10K30/60

Abstract: 本发明公开了一种纯相二维卤素钙钛矿外延同质/异质结材料的制备方法及应用，该方法包括：1)合成二维铅基或锡基卤化物钙钛矿块状晶体；2)在1)所得块状晶体中筛选出单晶，机械剥离并转移至衬底上后，进行纯化去除3D相；3)配备外延生长溶液，将氯苯、所述外延生长溶液同时滴在2)所得衬底上进行外延生长，得到外延域为纯相的外延异质结或同质结材料，或将氯苯、所述外延生长溶液同时滴在已制得的外延异质结材料上进行外延生长，实现多畴异质结构制备。本发明方法在不同n值下均使用，可构筑大晶格失配的外延异质结、超窄外延异质结，能够合成高周期的外延超晶格；且可结合范德华转移技术获得高质量的光电器件，具有极高的应用前景。

公开(公告)号：CN119824546A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202411942005.6

申请日：2024-12-27

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 薛彦明 ,  李博 ,  吴微龙 ,  牛子峰 ,  孟露 ,  马世杰 ,  陈昊冉 ,  唐成春

IPC: C30B29/54 ,  C30B7/14 ,  C30B7/04 ,  C01B21/064

Abstract: 本发明为硼酸唑晶体和制备方法以及硼酸唑前驱体热解制备的氮化硼材料。能制得单晶颗粒尺寸不小于1毫米及单晶团聚体的颗粒尺寸不小于1厘米的产品。两种晶体，分别命名为晶体ZB和晶体AB，化学式分别为[C4H11N10][B5O6(OH)4]和[C2H5N4][C2N4H4B5O6(OH)4]，具有明确的化学特性：ZB的分子量为417.31，属单斜晶系，空间群Ia，晶胞参数为#imgabs0#Z＝4；AB的分子量为387.27，属三斜晶系，空间群P‑1，晶胞参数为#imgabs1#Z＝2。鉴于这些硼酸唑晶体在惰性气氛下可直接高温热解转化为六方氮化硼，加之其高溶解度、良好的熔化特性及溶液浓缩时的粘稠性，它们作为前驱体材料，适用于制备多种类型的六方氮化硼材料，高效且适用于规模化生产。

公开(公告)号：CN119823079A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202510027120.9

申请日：2023-07-17

Applicant: 南京工业大学 ,  郑州大学

Inventor： 杨朋朋 ,  张啸涵 ,  张珂珂 ,  石裕中 ,  王莹莹 ,  庄伟 ,  李明 ,  柳东 ,  沈涛 ,  应汉杰

IPC: C07D307/68 ,  C07C209/00 ,  C07C209/84 ,  C07C209/86 ,  C07C211/09 ,  C07C211/12 ,  C30B29/54 ,  C30B7/14

Abstract: 本发明公开了脂肪族二胺呋喃二甲酸盐及其晶体的制备方法，包括戊二胺呋喃二甲酸盐(PA5F盐)、己二胺呋喃二甲酸盐(PA6F盐)、庚二胺呋喃二甲酸盐(PA7F盐)、辛二胺呋喃二甲酸盐(PA8F盐)、壬二胺呋喃二甲酸盐(PA9F盐)、癸二胺呋喃二甲酸盐(PA10F盐)及其晶体的制备方法。本发明通过特定方法所提供的晶体，消除了脂肪族二胺臭味，具有更高的堆积密度使其便于运输，也改善了聚合单体的稳定性，满足了尼龙聚合对摩尔比的要求，使其可以直接用于聚合。

公开(公告)号：CN119753850A

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202411989325.7

申请日：2024-12-31

Applicant: 同济大学

Inventor： 张弛 ,  刘帅 ,  吴超

IPC: C30B29/54 ,  C30B7/10 ,  G02F1/355 ,  G02F1/35 ,  G02F1/39

Abstract: 本发明涉及一种碘酸三聚氰胺二阶非线性光学晶体材料及其制备与应用，该晶体材料的化学式为(C3N6H7)(IO3)，分子量为302.05，属于单斜晶系，其空间群为Cc，晶胞参数为#imgabs0#α＝90°，β＝96.24～96.44°，γ＝90°，Z＝4，晶胞体积为#imgabs1#本发明的碘酸三聚氰胺晶体材料具有优良的光学性能，在1064nm激光辐照下，粉末倍频强度约为KH2PO4晶体的3.5倍，且能实现相位匹配。此外，该晶体材料具有较短的紫外吸收截止边(269nm)，在光刻、光谱分析、环境监测、激光频率转换等光电转化领域具有重要的应用价值。

