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公开(公告)号：CN119937190A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510209743.8
申请日：2025-02-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于硅基异质集成薄膜铌酸锂平台的电光调制器，包括依次连接的第一硅基多模干涉耦合器、第一硅‑铌酸锂层间耦合器、T型微结构电极、铌酸锂调制臂、第二硅‑铌酸锂层间耦合器以及第二硅基多模干涉耦合器；所述硅‑铌酸锂层间耦合器由上至下包括铌酸锂脊波导、二氧化硅缓冲层、硅波导和衬底。本发明兼具了T型微结构电极铌酸锂电光调制器的优点与硅基异质集成铌酸锂平台的优点，在保持了T型微结构电极铌酸锂电光调制器高电光带宽、低功耗优点的同时，具有晶圆级制备和基于成熟硅基光电子器件大规模集成能力。
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公开(公告)号：CN119916527A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510061094.1
申请日：2022-11-18
Applicant: 欧若拉运营公司
Inventor： 林森 , 安德鲁·斯泰尔·迈克尔斯
Abstract: 一种用于LIDAR传感器的硅光子设备及制造方法，所述硅光子设备的结构包括第一绝缘结构和第二绝缘结构，该第一绝缘结构和该第二绝缘结构设置在覆盖衬底构件的一个或多个蚀刻硅结构上方。金属层设置在第一绝缘结构上方，而没有预先沉积扩散屏障和粘附层。薄绝缘结构设置在第二绝缘结构上方。金属层、第一绝缘结构和所述一个或多个蚀刻硅结构的第一构造形成自由空间耦合器。第二绝缘结构上方的薄绝缘结构的第二构造形成边缘耦合器。
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公开(公告)号：CN119781114A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202311286532.1
申请日：2023-10-07
Applicant: 苏州晶湛半导体有限公司
Inventor： 程凯
Abstract: 本申请实施例提供一种光耦合结构及其制作方法、一种光通信系统，光耦合结构包括依次层叠设置的对准层、生长衬底和发光外延层，生长衬底用于外延制作发光外延层，生长衬底包括第一通孔，发光外延层对准于第一通孔，对准层包括第二通孔，第二通孔用于设置光纤输入端，提高光纤输入端在光耦合结构中的稳固性；还包括卡合结构，用于贯通第一通孔和第二通孔，可以卡合并固定对准层和生长衬底，有效提升光耦合结构的整体稳固性，还可以使得发光外延层对准于光纤输入端，发光外延层的出光经第一通孔和第二通孔直接进入光纤输入端，改善光线耦合效率。
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公开(公告)号：CN119758621A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411971299.5
申请日：2024-12-30
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明涉及光电器件制备技术领域，尤其涉及一种高效低损耗钛酸钡电光调制器芯片及其制备方法，钛酸钡电光调制器芯片包括衬底层、缓冲薄膜层、钛酸钡薄膜层、第一保护层、氮化硅薄膜、第二保护层和两个电极，通过钛酸钡薄膜层上的钛酸钡波导和氮化硅薄膜的氮化硅波导组成氮化硅+钛酸钡的多层波导材料结构，基于氮化硅波导的低损耗特性进行光的传输，调制时，光信号通过氮化硅波导和钛酸钡波导的层间耦合进入钛酸钡波导，通过电极施加电场改变钛酸钡波导的折射率，并基于钛酸钡波导的高电光系数特性进行信号的调制，调制完成后再进入氮化硅波导进行传输，输出调制后的光信号，实现电光调制器芯片传输光信号过程的低损耗，提高光信号的调制效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119744362A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202380060878.1
申请日：2023-08-30
Applicant: 思敏光子控股有限责任公司
Inventor： 阿隆索·热苏斯·米兰-梅希亚 , 切克·汉斯·霍克斯特拉 , 安杰尔·梅托季耶夫·萨沃夫 , 克里斯蒂娜·德·诺耶尔
IPC: G02B6/12 , G02B6/136 , H01L21/683
Abstract: 一种方法，包括：提供包括一第一表面及用于处理的一第二表面的一电绝缘晶圆；及在该第一表面上提供一层。该层是非金属的、导电的，且用于静电夹持至一静电卡盘。
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公开(公告)号：CN119738922A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202510244368.0
申请日：2025-03-03
Applicant: 粤芯半导体技术股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种氮化硅波导制备方法、硅光芯片及电子设备。本申请在制备氮化硅波导时，首先在SOI衬底的顶层硅层上沉积形成氧化硅层后，在氧化硅层上沉积形成多晶硅层，并通过ICP机台对多晶硅层进行图案化蚀刻，形成多个交错分布的多晶硅条状区域以及沟槽。之后，在多晶硅条状区域以及沟槽上沉积形成氮化硅层并进行平坦化，通过ICP机台对多晶硅条状区域进行回刻，以去除多晶硅条状区域并裸露出氧化硅层，完成氮化硅波导的制备。本申请通过采用ICP机台对多晶硅进行蚀刻来制备氮化硅波导的方式，能够减少蚀刻偏差和侧壁粗糙度，提高氮化硅波导区域的侧壁的垂直度和分辨率，同时避免蚀刻过程中破坏底部的二氧化硅，提高了氮化硅波导的良品率。
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公开(公告)号：CN119717128A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411962268.3
申请日：2024-12-30
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种光纤耦合量子点单光子源阵列及其制备方法，属于半导体单光子源领域。阵列包括：由下至上布置的i型GaAs衬底、第一接触层、第二接触层和第三接触层，第二接触层中具有用于产生单光子的量子点层；制备于第二接触层和第三接触层上的长条状的波导和弧形的光栅，制备于远离光栅一侧的波导上的一维光子晶体镜，其中，波导与光栅连接；制备于波导和光栅下方的空气槽；制备于所述光栅远离波导一侧的第三接触层上表面的台面；以及安装于所述台面上表面的经过研磨的光纤阵列。本发明的光纤耦合量子点单光子源阵列可以更为方便、有效地与其它量子光学回路耦合。
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公开(公告)号：CN119126298B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411020317.1
申请日：2024-07-29
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明提供一种超高品质因子的微环芯腔及其制备方法与应用，所述微环芯腔包括圆形微盘、设置于所述圆形微盘外缘一周的实心圆环，以及支撑所述圆形微盘的底座；所述圆形微盘和实心圆环的材质为氧化硅，所述底座的材质为硅；所述实心圆环的环状外径为3‑6mm；所述微环芯腔的品质因子≥1×109。本发明通过改进传统的微环芯腔制备工艺，最终得到超高品质因子的大尺寸微环芯腔，显著提高了样品的应用价值，有利于大规模推广应用。
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公开(公告)号：CN119644509A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411917562.2
申请日：2024-12-24
Applicant: 联合微电子中心有限责任公司
Abstract: 一种层间耦合器及其形成方法，其中，层间耦合器包括：第一波导层，形成有第一光栅结构，所述第一光栅结构为一维周期性光栅；第二波导层，位于所述第一波导层上方并形成有第二光栅结构，所述第二光栅结构为一维周期性光栅；其中，所述第一光栅结构和第二光栅结构中之一的光出射角度和其中之另一的光入射角度互补。通过本公开方案能够提高层间耦合器的耦合效率。
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