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公开(公告)号：CN119856247A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202280099862.7
申请日：2022-09-16
Applicant: 日立能源有限公司
IPC: H01L21/04 , H01L21/223 , H10D62/83
Abstract: 公开了一种用于制造SiC半导体元件(10)的方法，该方法包括以下步骤：提供顶部上具有SiC外延层(30)的SiC衬底(20)；使用第一材料的掺杂剂(35)通过等离子体浸没离子注入(PIII)来处理SiC外延层(30)。该方法还包括：对SiC外延层(30)的顶表面(31)进行热氧化，使得生长热氧化物层(40)；以及对热氧化物层(40)进行蚀刻。该方法还包括：在SiC外延层(30)中注入第二材料的掺杂剂(36)，使得产生漏极(50)和源极(60)；通过活化退火对掺杂剂进行活化；以及沉积金属栅极(70)。
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公开(公告)号：CN115519467B
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202210382005.X
申请日：2022-04-13
Applicant: 环球晶圆股份有限公司
Inventor： 邱锦桢
Abstract: 本发明描述了一种研磨碳化硅晶片以改善其几何曲率的方法。首先，将单晶晶体切成几个晶片，其中每个晶片都具有硅面，即第一表面。相反的另一面是碳面，称为第二表面。然后，将晶片的硅面朝下，并置于研磨载台上以执行第一次研磨。要强调的是，在晶片和研磨载台之间存在支撑承载件。承载件可以是凹形或凸形框架。研磨碳面后，取下晶片，脱除承载件，晶片将会在碳面上出现凸形或凹形。后来，晶片被上下翻转，碳面朝下，放置在一平坦的载台上。最后，将硅面打磨，这是第二次研磨。如此，使用本发明支撑承载件，可以改善晶片的几何曲率。
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公开(公告)号：CN119742226A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202411628645.X
申请日：2024-11-14
Applicant: 谢速
Inventor： 谢速
IPC: H01L21/04
Abstract: 本发明涉及Si C MOSFET技术领域，且公开了一种减少S iC Mosfet栅氧失效的方法，包括如下步骤：准备一个具有清洁表面的4H‑S iC或6H‑SiC单晶衬底，通过原子层沉积技术在所述Si C衬底上沉积一层厚度为5nm至20nm的高k介电材料作为栅极绝缘层。该减少SiC Mosfet栅氧失效的方法，通过选择铪硅酸盐或铝锌氧化物等高k介电材料，可以在保持高击穿电压的同时，减少栅极漏电流，提高器件的性能和可靠性，在SiC衬底与高k介电材料之间沉积一层氮化硅缓冲层，可以显著降低界面态密度，进一步提高栅极绝缘层的质量和稳定性，通过在惰性气体氛围下进行低温退火处理，可以有效优化栅极与栅极绝缘层之间的界面质量，SiC MOSFET中集成温度传感器。
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公开(公告)号：CN119650417A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411823652.5
申请日：2024-12-12
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 一种无需台阶刻蚀的碳化硅欧姆接触电极结构，在碳化硅衬底片上表层生长有与衬底掺杂类型不同的外延层，在外延层表面制造有金属电极阵列，金属电极的制造过程无需依赖烦琐的微纳制造光刻、刻蚀等工艺，而是使用具有均匀边缘几何形貌的胶带作为掩蔽将欧姆接触电极间隔开，最后将样品均匀切割，形成了没有台阶的矩形传输线电极；本发明基于矩形传输线(TLM)原理，实现了结构更加简单且具有更小漏电流误差的碳化硅欧姆接触电极的制备，克服了传统电极矩形传输线方法制造的复杂工艺问题，降低制造成本的同时大幅缩短了电极制备时间，且易于实现。
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公开(公告)号：CN119601521A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202411887985.4
申请日：2024-12-19
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01L21/683 , H01L23/373 , H01L21/04 , H01L21/02
Abstract: 本发明涉及半导体器件技术领域，公开了一种金刚石薄膜的转移方法，包括：在表面光滑的异质衬底上生长金刚石薄膜；利用粘接剂在所述金刚石薄膜的表面粘接临时载体；掀开所述临时载体，以使所述金刚石薄膜跟随所述临时载体脱离所述异质衬底，完成金刚石薄膜的一次转移。本发明采用临时载体与金刚石通过粘接剂粘接，能够精准且完整地将大面积超薄金刚石薄膜从异质衬底上转移出来，从而适用于大面积超薄金刚石薄膜的转移。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119480631A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202410779246.7
