一种基于数字孪生技术的金属微反应器表面温度测试方法

    公开(公告)号:CN119845444A

    公开(公告)日:2025-04-18

    申请号:CN202510323532.7

    申请日:2025-03-19

    Abstract: 本发明公开了一种基于数字孪生技术的金属微反应器表面温度测试方法,涉及计量校准技术领域。该方法包括:根据金属微反应器的实际几何尺寸和内部结构构造建立几何模型,并进行网格划分;将金属微反应器的物理信息输入划分后的几何模型,映射成相应的数字孪生物理模型,并进行模型求解,根据求解结果推理出金属微反应器内部温度场分布情况,为表面温度测量提供机理;通过了解内部温度场的变化机理,确定标准传感器在微反应器表面放置的位置,进而通过对比方法计算金属微反应器中被检温度传感器的示值误差。通过本发明的方法可以实现微反应器表面温度的高精度、标准化的测试,有效延长设备的使用寿命,降低维护成本。

    用于集成电路的热感测器
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118871754A

    公开(公告)日:2024-10-29

    申请号:CN202380026538.7

    申请日:2023-01-25

    Abstract: 本发明提供一种用于一集成电路的热感测器,其包括:一与绝对温度成比例(PTAT)电路,其包含n型MOS晶体管且提供一第一电压;及一电压产生器电路,其包含一p型MOS晶体管且提供一第二电压。一参考电压基于该第一电压及该第二电压。至少一个热输出信号基于该参考电压连同该第一电压及/或该第二电压。在另一态样中,一种集成电路具有一电力布线配置,其提供一电力供应核心电压(VDDCORE)以操作该集成电路上的功能电路系统。一个或多个局部热感测器位于该集成电路上,各自包含一PTAT电路,该PTAT电路具有MOS晶体管,该PTAT电路使用该电力供应核心电压以产生独立于电力供应核心电压变化而变化的一温度相关电压。

    生成包括电机的系统的热模型的方法

    公开(公告)号:CN116848386B

    公开(公告)日:2024-07-02

    申请号:CN202280014214.7

    申请日:2022-02-16

    Abstract: 一种根据描述电机的个体热行为的第一热模型(11)和描述设备的个体热行为的第二热模型(13)来生成描述系统的热行为的复合热模型(9)的方法,该系统包括连接到该设备的该电机,该方法包括:a)将第一热模型(11)和第二热模型(13)中的一个热模型的至少一个几何实体(15、17、19)连接到第一热模型(11)和第二热模型(13)中的另一个热模型的多个几何实体(15、17、19),每个连接包括热源和热阻抗中的至少一者,其中彼此连接的第一热模型(11)和第二热模型(13)形成初始的复合热模型,b)将测量温度与从初始的复合热模型获得的对应的估计温度进行比较,并且在估计温度与测量温度的偏差超过阈值的情况下,c)调整步骤a)中连接的一对几何实体之间的热阻抗和热源中的至少一者。

    一种电抗器热点温度反演检测方法

    公开(公告)号:CN118010180A

    公开(公告)日:2024-05-10

    申请号:CN202410062635.8

    申请日:2024-01-16

    Abstract: 本发明涉及电抗器热点温度预测技术领域,尤其是指一种电抗器热点温度反演检测方法,具体包括:根据电抗器类型,确定光纤测温传感器的支数,并设置光纤布点位置;根据光纤布点位置,在电抗器表面布置多台光纤测温装置,实时获取电抗器外表面温度数据,得出电抗器外表面温度之间的温差;根据电抗器内部传热结构,结合光纤布点的位置,建立分布式参数热路模型;通过改变热路模型中输入电压和电流的大小,进行不同工况下的温升试验,求解热路模型,得到电抗器热点温度。本发明实现了电抗器运行状态检测的实时在线监控,增强了电抗器运行的可靠性;在建立分布式热路模型时,同时考虑了绕组损耗和铁芯损耗,考虑更加全面和细致,提高了热路模型精度。

    电力电子系统中电气元件的温度的实时估计方法

    公开(公告)号:CN117396735A

    公开(公告)日:2024-01-12

    申请号:CN202180098759.6

    申请日:2021-05-28

    Abstract: 本发明涉及一种实时估计电力电子系统中的电气元件(2)的温度(T)的方法(100),所述方法(100)包括以下步骤:‑获得当前参考温度(Tref);‑获得所述电气元件(2)的当前功率损耗值(P);‑针对所获得的当前功率损耗值(P)确定所述电气元件(2)的自加热系数(6);‑确定所述电气元件(2)的外部加热系数(5);以及‑基于所获得的当前参考温度(Tref)、所确定的自加热系数(6)和所确定的外部加热系数(5)实时估计所述电气元件(2)的温度(T)。

    一种温度传感器电路和芯片
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117367618A

    公开(公告)日:2024-01-09

    申请号:CN202311461073.6

    申请日:2023-11-01

    Inventor: 叶学锋 刘帅锋

    Abstract: 本申请实施例提供一种温度传感器电路和芯片,该温度传感器电路包括:启动电路,启动电路用于产生启动信号;参考源电路,参考源电路包括:负温度系数模块,负温度系数模块连接启动电路,负温度系数模块用于响应启动信号而产生第一信号,第一信号的电流值与温度值呈负相关;正温度系数模块,正温度系数模块连接启动电路和负温度系数模块,正温度系数模块用于响应启动信号和第一信号而产生第二信号,第二信号的电压值与温度值呈正相关,第二信号的电流值与温度值呈正相关。通过上述方式,能够提高温度传感器电路的温度检测精度。

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