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公开(公告)号:CN119781188A
公开(公告)日:2025-04-08
申请号:CN202411393489.3
申请日:2024-10-08
Applicant: 朗美通技术英国有限公司
Abstract: 本公开涉及具有非恒定波导宽度的深蚀刻电光波导调制器。在一些实现方式中,电光波导调制器包括深蚀刻波导。第一包层设置在深蚀刻波导的顶表面上。第二包层设置在深蚀刻波导的底表面上。深蚀刻波导具有在第一方向上延伸的长度和在第二方向上延伸的宽度。深蚀刻波导的宽度沿着深蚀刻波导的长度的至少一部分是非恒定的。例如,沿着深蚀刻波导的长度的该至少一部分的深蚀刻波导的最大宽度与深蚀刻波导的最小宽度之间的差满足宽度差阈值,该宽度差阈值等于最大宽度的10%。
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公开(公告)号:CN119678096A
公开(公告)日:2025-03-21
申请号:CN202380041732.2
申请日:2023-03-30
Applicant: 马维尔亚洲私人有限公司
Inventor: 加藤正树 , H·皮什维贝贾尔加尼 , 林杰
Abstract: 一种光调制器包括半导体衬底和设置在半导体衬底上的光波导部分。在光波导部分旁延伸的信号接触设置在半导体衬底上。第一地线在半导体衬底上设置为与信号接触隔开第一间距。第二地线与第一地线相对地在半导体衬底上设置为与信号接触隔开第二间距。第一间距不同于第二间距。
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公开(公告)号:CN119585668A
公开(公告)日:2025-03-07
申请号:CN202380054874.2
申请日:2023-07-07
Applicant: 京瓷株式会社
Abstract: 根据本发明一实施方式的光调制器及光收发器,能够提高光信号的传输效率。光调制器(10)具有:基板(50);共面线路(40),具有第一接地线(41)、第二接地线(42)和信号线(43);波导(20),位于第一接地线(41)与信号线(43)之间,具有光信号的输入部(21)和输出部(22);以及调整构件(30),位于第二接地线(42)与信号线(43)之间,不具有光信号的输入部和输出部。
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公开(公告)号:CN119575704A
公开(公告)日:2025-03-07
申请号:CN202411068594.X
申请日:2024-08-06
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor: 田中肇
Abstract: 本发明提供一种半导体光元件以及半导体光元件的制造方法,其能够抑制不期望的蚀刻。所述半导体光元件具备:衬底,具有硅层;以及半导体元件,由III‑V族化合物半导体形成,与所述硅层接合,所述硅层具有波导、凹部、平台以及连接部,所述凹部为比所述波导、所述平台以及所述连接部的表面凹陷的部分,设置于所述波导与所述平台之间,所述半导体元件接合于所述波导、所述凹部以及所述连接部之上,具有在所述波导延伸的方向上突出的第一锥形部,所述连接部横穿所述凹部,与所述波导和所述平台连接。
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公开(公告)号:CN119270534A
公开(公告)日:2025-01-07
申请号:CN202410437884.0
申请日:2024-04-12
Applicant: 朗美通技术英国有限公司
Abstract: 电光调制器可以包括射频(RF)调制区域,所述RF调制区域包括第一光波导、第二光波导、第一组电极段、第二组电极段和导电带。所述第一光波导可以传播第一光信号。所述第二光波导可以传播第二光信号。所述第一组电极段可以将第一RF信号施加到所述第一光波导。所述第二组电极段可以将第二RF信号施加到所述第二光波导。所述导电带可以使得能够从所述电光调制器提取在所述第一光波导和所述第二光波导中生成并流过所述第一光波导和所述第二光波导下方的掺杂层的光电流。所述导电带可以与所述掺杂层欧姆接触。
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公开(公告)号:CN119247643A
公开(公告)日:2025-01-03
