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公开(公告)号：CN114200696B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202111403724.7
申请日：2021-11-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种马赫曾德尔电光调制器，包括第一和第二耦合器、第一波导臂、第二波导臂、第三波导臂、第四波导臂、第一和第二氮化硅波导；第一氮化硅波导和第二氮化硅波导均包括依次连接的第一弯曲部、直部和第二弯曲部；第一耦合器分别与第一波导臂的一端和第二波导臂的一端连接；第一氮化硅波导通过第一弯曲部和第一波导臂的另一端连接、通过第二弯曲部和第三波导臂的一端连接；第二氮化硅波导通过第一弯曲部和第二波导臂的另一端连接、通过第二弯曲部和第四波导臂的一端连接；第三波导臂的另一端和第二耦合器连接；第四波导臂的另一端通过相位改变器与第二耦合器连接；本发明能够降低调制器的有源区电容，并提高调制器的高频性能。
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公开(公告)号：CN119902328A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202411303740.2
申请日：2024-09-19
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明涉及光元件、激光模块、视网膜投影装置以及近眼可佩戴装置。光元件具备转换可见光的偏振波模式的模式转换器。模式转换器具备将可见光的偏振波模式从TM0模式转换为TE1模式的转换部、和分支部，该分支部将TE1模式的可见光分支为TE0模式的第1分支光和TE0模式的第2分支光并且调整第1分支光和第2分支光之间的相位差。分支部具备供第1分支光传输的第1分支波导和供第2分支光传输的第2分支波导。第1分支波导中的第1分支光的光路长和第2分支波导中的第2分支光的光路长彼此不同。
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公开(公告)号：CN119882282A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510124215.2
申请日：2025-01-26
Applicant: 国科光芯金杏(北京)实验室科技有限公司
Abstract: 本发明实施例提供了一种波导晶圆、复合调制器及其制备方法，涉及电光调制器件技术领域，其中，该波导晶圆包括：SiO2热氧层在硅衬底的顶面；第一SiO2包层在SiO2热氧层的顶面；波导结构在第一SiO2包层中；金属电极在第一SiO2包层和SiO2热氧层中；键合界面位于波导结构上方第一SiO2包层的顶面，键合界面距离波导结构的顶面间的SiO2厚度为预设厚度，键合界面是处理为预设平整度后通过牺牲层的保护避免在刻蚀第二SiO2包层的过程中被过刻蚀，牺牲层在刻蚀完成第二SiO2包层后去除；第二SiO2包层刻蚀后均位于第一SiO2包层的顶面上除键合界面之外的区域处。该方案可以获得厚度可控、表面平整的键合界面。
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公开(公告)号：CN119828368A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202510124230.7
申请日：2025-01-26
Applicant: 国科光芯金杏(北京)实验室科技有限公司
Abstract: 本发明实施例提供了一种复合波导结构及其制备方法，涉及电光调制器件技术领域，其中，该复合波导结构包括：波导晶圆包括硅基底、设置在硅基底的顶面的SiO2层、波导结构和金属电极，波导结构和金属电极设置在SiO2层中且波导结构的所处层位高于金属电极的所处层位，在水平投影上相邻的两个波导结构在金属电极的两侧；凹槽结构设置在SiO2层中，凹槽结构位于待键合区的波导结构的上方；电光薄膜层键合在凹槽结构内，与凹槽结构下方的波导结构构成复合波导结构。该方案提高了键合区与非键合区的工艺结构兼容性，有利于提高D2W异质集成技术的应用范围或场景。
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公开(公告)号：CN119828365A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202510124222.2
申请日：2025-01-26
Applicant: 国科光芯金杏(北京)实验室科技有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，提供了一种铌酸锂‑氮化硅异质集成电光调制器及其制备方法，所述电光调制器包括衬底、下包层、富硅氮化硅波导芯、铌酸锂‑氮化硅复合波导芯和电极。下包层上形成至少两个凹槽，凹槽包括中部等宽凹槽和位于中部等宽凹槽两端且宽度渐缩的端部渐缩凹槽。富硅氮化硅波导芯位于凹槽内；铌酸锂‑氮化硅复合波导芯包括氮化硅波导芯和铌酸锂薄膜；电极位于富硅氮化硅波导芯两侧，且设置在键合介质层或铌酸锂薄膜上。本发明的电光调制器可以使光场通过富硅氮化硅波导芯在氮化硅波导芯和铌酸锂‑氮化硅复合波导芯之间进行层间耦合过渡，可以降低膜层厚度，同时确保层间耦合的均一性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119828364A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202510124217.1
