公开(公告)号：CN117936636B

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202311871490.8

申请日：2023-12-29

Applicant: 成都阜时科技有限公司

Inventor： 陈艺章 ,  朱文龙 ,  温绍飞 ,  区国雄 ,  陈华云

IPC: H10F71/00 ,  H10F77/50 ,  H10F77/40 ,  H10F30/00 ,  H10F77/00 ,  G01S7/4863

Abstract: 本申请涉及半导体封装技术领域，提供一种光感应芯片及其制备方法、激光雷达及电子设备；制备方法包括如下步骤：提供一晶圆；晶圆包含多个可切割分离的芯体，芯体包括基底和设置在基底上的光检测模组；提供一透光体；透光体与晶圆适配；于晶圆或透光体中的至少一者上设置用于遮光的介质层；介质层在对应于光检测模组的区域分别形成有透光孔；键合晶圆和透光体形成芯片板组；使介质层形成于晶圆与透光体之间，以通过透光孔形成容置光检测模组的腔室；对芯片板组进行切割以得到多个光感应芯片。通过芯体、介质层、透光体三者层叠设置即形成可靠的封装结构，封装结构精简；简化了制作步骤，能够大大提高光感应芯片的制作效率。

公开(公告)号：CN119758303A

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202510050940.X

申请日：2025-01-13

Applicant: 中山大学

Inventor： 李显博 ,  胡泽荣 ,  谢雨康 ,  张瀚文 ,  廖少林

IPC: G01S7/4863 ,  G01S7/48 ,  G01S17/08

Abstract: 本发明涉及感知成像技术领域，公开了多工作模式的单光子雪崩二极管可重构接收系统及重构方法，包括至少一个可重构像素模块、至少一个多路选择器、至少一个信号处理电路、工作模式/重构控制电路、数据处理模块；所述的工作模式/重构控制电路用于选择近距离工作模式和远距离工作模式；所述的多路选择器有近距离和远距离工作模式；所述的数据处理模块用于基于工作模式，对输入的距离信息量化结果进行重新排列组合，得到完整的成像信息。本发明解决了现有技术所述的数据处理模块用于基于工作模式，对输入的距离信息量化结果进行重新排列组合，得到完整的成像信息的问题，且具有可提高感光面积，快速准确的输出探测结果的特点。

公开(公告)号：CN119678073A

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202380057669.1

申请日：2023-06-02

Applicant: LG伊诺特有限公司

Inventor： H·黄 ,  M·T·奥格雷迪 ,  B·E·皮乔内 ,  M·伊茨勒

IPC: G01S7/4863 ,  G01S17/931 ,  B60W40/02 ,  G05D1/43 ,  G01J1/44

Abstract: 描述了用于光学处理的系统和方法。根据一些方面，光学处理装置可以包括像素化光电二极管阵列(PDA)，PDA中的每个像素包括辐射检测器。该装置还包括读出集成电路(ROIC)，该读出集成电路包括逻辑电路和多个开关元件。多个开关元件可在待命状态和解除待命状态之间切换，所述待命状态用于使其对应的辐射检测器待命并将从对应的辐射检测器接收的信号传输到ROIC，所述解除待命状态用于使其对应的辐射检测器解除待命并阻止该信号的传输，其中，在待命状态下，PDA被配置为检测入射光信号，并且在解除待命状态下，PDA被配置为忽略入射光信号。此外，逻辑电路控制与辐射检测器相关联的可选开关元件的开关状态。

公开(公告)号：CN119678072A

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202380057307.2

申请日：2023-06-02

Applicant: LG伊诺特有限公司

Inventor： H·黄 ,  M·T·奥格雷迪 ,  B·E·皮乔内 ,  M·伊茨勒

IPC: G01S7/4863 ,  G01S17/931 ,  B60W40/02 ,  G05D1/43 ,  G01J1/44

Abstract: 描述了用于光学处理的系统和方法。根据一些方面，一种装置可以包括像素化光电二极管阵列(PDA)，其中PDA中的每个像素包括辐射检测器。光学处理装置还可以包括存储器和读出集成电路(ROIC)，存储器存储PDA中的每个像素的一个或多个特性，读出集成电路(ROIC)通信地耦合到FPA和存储器。在一些方面，ROIC从存储器中读取PDA中的每个像素的一个或多个特性，并且基于每个像素的一个或多个特性来调整PDA中的每个像素的待命/解除待命偏置电压。

公开(公告)号：CN119667642A

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202311209858.4

申请日：2023-09-19

Applicant: 华为技术有限公司

Inventor： 沈红明 ,  王庆丰 ,  曾理

IPC: G01S7/481 ,  G01S7/484 ,  G01S7/4863 ,  G01S7/486 ,  G02B26/10 ,  G02B26/08 ,  G02B27/09 ,  G02B1/00 ,  G02F1/29

Abstract: 一种发射模组、探测器、接收模组、探测装置及终端设备，用以在尽量不影响探测装置结构复杂度的情况下，增大探测装置的发射视场。其中发射模组包括一维扫描组件和扩角组件，一维扫描组件用于在不同的扫描角度下将线光束反射到不同的方向，扩角组件用于对来自一维扫描组件的光束的方向进行偏转，使得扩角组件出射的光束的扩散角大于一维扫描组件出射的光束的扩散角。通过在发射模组中引入扩角组件，不仅能利用扩角组件对一维扫描组件在一个维度扫描方向上出射的光束进行扩散，以增大该维度方向上的发射光束的视场角，还无需拼接多个发射模组，进而有助于降低发射光学系统的复杂度，进而降低探测装置的体积和成本，降低探测装置的装调难度。

