公开(公告)号：CN119877147A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202510262892.0

申请日：2025-03-06

Applicant: 江苏省纺织研究所股份有限公司

Inventor： 张仁乐 ,  孙吉东 ,  涂平莲 ,  曾建玲 ,  张盼盼 ,  章思乔

IPC: D01F8/14 ,  D01F1/09 ,  D06M11/28 ,  D06M13/256 ,  D06M13/352 ,  D06M15/03 ,  D06M15/53 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00 ,  H01B13/30 ,  H01B5/12 ,  H01B5/16 ,  D03D15/37 ,  D01D5/42 ,  D03D15/292 ,  D03D15/533 ,  D06M101/32

Abstract: 本申请涉及导电纤维的技术领域，具体公开了一种多层复合型导电扁丝、面料及生产工艺。一种多层复合型导电扁丝，包括导电层和中间层，所述导电层的原料包括如下重量份的组分：基体树脂70~90份、纳米导电碳黑1~5份、碳纳米管1~5份、石墨烯5~10份。本申请中纳米导电碳黑、碳纳米管、石墨烯导电成分分布于导电层中，位于导电扁丝表面，有效提升了扁丝的导电性和机械性能，解决了导电层易剥落的问题，同时简化了生产工艺，降低了生产成本。

公开(公告)号：CN119763901A

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202510208712.0

申请日：2025-02-25

Applicant: 深圳先进电子材料国际创新研究院 ,  深圳先进技术研究院

Inventor： 胡友根 ,  李经天 ,  段英杰 ,  许亚东 ,  王勇 ,  孙蓉

IPC: H01B5/00 ,  H01B5/14 ,  H01B5/16 ,  H01B13/00 ,  H01B1/02

Abstract: 本发明提供一种导电粒子及其制备方法和应用，所述导电粒子具有核壳结构，所述导电粒子的核层为有机硅微球，壳层为金属镀层。本发明通过使用有机硅微球作为内核得到的导电粒子，具有粒径均一可控、耐高温、抗破碎性好等优势；通过调控金属镀层厚度可实现对导电粒子模量的调整，工艺温和简便；本发明提供的导电粒子在高温以及对粒子抗压要求较高的场景下具有广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN119173960A

公开(公告)日：2024-12-20

申请号：CN202380041970.3

申请日：2023-07-25

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 白石翔大

IPC: H01B1/00 ,  H01B1/22 ,  H01B5/00 ,  H01B5/16 ,  H01R11/01

Abstract: 本发明提供一种导电性粒子，其在电极间进行了电连接的情况下，能够降低连接电阻，即使在高温并且高湿的环境下长期暴露于高电压下，也能够防止Ni‑Sn导电层中的电荷的移动。本发明的导电性粒子具备：基材粒子和包含镍和锡的Ni‑Sn导电层，在所述基材粒子的表面上配置有所述Ni‑Sn导电层，所述Ni‑Sn导电层的整体的区域中的锡的平均含量低于5重量%，通过TEM‑EDX测定所述Ni‑Sn导电层的厚度方向上的锡的含量时，在所述Ni‑Sn导电层的外侧的厚度1/2的区域中，锡的含量的最大值为5重量%以上。

公开(公告)号：CN114651312B

公开(公告)日：2024-11-26

申请号：CN202080072032.6

申请日：2020-10-15

Applicant: 国立大学法人大阪大学

Inventor： 坂本雅典

IPC: H01B5/14 ,  H01B5/16 ,  H01B1/14 ,  H01B1/20 ,  H01B13/00 ,  C09D5/24 ,  C09D7/61 ,  C09D7/63 ,  C09D11/52

Abstract: 本发明提供能够不使用真空成膜法进行成膜、包含不是贵金属和特殊碳材料的材料作为用于表现导电性的导电要素的导电膜。所提供的导电膜包含半导体纳米粒子的排列部，在观察包含排列部的截面时，在排列部中，半导体纳米粒子以彼此分离的状态排成一列，沿至少一个方向测定的电导率C1为7S/cm以上。

公开(公告)号：CN114787307B

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202080082210.3

申请日：2020-11-26

Applicant: 迪睿合株式会社

Inventor： 大关裕树

IPC: C09J7/30 ,  C08G59/40 ,  C09J4/06 ,  C09J9/02 ,  C09J11/04 ,  C09J11/06 ,  C09J11/08 ,  C09J163/00 ,  C09J163/02 ,  H01B5/16 ,  H01R11/01 ,  H01R43/00

Abstract: 各向异性导电膜，其是用于将电子零件安装于布线基板的各向异性导电膜，可不降低粒子捕捉效率而抑制连接电阻值的上升，其含有环氧系化合物、阴离子聚合型固化剂、丙烯酸系化合物、自由基聚合引发剂、成膜用树脂和导电粒子。在这里，丙烯酸系化合物的含量相对于环氧系化合物、阴离子聚合型固化剂、丙烯酸系化合物、自由基聚合引发剂和成膜用树脂的总和为1.0质量%以上且8.0质量%以下。各向异性导电膜可层叠有分别含有环氧系化合物、阴离子聚合型固化剂和成膜用树脂的第1层和第2层。在这种情况下，可只第1层含有丙烯酸系化合物和自由基聚合引发剂，也可进一步含有导电粒子。

公开(公告)号：CN118872005A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202380025450.3

申请日：2023-03-06

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 松泽光晴 ,  富坂克彦 ,  山崎将平 ,  关英之 ,  松崎敏晓