申请日：2024-06-17
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L21/285 , C23C16/455 , C23C16/40 , H01L21/04 , H10D30/01 , H10D30/66
Abstract: 本公开的各实施例涉及半导体器件及其制造方法。提高了半导体器件的可靠性。在本公开中，通过ALD方法在使用包含卤族元素和金属元素的材料气体的工艺中，在碳化硅半导体衬底上形成栅极绝缘膜。
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公开(公告)号：CN117594428B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202410071980.8
申请日：2024-01-18
Applicant: 西安卫光科技有限公司 , 西安微晶微电子有限公司
IPC: H01L21/04 , H01L23/544 , G01R27/02
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种欧姆接触测试结构的制备方法，包括以下步骤：提供衬底层；在所述衬底层表面形成氧化层；在所述氧化层上涂覆光刻胶，经曝光、显影得到盖胶区和非盖胶区；刻蚀去除非盖胶区内裸露的氧化层；去除盖胶区内的光刻胶，得到若干间隔的氧化层；在若干间隔的氧化层以及裸露的外延层的表面形成金属层；采用湿法刻蚀对若干间隔的氧化层及其表面的金属层进行剥离，得到欧姆接触测试结构。即本发明的方案能够获取精确的欧姆接触测试结构，进而提高在线生产的产品合格率。
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公开(公告)号：CN119342893A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411447643.0
申请日：2024-10-16
Applicant: 合肥荃智空天信息超高频半导体研究院有限公司 , 合肥吉芯科技有限公司
IPC: H10D84/85 , H10D84/03 , H10D30/47 , H10D62/834 , H01L21/04
Abstract: 本发明公开了一种新型半导体结构与器件及制作方法，涉及半导体器件生产技术领域，包括衬底，所述衬底的顶面设有金刚石外延层；所述金刚石外延层的顶面分设为N型器件区和P型器件区，位于N型器件区内的金刚石外延层上设有氮化铝薄膜，位于P型器件区内金刚石外延层上通过离子注入的方式进行硼掺杂；本发明提出的半导体结构和半导体器件，特别是CMOS反相器和集成电路，具有更大的禁带宽度、更高的工作频率、更高的工作电压、更大的功率、更高的温度，应用前景广泛；相较于现有的金刚石衬底的半导体器件与CMOS集成电路，本发明采用硼离子注入的方式制造P型器件区，其具有更高的空穴迁移率，实现金刚石材料半导体性能充分发挥。
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公开(公告)号：CN119324147A
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202410934504.4
申请日：2024-07-12
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： M·皮钦
Abstract: 本公开涉及包括具有多孔碳化硅层的转移箔的复合衬底、功率半导体装置和制造的方法。一种制造碳化硅装置的方法包括形成包括多孔碳化硅层(116)的转移箔(110)。复合衬底(100)被形成，所述复合衬底(100)包括转移箔(110)和支撑衬底(190)，其中使转移箔(110)和支撑衬底(190)彼此接触并且彼此连接。外延层(120)被形成在多孔碳化硅层(116)的与支撑衬底(190)相对的一侧。复合衬底(100)被划分为装置衬底(150)和回收衬底(160)，其中装置衬底(150)包括外延层(120)，并且回收衬底(160)包括支撑衬底(190)。
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公开(公告)号：CN119275091A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411294145.7
申请日：2024-09-14
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L21/04 , H01L21/324 , H01L21/285 , H10D64/62
Abstract: 本发明公开了一种n型掺杂低阻欧姆接触金刚石及其制备方法，该制备方法包括：选取未有意掺杂的金刚石作为金刚石衬底；在第一预设温度下，在所述金刚石衬底上注入P离子，在所述金刚石衬底的上表面形成注入层；在第二预设温度下对所述注入层进行退火，使所述注入层中P元素进行再分布；在所述注入层上表面沉积金属层。本发明以P离子注入实现金刚石的n型掺杂，掺杂浓度高，可以在低的激活能下，实现较高的带电载流子浓度和良好体电导，降低了重磷掺杂金刚石原位生长对设备的要求。
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