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公开(公告)号：CN117995504B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202410121009.1
申请日：2024-01-29
Applicant: 北京首冶磁性材料科技有限公司
Abstract: 本申请涉及新材料软磁合金领域的一种钴基非晶软磁材料、恒导磁磁芯及制备方法和应用。以原子百分比计，所述软磁材料由以下元素组成：Fe：0.5~5%，Mn：1~6%，Mo：3~6%，Si：10~20%，B：5~20%，Co：余量；且所述Mn和Mo的原子百分比含量之和为4~8%。本申请通过将Co、Fe、Mn、Mo、Si和B元素的含量控制在特定范围内，使得利用该钴基非晶软磁材料为母合金制备的钴基非晶恒导磁磁芯具有不同的恒导磁场，磁导率为2800~3500，同时钴基非晶恒导磁磁还具有高饱和磁场强度Bs、低损耗、低矫顽力，尤其是具有较好的频率特性和偏置特性，满足高精度电流互感器的使用要求。
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公开(公告)号：CN115274285B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202211015097.4
申请日：2022-08-23
Applicant: 深圳市驭能科技有限公司
IPC: H01F41/02 , H01F27/25 , B24B19/00 , B24B55/02 , C10M173/00 , C10M173/02 , C10N30/06 , C10N30/10 , C10N40/22
Abstract: 本发明属于纳米晶软磁材料技术领域，公开了一种高磁导率纳米晶切割铁芯及其制备方法和应用。所述制备方法包括：将铁基纳米晶合金薄带进行卷绕或进一步加工为目标形状，然后进行退火，得到非晶纳米晶铁芯；再进行浸漆固化处理，将固化后的铁芯切割成C型铁芯；将所得C型铁芯的切面进行机械磨削处理，磨削过程中采用含有磨砂的磨削液进行冷却，得到所述高磁导率纳米晶切割铁芯。本发明通过机械磨削的方法，将切割后的纳米晶铁芯切面进行修复，两个光亮的切面对接在一起时，可以将高频的磁导率恢复至未切割闭合磁路时的80％以上，从而实现高频的高阻抗特性，应用于大电流大功率的场景。
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公开(公告)号：CN111755218B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202010767754.5
申请日：2020-08-03
Applicant: 长沙楠车电气设备有限公司
Abstract: 本发明提供一种R型开口铁芯及其在霍尔电流传感器中的应用。所述铁芯由一个长条形的金属片由内至外卷绕成形，并在其非绕线圈的侧边位置切割出一个开口气隙，所述铁芯的导磁截面为圆形；所述金属片包括多个首尾相连的分段，所述金属片各处厚度均等且宽度从中间向两端逐段减小，同一分段内各处宽度均等，在相邻分段间设有宽度渐变的过渡连接段，其中，中间分段的宽度与铁芯导磁截面的直径相等，而关于中间分段位置对称的两个分段的宽度相等，各分段的长度设置为可在在先卷绕的基础上继续完整卷绕一周。将上述铁芯用于霍尔电流传感器中，可实现漏磁极小、磁阻低、铁损小、线圈内阻最小的目标，进而提高传感器的准确度及性能。
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公开(公告)号：CN119332180A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411385649.X
申请日：2024-09-30
Applicant: 青岛云路先进材料技术股份有限公司
Abstract: 本发明涉及软磁材料技术领域，尤其涉及一种铁基非晶合金带材及其制备方法、非晶合金铁芯和变压器。铁基非晶合金带材由Fe、Si、B和C主要元素及不可避免的杂质组成；铁基非晶合金带材的表面具有间隔排布的刻痕；铁基非晶合金带材的B80/BS≥0.96，其中，B80/BS是当80A/m的外部磁场施加给铁基非晶合金带材时所产生的磁通量密度B80相对于铁基非晶合金带材的饱和磁通量密度BS的比率。本发明一种非晶铁基合金带材通过有效的成分配比结合带材进行刻痕，能有效的提升B80，提升变压器铁芯磁密设计空间，提高软磁性能，同时变压器具有较低的噪音与空载损耗。
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公开(公告)号：CN112582148B
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202010959323.9
申请日：2020-09-14
Applicant: 株式会社博迈立铖
Abstract: 本发明提供一种降低了空载损耗的变压器。变压器中，在Fe基非晶合金薄带的至少一面具有多个沿着与Fe基非晶合金薄带的浇铸方向正交的方向设置的点列状激光照射痕，将点列状激光照射痕间的行间隔设为d1(mm)，将点列状激光照射痕的孔间隔设为d2(mm)，孔间隔未0.10mm～0.50mm，激光照射痕的数密度D(D＝(1/d1)×(1/d2))为0.05个/mm2～0.50个/mm2，具备使用其单板中的频率50Hz、频率60Hz、磁通密度1.45T下的铁损为0.150W/kg以下的Fe基非晶合金薄带构成的铁芯和卷绕于铁芯的绕阻。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118534174A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410540635.4