申请号:CN202411503361.8
申请日:2020-02-07
Applicant: 思敏光子控股有限责任公司
Inventor: 拉斯特科·帕伊科维奇 , 埃尔温·安东纽斯·约瑟夫斯·玛丽亚·本特 , 斯特凡诺斯·安德烈乌 , 特奥多鲁斯·托马斯·马里纳斯·范·沙伊克
Abstract: 本公开涉及光子集成电路及其制造方法。光子集成电路PIC,包括衬底上的多个半导体层,所述多个半导体层形成PIN或PN掺杂结构,所述PIC包括:波导,其被布置用于传导光波;光学元件,其连接到波导,其中所述光学元件在操作中处于反向偏置模式,并且其中光学元件包括被布置用于连接到电压源的接触层;其中波导包括靠近光学元件的导电触点,并且其中PIC还包括布置在光学元件和导电触点之间的至少一个隔离部分。本文还提出了此类PIC的对应操作方法。
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公开(公告)号:CN112384846B
公开(公告)日:2024-12-17
申请号:CN201980031726.2
申请日:2019-05-10
Applicant: 洛克利光子有限公司
Abstract: 公开了一种光电装置。所述光电装置包括:设置在所述装置的基板上的肋形波导,所述肋形波导包括脊部分和板部分;加热器,所述加热器设置在所述板部分内;热隔离沟槽,所述热隔离沟槽与所述肋形波导相邻并且延伸到所述装置的所述基板中;以及所述基板内的热隔离空腔,所述热隔离空腔直接连接到所述热隔离沟槽,并且跨所述肋形波导的宽度的至少一部分在至少所述肋形波导与所述基板之间延伸。
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公开(公告)号:CN114690454B
公开(公告)日:2024-12-03
申请号:CN202210306146.3
申请日:2022-03-25
Applicant: 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司 , 武汉邮电科学研究院有限公司
Abstract: 本公开提供了一种微环波长的控制系统、方法、设备及存储介质。所述控制系统包括:微环滤波器和波长控制电路;所述波长控制电路包括温控单元和监测单元;所述温控单元用于生成控制信号并发送至所述微环滤波器,所述控制信号用于控制所述微环滤波器的谐振波长;所述监测单元用于对所述微环滤波器进行监测,以获取监测信号;所述波长控制电路用于基于所述监测信号实时调节所述控制信号。
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公开(公告)号:CN119045221A
公开(公告)日:2024-11-29
申请号:CN202411482131.8
申请日:2024-10-22
Applicant: 中国科学技术大学
Abstract: 本申请公开了一种电光调制器和电光调制模组,涉及电光调制器技术领域,该电光调制器的电极层包括电容信号电极和电容地电极构成的平行板电容器结构,电容信号电极和电容地电极之间设置传输光信号的调制波导,通过在电容信号电极背离电容地电极一侧设置变阻线信号电极和变阻线地电极,且变阻线信号电极一端与电容信号电极连接,另一端作为微波信号输入接口,使得变阻线信号电极和变阻线地电极构成四分之一波长变换器结构,并通过在电容地电极内设置开路间隙区,抵消电容信号电极和电容地电极构成的平行板电容器结构的阻抗的虚部,将电容信号电极和电容地电极构成的平行板电容器结构作为负载的阻抗匹配至微波信号的输入阻抗,提高微波能量使用效率。
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公开(公告)号:CN113485033B
公开(公告)日:2024-11-08
申请号:CN202110494907.8
申请日:2019-02-21
Applicant: 洛克利光子有限公司
Abstract: 本文公开一种光电装置,所述光电装置包括:肋形波导,所述肋形波导包括:脊部分,所述脊部分包括对温度敏感的光学有源区,以及平板部分,所述平板部分邻近所述脊部分定位;所述装置还包括加热器,所述加热器安置在所述平板部分的顶部上,其中所述加热器的最靠近脊部分的部分距离所述脊部分至少2 μm。所述装置还可以具有设置有底部包覆层的加热器,并且还可以包括各种热绝缘增强腔。
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