申请日：2025-01-26
Applicant: 国科光芯金杏(北京)实验室科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种大区域表面氧化硅厚度均匀性控制方法，包括：在波导衬底上刻蚀形成金属沉积槽，在金属沉积槽内形成金属电极，并在金属沉积槽内填充氧化硅包层，以通过氧化硅包层将金属电极覆盖；在波导衬底的表面与氧化硅包层的表面共同形成的凹凸表面上形成第一光刻胶层，对第一光刻胶层进行图形化处理，以使图形化的第一光刻胶层在金属电极与金属沉积槽的槽壁之间的间隙上方形成保护结构；以保护结构为掩模，通过刻蚀图形化凹凸表面，以对凹凸表面进行第一次平坦化处理；去除保护结构，再对凹凸表面进行第二次平坦化处理，获得处理后的波导器件。本发明能够对大区域表面氧化硅厚度均匀性进行精确控制，进而提高器件性能及产品良率。
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公开(公告)号：CN119738985A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202411886885.X
申请日：2024-12-18
Applicant: 甬江实验室
Abstract: 本申请公开了一种倒置结构薄膜铌酸锂/钽酸锂电光调制器的制备方法，属于电光调制器技术领域。该制备方法包括如下步骤：提供器件层，所述器件层的材料选自铌酸锂和/或钽酸锂；在所述器件层上获得波导结构：在所述器件层的一侧表面通过刻蚀或沉积的方式制备所述波导结构；倒置低温键合、减薄：提供衬底，使所述波导结构的一面朝向所述衬底，将所述器件层倒置低温键合于所述衬底上，然后对所述器件层进行减薄。此方法可解决离子注入造成晶格损伤的问题，以及减薄再制备器件时器件层厚度不均、表面不光滑的问题。
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公开(公告)号：CN114174901B
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202080053423.3
申请日：2020-08-07
Applicant: 住友大阪水泥株式会社
Abstract: 本发明提供一种光调制器以及光发送装置，实现良好的光调制特性。一种光调制器，包括：中继基板，具有将信号输入端子与光调制元件的信号电极予以连接的信号导体图案以及接地导体图案；以及框体，信号导体图案具有包含电气电路元件的零件搭载部，夹着信号导体图案的两个接地导体图案其俯视形状在以零件搭载部为中心的俯视正方形的零件搭载范围内，关于沿着所述零件搭载部中的信号导体图案的延伸方向延伸的直线而不对称地形成，俯视正方形即所述零件搭载范围是将零件搭载部中的信号导体图案的延伸方向作为一边的方向，且将从零件搭载部的中心直至相对于所述中心为最近的邻接的信号导体图案上的部分为止的距离作为一边的长度。
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公开(公告)号：CN119717315A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202311267674.3
申请日：2023-09-27
Applicant: 青岛海信宽带多媒体技术有限公司
Inventor： 李杨
Abstract: 本公开提供的光调制芯片的制备方法、光调制芯片及光模块中，沿第一衬底的表面刻蚀形成第二耦合波导及光调制器的脊波导；在第二耦合波导的上方形成第三耦合波导。沿第一衬底的顶表面刻蚀以形成第二凹槽及第三凹槽；然后沿第二凹槽的底表面刻蚀形成第一凹槽。沿光调制器的脊波导生长形成光调制器；沿第二衬底的表面刻蚀形成第一耦合波导及光解调器。沿第二衬底的顶表面刻蚀以分别形成凸出部、第一搭接部及第二搭接部；将凸出部设于第一凹槽内，将第一搭接部搭接于第二凹槽表面，第二搭接部搭接于第三凹槽表面，以得到光调制芯片。本公开制备的光调制芯片，充分发挥两种衬底优势，提高光模块性能。
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公开(公告)号：CN119667979A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202311172015.1
申请日：2023-09-12
Applicant: 南京刻得不错光电科技有限公司
Abstract: 本公开提供一种电光调制器和光发射器，电光调制器包括第一分支波导、第二分支波导以及射频电极，射频电极包括依次间隔设置的第一地电极、第一信号电极、第二地电极、第二信号电极和第三地电极，其中，第一信号电极和第二信号电极被配置为接收驱动信号，第一分支波导与第二分支波导分别位于射频电极中任意相邻的两个电极之间的间隔区域，且第一分支波导与第二分支波导所在位置的电场方向相反。
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