公开(公告)号：CN119753847A

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202411989315.3

申请日：2024-12-31

Applicant: 同济大学

Inventor： 张弛 ,  吴超 ,  龚榧元

IPC: C30B29/54 ,  G02F1/355 ,  G02F1/35 ,  G02F1/39 ,  C30B7/04 ,  C30B29/64

Abstract: 本发明涉及一种硫代硫酸甲脒二阶非线性光学晶体及其制备与应用，该晶体材料的化学式为[CH(NH2)2]2SO3S，分子量为203.27，属于正交晶系，其空间群为P212121，晶胞参数为#imgabs0#α＝β＝γ＝90°，Z＝4，晶胞体积为#imgabs1#本发明的硫代硫酸甲脒晶体材料具有优良的光学性能，在1064nm激光辐照下，粉末倍频强度约为磷酸二氢钾晶体的2倍，且能实现相位匹配。此外，该晶体材料具有较宽的透光波段，紫外吸收截止边为253nm，光学带隙为4.90eV，且易于生长。利用二次谐波产生和光参量放大等光学频率转换技术，可以扩展相干光源的波长范围。因此，该晶体材料在激光频率转换和光电信息存储等领域具有重要的应用价值。

公开(公告)号：CN119039326B

公开(公告)日：2025-04-01

申请号：CN202411078891.2

申请日：2024-08-07

Applicant: 武汉纺织大学

Inventor： 吴奇 ,  杨灿 ,  康雨薇

IPC: C07F3/06 ,  C30B29/54 ,  C30B7/10 ,  C30B7/14 ,  G02F1/355 ,  G02F1/361 ,  C09K11/06

Abstract: 本发明涉及半有机晶体N2H4Zn(HC3N3O3)及其制备方法和应用，属于非线性光学材料领域。半有机晶体N2H4Zn(HC3N3O3)属于单斜晶系，空间群为Cc，具有非中心对称结构，其具有强的二次谐波(13倍KDP)、超长的室温磷光寿命(448ms)、较高的热稳定性和强的耐水性，此外，该半有机晶体显示出可调谐的多色室温磷光，并伴有1.2s的肉眼可见的持久余辉，在光学计算、光学开关、远距离通信、信息加密防伪、生物成像、照明、长余辉器件任一领域具有良好的应用前景，特别适合用于制作非线性光学器件。

公开(公告)号：CN119663176A

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202410857278.4

申请日：2024-06-28

Applicant: 南京航空航天大学

Inventor： 张玲珑 ,  方睿 ,  康健 ,  杨顺顺

IPC: C23C14/06 ,  C23C14/12 ,  C23C14/54 ,  C30B29/54 ,  C30B23/00

Abstract: 本发明公开了一种与温度相关的调控#imgabs0#能量转移效率的方法，首先制备二维有机无机异质结结构，接着将异质结样品放入冷台中，放置在荧光光谱仪下，然后连接控温设备，就能控制样品温度以调节样品的#imgabs1#能量转移效率。本发明为二维材料的FRET调节提供了新的角度，提高层间电荷和能量转移的见解，该研究对检测纳米尺度的相互作用具有重要意义，在生物医学、传感和成像等领域具有广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN118064980B

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202410188428.7

申请日：2024-02-20

Applicant: 同济大学

Inventor： 张弛 ,  齐鲁 ,  吴超

IPC: C30B29/54 ,  C30B7/10

Abstract: 本发明涉及一种半有机锑氟酸盐二阶非线性光学晶体材料及其制备和应用，该材料的化学式为(C5H7N2)(Sb2F7)，属于单斜晶系，其空间群为Pn(No.7)，晶胞参数为#imgabs0#α＝90°，β＝102.44°～102.64°，γ＝90°，Z＝2，晶胞体积为#imgabs1#与现有技术相比，本发明的二阶非线性光学晶体材料(C5H7N2)(Sb2F7)在1064nm激光照射下的粉末倍频效应约为KH2PO4(KDP)晶体的2倍，且能实现相位匹配。此外，该晶体材料具有较宽的透光波段，物化性能稳定，机械硬度适中，产率高，易于生长等优点，在激光频率转换、光信息存储、电光调制等光电信息领域具有重要的应用价值。

公开(公告)号：CN119569583A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202411452828.0

申请日：2024-10-17

Applicant: 扬州大学

Inventor： 高凯歌 ,  骆克奇 ,  张洋 ,  陆群

IPC: C07C211/04 ,  C07C209/00 ,  C07C209/62 ,  C09K11/06 ,  C30B7/14 ,  C30B29/54 ,  H10B53/00 ,  G01N27/82

Abstract: 本发明公开了一种极低矫顽场、大自发极化值和高居里温度的室温铁电材料及其制备方法和应用，是一种零维有机无机杂化钙钛矿晶体材料，并具有以下化学式（C2H8N）4PbBr6，具有2.3μC/cm2的自发极化值和0.11kV/cm的矫顽场，且居里温度大于400K，在低损耗非易失性存储器、传感器、电容器、光学调制器、电磁无损检测和电池技术中有广泛的应用前景。