使用用于光刻的超表面和集成光学系统的检测系统

    公开(公告)号:CN119923598A

    公开(公告)日:2025-05-02

    申请号:CN202380070242.5

    申请日:2023-09-15

    Abstract: 一种检查系统,包括:具有基底、波导系统、以及设置在基底上的第一光栅耦合器和第二光栅耦合器的集成光学系统、第一检测器和第二检测器、以及微结构化照射调整器。集成光学系统接收从目标散射的照射的具有相应的第一至第四波长的第一至第四部分。第一至第四光栅耦合器将第一至第四部分发射到波导系统中。第一波长和第二波长不同于第三波长和第四波长。第一检测器接收第一部分和第二部分的组合以生成第一测量信号。第二检测器接收第三部分和第四部分的组合以生成第二测量信号。微结构化照射调整器包括第一至第四微结构化区,以将第一至第四部分引导至第一至第四光栅耦合器中的相应光栅耦合器。

    光学组件、光学系统及投射曝光设备

    公开(公告)号:CN119907946A

    公开(公告)日:2025-04-29

    申请号:CN202380067027.X

    申请日:2023-09-19

    Inventor: R·格洛里安

    Abstract: 本发明涉及一种用于投射曝光设备(1)的光学组件(102),包括光学元件(126)和承载光学元件(126)的安装座(128),其中安装座(128)包括安装座下部(136)和可释放地连接到安装座下部(136)的安装座上部(138),其中光学元件(126)仅连接到安装座上部(138),并且其中安装座上部(138)包括多个可弹簧弹性变形的支承脚(246),光学元件(126)支承在支承脚(246)上。

    基于低电压冰胶电子束曝光的三维灰度结构及三维微纳空心结构制造方法

    公开(公告)号:CN119861527A

    公开(公告)日:2025-04-22

    申请号:CN202411903787.2

    申请日:2024-12-23

    Abstract: 本发明公开了一种基于低电压冰胶电子束曝光的三维灰度结构及三维微纳结构的制造方法,包括:在加工面上沉积一层冰层;然后利用低能量电子束分层曝光,去除每层特定部分的冰层,最终形成带有特定灰度图案的三维灰度冰雕结构;可选择的在三维冰雕结构采用物理气相沉积发沉积材料,形成三维微纳结构;所述冰层为水冰;所述低电压电子束能量低于5keV。本发明利用iEBL的特性以及水冰中的低能量曝光,不紧可以获得无需支撑结构的三维冰雕结构,而且可以将灰度冰雕成功转化为高纯度的三维金属结构。这一突破为采用水冰抗蚀剂改进纳米器件制造提供了潜力,并确立了iEBL在构建精细、无污染的三维金属纳米结构中的关键技术地位。

    超表面器件及超表面器件制备方法

    公开(公告)号:CN119861434A

    公开(公告)日:2025-04-22

    申请号:CN202510277503.1

    申请日:2025-03-10

    Abstract: 本申请提供了一种双面结构可以相同,也可以不同的超表面器件,通过设计特定形状的双面纳米柱结构,利用特定尺寸的纳米柱组成的双层超表面可以增加器件上每个点的设计自由度,因为其长宽高以及旋向在各个点处均可以不同,而双层进一步增加了其设计自由度,相比于传统鲍威尔扩束系统,复杂面型增加了加工的难度,并无超表面带来的自由度,因此,该双层超表面可以通过改变纳米尺寸的长,宽,高,以及旋向,可以达到更好的扩束效果。

    一种逆向设计的超构表面器件及其制备、设计方法

    公开(公告)号:CN115857067B

    公开(公告)日:2025-04-22

    申请号:CN202211739816.7

    申请日:2022-12-30

    Abstract: 本发明公开了一种逆向设计的超构表面器件及其制备、设计方法,包括从下至上依次设置的透明介质衬底与第一层电介质微纳单元结构、HSQ分隔层和第二层电介质微纳单元结构,根据层数不同可追加更多层数的微纳单元结构。本发明逆向设计的超构表面器件通过在现有数据库的基础上,采用逆向设计的方法,训练优化网络后获得了其他结构参数以及自由形状结构的光学响应,为正向设计方法中难以获得的高自由度形状提供了全新的设计思路。本发明利用GPU的并行计算能力提高计算性能,而且将多种算法相互融合,避免了局部最优解、难以收敛等问题,计算资源损耗低,计算结果优秀。采用套刻工艺进行多层的制备,工艺简单,层间对准精度高。

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