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公开(公告)号：CN119767847A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411911316.6
申请日：2024-12-24
Applicant: 中润新能源(徐州)有限公司 , 江苏龙恒新能源有限公司
Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池板制绒设备，包括制绒设备本体，制绒设备本体内设置有制绒机构，制绒设备本体内部安装有传动机构，传动机构位于制绒机构上方，制绒设备本体一侧安装有添料机构，添料机构与制绒机构相匹配，制绒机构内部安装有除杂机构，除杂机构包括收集部件和清理部件。与现有技术相比，本发明的一种太阳能电池板制绒设备，在太阳能电池板制绒过程中，能够随着溶液中有效成分逐渐减少，对溶质进行补充，且补充溶质过程中，能够利用新进入溶液的推力搅拌混合液，提高溶质混合效率，使得溶液中有效成分浓度稳定，使得绒面结构的形状、尺寸和分布形成的更均匀，提高电池片的性能和稳定性。
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公开(公告)号：CN119767838A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411862518.6
申请日：2024-12-17
Applicant: 宜宾英发德耀科技有限公司
IPC: H10F71/00 , H01L21/67 , H01L21/687 , C30B33/10
Abstract: 本发明提供一种适用于N型电池片改善制绒正面花篮印的制绒槽体，涉及电池片制绒槽体技术领域，包括制绒槽本体和调节机构，所述制绒槽本体的内壁安装有三个放置杆，所述制绒槽本体的一侧设有三个调节机构，所述调节机构包括连接板，所述连接板与制绒槽本体固定连接，所述连接板的一侧固定连接有电机，所述电机的输出端固定连接有第一调节杆，所述第一调节杆的圆弧面螺纹连接有衔接筒，所述衔接筒远离第一调节杆的圆弧面一端固定连接有抵接块。本发明，在制绒槽内，对电池片进行制绒时，可通过调节装置对制绒槽内的放置杆高度进行调节，从而调节放置杆的高度，来避免电池片制绒时出现异常，进而调节机构可提高电池片的制绒效果。
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公开(公告)号：CN119710941A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411915875.4
申请日：2024-12-24
Applicant: 杭州睿昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了基于多阶段蚀刻的单晶硅表面处理方法，涉及半导体材料表面处理技术领域，包括在单晶硅基底表面涂覆光刻胶层，通过光刻工艺在所述光刻胶层形成预设图形的掩膜；采用第一蚀刻液对所述单晶硅基底进行初步蚀刻；向所述第一蚀刻液中加入异丙醇添加剂，调节所述异丙醇添加剂的浓度为5‑10wt%，继续蚀刻所述单晶硅基底；用去离子水清洗所述单晶硅基底表面，随后采用第二蚀刻液对所述单晶硅基底进行精细蚀刻；利用氮气吹干所述单晶硅基底表面，得到具有预设图形结构的单晶硅基底。本发明通过精确控制光刻和蚀刻工艺，实现了高精度、稳定性强的单晶硅基底预处理与图形结构形成过程。
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公开(公告)号：CN119710939A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411949638.X
申请日：2024-12-27
Applicant: 北京中材人工晶体研究院有限公司 , 中材人工晶体研究院有限公司
IPC: C30B33/02 , C30B33/00 , C30B33/10 , C30B29/28 , B23K26/382 , B23K26/402 , C09G1/02 , B24B37/005 , B24B37/04 , B24B49/00 , B23K103/00
Abstract: 本申请提供了一种掺铈钆铝镓石榴石晶片的加工方法，其包括以下步骤：(1)晶片切割：将晶体切割成晶片；(2)激光打孔：在所述晶片上用激光进行打孔；其中，所述打孔的速度为5mm/s～100mm/s；(3)退火后处理：对打孔后的所述晶片进行退火处理，所述退火处理的条件为：以10℃/h～40℃/h的升温速率升温至1100℃～1400℃，保温12h～48h，之后以5℃/h～30℃/h的降温速率降至室温；(4)光学加工：对退火处理后的所述晶片进行抛光。使用本申请的方法加工掺铈钆铝镓石榴石晶片，能够提高晶片的加工成品率，晶片加工成品率可达70％以上。
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公开(公告)号：CN119710915A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411790240.6
申请日：2024-12-06
Applicant: 山东有研半导体材料有限公司 , 有研半导体硅材料股份公司