申请日：2024-04-30
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 一种基于非晶丝的柔性环形电流传感器及其带宽补偿方法，包括磁芯、感应线圈、低通滤波器和带宽补偿电路；感应线圈缠绕在磁芯上，感应线圈连接在低通滤波器上；低通滤波器的输出端连接带宽补偿电路；低通滤波器用于对感应线圈产生感应电动势进行积分，带宽补偿电路用于对滤波后的信号进行带宽补偿与信号放大后，输出电压信号。本发明通过将超细非晶合金丝用作磁芯的方式，克服了以往带铁芯的和罗氏线圈电流互感器体积大、形状固定、灵敏度低的缺点，使得电流互感器的柔性化和性能的大大提升；通过基于并联谐振的带宽补偿回路极大拓宽了电流互感器的带宽，且该带宽补偿回路具有结构简单、成本低廉，性能稳定的优点。
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公开(公告)号：CN111063530B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN201910982368.5
申请日：2019-10-16
Applicant: SHT有限公司
Abstract: 本发明涉及电流检测器用的磁芯及其制造方法。本发明提供能够在维持磁芯片的配对的状态下形成多个间隙的电流检测器用的磁芯及其制造方法。本发明的电流检测器用的磁芯（10）具备：将环状的磁芯主体（12）沿径向在2处切断而形成的一对磁芯片（20、23），所述磁芯片被配置为切断面（21、24）彼此以保持第1间隙（26）和第2间隙（28）的方式相对；以及使用树脂将以夹持所述第1间隙和所述第2间隙的方式相对的所述磁芯片的所述切断面的周面部分地包覆后的第1部分铸模（30）和第2部分铸模（40），第1部分铸模以夹持所述间隙的方式通过桥部（33）连结。
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公开(公告)号：CN118197784A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410347149.0
申请日：2024-03-26
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 本发明提出一种抑制纳米晶高频变压器漏磁通涡流损耗的复合磁设计方法。该方法适用于大功率DC/DC变换器，包括原边绕组和副边绕组相互分离，使纳米晶高频变压器具有高漏感；通过有限元仿真确定大功率纳米晶高频变压器磁芯的主要温升区域；在上述温升区域的外侧，套接一层厚度较小的铁氧体磁环，以控制漏磁通路径，减少沿垂直方向穿过纳米晶带材的漏磁通；通过改变铁氧体磁环厚度，用有限元仿真验证纳米晶磁芯外套铁氧体磁环对涡流损耗的抑制效果；综合考虑体积、漏感和损耗，确定铁氧体磁环厚度。本发明在不显著改变纳米晶高频变压器体积和漏感的前提下，明显降低了磁芯损耗。
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公开(公告)号：CN118158930A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202311572023.5
申请日：2023-11-23
Applicant: 采埃孚股份公司
Abstract: 提出了具有集成的磁芯的EMV壳体和电子器件模块，该EMV壳体由两个能彼此连接的子壳体形成，其中，第一子壳体用于容纳EMV滤波器的部件，在第二子壳体中形成用于容纳纳米晶磁芯的结构空间，磁芯具有通道，其中，A)在将未加工形式的纳米晶磁芯引入到第二子壳体中的结构空间中之后，将第二子壳体与第一子壳体粘接，使得纳米晶磁芯被两个子壳体密封，或B)在引入第二子壳体中后用灌封物将纳米晶磁芯密封包围，并且将第一子壳体与第二子壳体连接成EMV壳体，或C)第二子壳体具有带环圈的端部区域，并且第一子壳体形成具有弯曲部的盖，其中，在弯曲部与环圈之间引入粘合剂，当子壳体彼此连接成EMV壳体时，粘合剂至少使弯曲部的一部分和环圈的一部分粘接。
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公开(公告)号：CN118039280A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202311856939.3
申请日：2023-12-29
Applicant: 宁波中科毕普拉斯新材料科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种类圆形横截面磁芯及其制备方法，涉及磁芯技术领域，包括：软磁磁芯为采用n个不同宽度的软磁合金带材依次按照由窄到宽、再由宽到窄的顺序分别卷绕相同的梯次厚度T而形成的环形磁芯，所述软磁磁芯横截面为近似圆形的轴对称结构。有益效果是采用本发明的磁芯制备相同技术参数的电感、变压器等电子器件时所需要的漆包线长度更短，能够大大节省铜线材料用量，电子器件的电阻和重量更小，生产成本也显著降低；而且，本发明的类圆形横截面磁芯外部轮廓圆滑，更适于采用自动化圆形绕线机进行绕线，绕线环节对磁芯产生的应力更小，磁芯性能衰减更小，电子器件的性能也更高。
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