公开(公告)号：CN114008475B

公开(公告)日：2025-03-14

申请号：CN202080044594.X

申请日：2020-06-09

Applicant: ams国际有限公司

Inventor： 米格尔.布鲁诺.维罗帕诺斯 ,  大卫.史督帕

IPC: G01S7/481 ,  G01S7/4861 ,  G01S7/4863 ,  G01S7/4913 ,  G01S7/4914 ,  H10F39/18

Abstract: 飞行时间传感器包括至少一个解调像素。每个解调像素包括：半导体基板；半导体基板中的电荷生成区，该电荷生成区具有横向范围，该电荷生成区被配置为将光转换成电荷载流子；半导体基板的电荷生成区中的导光元件，该导光元件被配置为引导光通过电荷生成区的横向范围的至少一部分；半导体基板中的收集区，该收集区被配置为收集在电荷生成区的横向范围的至少一部分中生成的电荷载流子，以及与收集区电通信的读出组件，该读出组件能够操作来控制电荷生成区和收集区之间的电耦合。

公开(公告)号：CN119547584A

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202380053734.3

申请日：2023-08-15

Applicant: 索尼半导体解决方案公司

Inventor： 津川英信 ,  中邑良一

IPC: H10F39/18 ,  G01C3/06 ,  G01S7/4863 ,  G01S7/4914 ,  H10F30/225

Abstract: 本发明实施例的光检测器包括：具有彼此相对的第一面和第二面并包括多个像素在面内方向上以阵列状排列的像素阵列部的第一半导体基板；针对每个像素设置在第一半导体基板内并通过光电转换产生与接收光量对应的载流子的光接收部；针对每个像素设置在第一面上并使光接收部中产生的载流子雪崩倍增的倍增部；堆叠在第一面并具有设置在预定位置的一个或多个开口的绝缘层；隔着绝缘层在第一面侧至少沿彼此相邻像素的边界设置并通过一个或多个开口至少电气连接到光接收部的一个或多个多晶硅膜；在第一面侧沿像素外形设置的一个或多个第一配线；以及在第一面侧沿像素外形设置并将一个或多个多晶硅膜与一个或多个第一配线电气连接的一个或多个第一连接配线。

公开(公告)号：CN114624680B

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202111675365.0

申请日：2021-12-31

Applicant: 西安芯辉光电科技有限公司

Inventor： 王夏宇 ,  楚泽坤 ,  张永铂 ,  马瑞

IPC: G01S7/4863 ,  G01S7/487 ,  G01S17/02

Abstract: 本发明公开了一种数字硅光电倍增管，包括：像素阵列模块、逻辑电路模块、计数器/时间数字转换器、计数速率比较判断模块和使能控制模块；本发明的数字SiPM传感器可以通过对当前计数速率与额定阈值计数速率比较判断，将比较结果反馈至使能控制模块，使能控制模块向像素阵列模块输出调节接收光子的有效像素个数n的使能，进而改变了像素阵列模块中有效像素阵列接收光子的概率以调节计数器/时间数字转换器的当前计数速率的大小，使当前计数速率处于合适的范围内，避免出现堆积失真现象，提高了测距的准确度，降低了相同探测效果下所需功耗。

公开(公告)号：CN113917442B

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202110674684.3

申请日：2021-06-17

Applicant: 广州印芯半导体技术有限公司

Inventor： 印秉宏 ,  王佳祥

IPC: G01S7/4863 ,  G01S17/08

Abstract: 本发明提供一种光传感器以及测距方法。光传感器包括光源、传感子像素以及控制电路。传感子像素包括二极管。控制电路操作二极管在盖革模式或突崩线性模式。控制电路包括时间至数字转换器，并且时间至数字转换器包括计数电路。计数电路包括多个计数单元。当时间至数字转换器接收到由传感子像素提供的传感信号时，控制电路通过计数电路的多个计数单元根据传感信号产生多个计数值，其中多个计数值为对应于距离传感结果的直方图数据。本发明的光传感器以及测距方法可提供高精度的测距结果。

公开(公告)号：CN113917440B

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202110672944.3

申请日：2021-06-17

Applicant: 广州印芯半导体技术有限公司

Inventor： 印秉宏 ,  王佳祥

IPC: G01S7/4861 ,  G01S7/4863 ,  G01S7/4865 ,  G01S17/08 ,  G01S7/497

Abstract: 本发明提供一种光传感器及其校正方法。光传感器包括光源、传感子像素以及控制电路。光源发射传感光。传感子像素包括二极管、截止电阻以及时间至数字转换器。二极管具有第一端耦接工作电压。截止电阻耦接在二极管的第二端以及接地端电压之间。时间至数字转换器耦接二极管的第二端。控制电路耦接传感子像素，并依据对应于传感子像素的二极管的光子检测率、内部增益值、截止电阻的电阻值的至少其中之一，以校正传感子像素的传感灵敏度，以使传感子像素只有当接收到传感光时，产生单光子崩溃二极管传感信号。本发明的光传感器及其校正方法可实现具有高可靠度的单光子崩溃二极管传感功能。