Abstract: 本发明公开了一种用于改善外延后边缘轮廓各向异形问题的衬底加工方法。该方法包括以下步骤：S1：将硅片依次进行粗倒角和精倒角，完成边缘倒角面的成形加工；S2：将倒角后的硅片进行化学腐蚀，去除边缘机械损伤层；S3：将腐蚀后的硅片进行定晶向边缘处理，对（100）、（111）晶向的硅片倒角边缘的（110）晶向进行局部成型；S4：将定晶向边缘处理后的硅片进行边缘抛光。本发明在倒角工序中分别使用粗‑精两步倒角；在化学腐蚀工序实现边缘机械损伤层去除；在定晶向倒角面处理工序对（100）、（111）晶向的硅片倒角边缘的（110）晶向进行局部成型；通过边缘抛光工序对倒角面进行边缘抛光，从而实现衬底在生长外延时边缘轮廓各向异形问题得到改善。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119650423A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411638506.5
申请日：2024-11-17
Applicant: 六智韬新能源科技(上海)有限公司
IPC: H01L21/306 , H01L21/308 , H10F71/00 , H10F77/70 , C30B33/10
Abstract: 本发明公开了一种可弯折柔性单晶制绒硅片的制备方法、可弯折单晶制绒硅片及可弯折太阳电池，先利用碱溶液对原始硅片进行初级抛光，再利用酸性溶液进行二次精细抛光，将硅片边缘抛光成光滑的表面；然后用掩膜将抛光后的边缘保护起来进行制绒，制备出边缘抛光的单晶制绒硅片，具有优异的可弯折柔性性能，可用于制作能卷绕的柔性太阳电池和组件；本发明可广泛应用于硅异质结（SHJ）太阳电池、钝化发射极和背面（PERC）太阳电池、隧穿氧化层钝化接触（TOPCon）太阳电池，以及叉指背接触（IBC）太阳电池等，工艺简单，具有广泛的应用前景和实用价值。
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公开(公告)号：CN119530989A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411623798.5
申请日：2024-11-14
Applicant: 江苏超芯星半导体有限公司
IPC: C30B33/10
Abstract: 本发明提供一种改性半导体晶片及其改性方法和应用。所述改性方法包括以下步骤：将碱性物质、助熔剂和金属氧化物混合，然后进行热处理，得到熔融态的刻蚀剂；将半导体晶片置于所述熔融态的刻蚀剂上方进行预热，然后浸渍到熔融态的刻蚀剂中静置，得到刻蚀后的半导体晶片，随后取出所述刻蚀后的半导体晶片进行后处理，得到改性半导体晶片。本发明通过高温刻蚀的方法，实现了快速高效降低晶片的Warp值、Bow值，显著改善了晶片平面度，既能有效提高晶片几何性能，满足下游使用要求，降低其制造难度和生产成本，又能简化工艺，解决传统工艺耗时长、成本高以及内部材料缺陷易产生的问题。
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公开(公告)号：CN119529844A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411671995.4
申请日：2024-11-21
Applicant: 常州时创能源股份有限公司
Abstract: 本发明公开了硅片制绒添加剂、制绒液及其使用方法，属于光伏技术领域，本发明的制绒添加剂按重量计包含如下组成：成核剂0.05～0.5wt%，成核增强剂0.1～3.0wt%，表面活性剂0.2～4.0wt%，保护剂0.2～3.0wt%，保护增强剂0.5～6.0wt%，以及去离子水余量。使用本发明的制绒添加剂制成的制绒液对硅片进行制绒后，硅片正面及背面的第二掺杂区域绒面结构均匀、反射率低的同时，硅片背面的第一掺杂区域的PSG层未被破坏，进而使BC电池的少子寿命、开压得到提高，有利于提高电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN119465413A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411582138.7
申请日：2024-11-07
Applicant: 天合光能股份有限公司
Inventor： 王婕
Abstract: 本申请涉及单晶硅片制备技术领域，主要提供了一种单晶硅制绒添加剂及其制备方法、单晶硅制绒方法、具有金字塔的硅片。该单晶硅制绒添加剂，包括以质量百分比计的如下组分：绒面刻蚀剂0.01%‑1.0%；绒面调节剂0.001‑1.0%；绒面修饰剂0.01%‑1.0%；表面活性剂0.01%‑1.0%；以及去离子水余量；其中，所述绒面刻蚀剂包括有机磺酸盐，所述绒面调节剂包括聚胺类高分子化合物，所述绒面修饰剂包括亲水性高分子聚合物，所述表面活性剂包括羧酸钠盐。本申请技术方案中的单晶硅制绒添加剂能够显著降低硅片表面的反射率，提高太阳能电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN119465411A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411590984.3
申请日：2024-11-08
Applicant: 深圳大学
Abstract: 本发明属于半导体材料技术领域，公开了一种大尺寸的蓝宝石基底的退火制备方法。该退火制备方法为：将蓝宝石单晶晶圆清洗后，浸润盐溶液并进行干燥，然后在限域容器中进行退火处理，退火结束后经降温，制得；该盐溶液为可溶性钠盐溶液和/或可溶性钾盐溶液；该盐溶液的浓度为0.01‑0.5mol/L。本发明提供的退火制备方法，采用盐刻蚀的退火工艺进行退火处理，具有低温、快速的特点，能够使蓝宝石基底得到更均匀且低缺陷的台阶，为后续在其表面进行的外延生长、光刻、刻蚀等工艺提供均匀、稳定的平台，有利于制备出高质量、大面积TMDs单晶。本发明的制备过程简单、高效，适用于大尺寸蓝宝石基底的制备。
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