IPC: H01B5/00 ,  C09J7/35 ,  H01B1/00 ,  H01B1/24 ,  H01B5/16 ,  H01B13/00 ,  H01R11/01 ,  H01R43/00

Abstract: 一种导电粒子(P)，其用于制造单分散率为90.0％以上的电路连接用黏合膜，该导电粒子(P)具备导电性母粒子(31)及包覆该母粒子(31)的表面的子粒子(32)，当将通过SEM以30000倍的倍率观察而求出的子粒子(32)的粒子半径及粒子直径分别设为rX及dX、将该粒子直径dX的平均值即子粒子(32)的平均粒径设为dY时，由下述式(1)求出的子粒子(32)的不规则度为2.0以下。式(1)中，rY表示直径等于dY的虚拟球的半径，D表示所述子粒子的粒子半径rX与所述虚拟球的半径rY的绝对差的平均值。不规则度＝D/rY×100(1)。

公开(公告)号：CN118843910A

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202380025665.5

申请日：2023-03-06

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 松泽光晴 ,  富坂克彦 ,  山崎将平 ,  关英之 ,  松崎敏晓

IPC: H01B5/00 ,  C09J7/35 ,  H01B1/00 ,  H01B1/22 ,  H01B5/16 ,  H01R11/01 ,  H01R43/00

Abstract: 一种导电粒子(P)，其是电路连接用黏合膜用导电粒子(P)，所述导电粒子(P)具备导电性母粒子(31)及包覆该母粒子(31)的表面的子粒子(32)，当将通过SEM以30000倍的倍率观察而求出的子粒子(32)的粒子半径及粒子直径分别设为rX及dX、将该粒子直径dX的平均值即子粒子(32)的平均粒径设为dY时，由下述式(1)求出的子粒子(32)的不规则度大于2.0。式(1)中，rY表示直径等于dY的虚拟球的半径，D表示子粒子32的粒子半径rX与所述虚拟球的半径rY的绝对差的平均值。不规则度＝D/rY×100(1)。

公开(公告)号：CN112469260B

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202011321078.5

申请日：2020-11-23

Applicant: 南昌联能科技有限公司

Inventor： 杨天纬

IPC: H05K9/00 ,  H01B5/00 ,  H01B5/16 ,  H01B7/17 ,  H01B13/00 ,  H01B13/22

Abstract: 本申请提供了一种屏蔽膜、屏蔽膜的制备方法及线缆，可以在提高线缆屏蔽率的同时，提高线缆的生产效率。该屏蔽膜包括：载体层、第一屏蔽层以及第二屏蔽层；所述载体层包括目标载体以及填充至所述目标载体中的金属粒子和炭粒子，用于屏蔽电磁干扰；所述第一屏蔽层以及所述第二屏蔽层均附着于所述载体层，且所述第一屏蔽层与所述第二屏蔽层相对于所述载体层呈对称设置；所述第一屏蔽层以及所述第二屏蔽层由所述金属粒子和所述炭粒子组成，用于屏蔽电磁干扰以及强化所述目标载体。

公开(公告)号：CN118359188A

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202410308359.9

申请日：2024-03-18

Applicant: 中国科学院金属研究所

Inventor： 张峰 ,  张子初 ,  刘畅 ,  李康 ,  杨昊 ,  成会明

IPC: C01B32/168 ,  C01B32/159 ,  C01G41/02 ,  C01B32/949 ,  C01G41/00 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00 ,  B22F9/22 ,  B22F1/054 ,  H01B1/04 ,  H01B5/16

Abstract: 本发明涉及纳米材料的可控制备领域，具体为一种制备超细纳米颗粒/线@单壁碳纳米管复合宏观体的方法。首先在单壁碳纳米管管壁上引入缺陷并打开碳纳米管的端口，在液相中使前驱体以“毛细作用”进入单壁碳纳米管管腔，后经快热处理使前驱体在管腔内分解、反应、组装，形成径向尺寸小于单壁碳纳米管直径的超细纳米颗粒或纳米线。该过程通过改变单壁碳纳米管的直径、单壁碳纳米管管壁的缺陷密度、前驱体溶液浓度和比例、快热处理的温度、时间和气氛等，调控超细纳米颗粒/线的直径、长径比、物相和成分。超细纳米颗粒/线@单壁碳纳米管同时具有高活性和高稳定性，其宏观体在能量存储与转换、药物输运、催化等领域具有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN115135809B

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202180015477.5

申请日：2021-01-13

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 糟谷雄一

IPC: C25D1/00 ,  C25D5/02 ,  C25D5/10 ,  C25D5/12 ,  C25D5/44 ,  C25D7/00 ,  C25D11/20 ,  C25D11/24 ,  H01B5/16 ,  H01R11/01

Abstract: 本发明提供一种当对多个细孔填充金属时，抑制对多个细孔的金属填充缺陷，并抑制了由所填充的金属构成的导电体的结构缺陷的金属填充微细结构体、金属填充微细结构体的制造方法及结构体。金属填充微细结构体具有绝缘膜及在绝缘膜的厚度方向上贯穿设置的多个针状导通体。多个导通体分别具有主体部、设置于导通体的至少一个前端的第1区域部、及设置于主体部与第1区域部之间的第2区域部，第1区域部包含第1金属，第2区域部包含第2金属，主体部包含第3金属。第1区域部比第2区域部包含更多的第1金属，第1金属的离子化倾向大于第2金属。