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公开(公告)号：CN119895539A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202380067635.0
申请日：2023-08-23
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 普拉迪普·K·苏布拉满颜
IPC: H01L21/302 , H01L21/265
Abstract: 本公开案的实施例关于用于减少基板中的面外畸变(OPD)的技术和装置，以及控制OPD的效应和对基板进行修改以校正OPD对在基板上执行的后续基板处理操作的影响。本案实施例采用新颖技术来降低基板中的OPD，而无需添加或改质将在后续基板制造工艺中产生问题的基板部分。
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公开(公告)号：CN119895535A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202380066794.9
申请日：2023-10-04
Applicant: 株式会社国际电气
IPC: H01L21/205 , C23C16/44 , H01L21/302
Abstract: 本发明提供一种可缩短清洁所需要的时间的技术。该技术具有如下工序：(a)在处理容器对基板进行处理；以及(b)进行上述处理容器内的清洁的第1清洁工序，在(b)中，根据在(a)中形成于上述处理容器的膜的厚度来设定第1清洁条件而进行上述清洁。
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公开(公告)号：CN115605447B
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202180037985.3
申请日：2021-05-18
Applicant: 法国圣戈班玻璃厂
IPC: C03C17/36 , G01N21/88 , G05B19/418 , B32B17/00 , C03C1/00 , G01N21/84 , G05B19/18 , H01L21/00 , H01L21/027 , H01L21/30 , H01L21/302 , H01L21/321 , H01L21/46 , H01L21/475 , H01L21/4763
Abstract: 本发明涉及用于估计透明基材上的给定层状覆盖物的至少一个质量功能的计算机实施方法。更确切地说，描述了一种方法，该方法允许从过程中测量的质量功能预测透明基材上的给定层状覆盖物的至少一个非过程中测量的质量功能，所述过程中测量的质量功能可以是在任何位置、优选地在涂覆过程结束时在所沉积的已涂覆的基材上获取的。本发明相对于现有技术的反馈方法的突出优点在于，它可以允许摆脱对已涂覆的透明基材的质量功能的过程中实时持续测量和对涂覆过程参数的实时监控。
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公开(公告)号：CN115663057B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202211335276.6
申请日：2022-10-28
Applicant: 安徽大学
IPC: H10F30/22 , H10F77/12 , H10F71/00 , H01L21/302
Abstract: 本发明公开了一种基于氢氩混合等离子体温和处理的多层WSe2薄膜光电探测器及其制备方法，该探测器是利用多层WSe2薄膜实现光探测的双端器件，且多层WSe2薄膜通过氢氩混合等离子体进行处理，以减薄WSe2薄膜的层数、并修复多层WSe2晶体的本征缺陷。本发明的光电探测器兼顾高探测率、快响应速度以及低暗电流等优势，具有超高的探测灵敏度，且可用于探测微弱的光信号。
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公开(公告)号：CN119404596A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202380048421.9
申请日：2023-05-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/46 , H01J37/32 , H01L21/302 , H01L21/31
Abstract: 本发明的等离子体处理装置包括等离子体处理腔室、基片支承部、接地框、蓄电部、整流平滑部、供电输出连接器和受电线圈。接地框被接地，与等离子体处理腔室一起包围基片支承部。蓄电部和整流平滑部配置在由接地框包围的空间内。整流平滑部包括供电输入连接器和整流电路。供电输入连接器设置成能够从接地框的外侧访问。整流电路包括二极管桥，连接在供电输入连接器与蓄电部之间。供电输出连接器与受电线圈连接，相对于供电输入连接器可拆装。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113330535B
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202080010084.0
申请日：2020-01-14
Applicant: 株式会社JET
IPC: H01L21/027 , H01L21/3065 , H01L21/302 , H01L21/304 , H01L21/306
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置及基板处理方法，能够在减少微粒等异物的残留的同时获得抗蚀膜的较高去除率。以处理面(S1)与转台(14)的上表面隔开规定间隔且处理面(S1)朝下的姿势将基板(11)固定在壳体(12)内的转台(14)上。在基板(11)与转台(14)一体旋转的同时，从设置在转台(14)的中央部的喷出部(16)喷出臭氧气体。利用喷出的臭氧气体去除处理面(S1)上的抗蚀膜。
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公开(公告)号：CN111095486B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN201880059923.0
申请日：2018-06-15
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/027 , G03F7/42 , H01L21/302 , H01L21/3065 , H01L21/683
Abstract: 一种抗蚀剂去除方法以及抗蚀剂去除装置，所述抗蚀剂去除装置(1)的加热板(4)配置于处理空间(20)且被加热至规定的温度。多个升降销(51)在处理空间(20)中保持在上表面(91)上具有抗蚀剂的图案的基板(9)，所述抗蚀剂在表面形成有变质层。销升降机构(32)使多个升降销(51)相对于加热板(4)相对地移动。臭氧气体供给部(6)向基板(9)的上表面(91)供给臭氧气体。控制部(10)将基板(9)配置在与加热板(4)隔开间隙的第一处理位置而利用臭氧气体进行变质层(96)的去除，然后，通过控制移动机构(32)，将基板(9)配置在该间隙比第一处理位置更小的第二处理位置而利用臭氧气体进行抗蚀剂的去除。由此，能够一边防止爆裂一边高效地去除基板(9)上的抗蚀剂。
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公开(公告)号：CN118402042A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202280082153.8
申请日：2022-11-02
Applicant: AGC株式会社
IPC: H01L21/302
Abstract: 本发明涉及一种制造具有凹部结构的构件的方法，所述方法具有：(1)在被处理体的第一表面的一部分设置催化剂材料的步骤，其中，所述第一表面由氟化物的沸点为550℃以下的元素构成，所述催化剂材料包含具有极性官能团的有机化合物；和(2)在80℃以上的温度下将所述被处理体暴露于含氟气体的步骤，在所述(2)的步骤之后，在所述第一表面的所述催化剂材料的下侧形成凹部结构。
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公开(公告)号：CN110890332B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN201910841825.9
申请日：2019-09-06
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/29 , H01L21/302 , H01L29/739 , H01L29/12 , H01L29/76 , H01L29/78
Abstract: 本发明涉及具有包括硅和氮的部分的半导体器件和制造的方法。半导体器件（500）包括半导体本体（100）和包括硅和氮的第一部分（410）。第一部分（410）与半导体本体（100）直接接触。包括硅和氮的第二部分（420）与第一部分（410）直接接触。第一部分（410）在半导体本体（100）和第二部分（420）之间。在第一部分（410）中的平均硅含量比在第二部分（420）中更高。
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公开(公告)号：CN111512417B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN201880081456.1
申请日：2018-12-04
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/302
Abstract: 光刻构图方法包括：在半导体衬底上形成多层构图材料膜叠层，该构图材料膜叠层包括在一个或多个附加层上形成的抗蚀剂层；以及在抗蚀剂层上形成含金属的顶涂层。该方法进一步包括使多层构图材料膜叠层暴露于通过含金属的顶涂层的构图辐射以在抗蚀剂层中形成期望的图案，去除含金属的顶涂层，对在抗蚀剂层中形成的图案显影，根据显影的图案蚀刻至少一层底层，并去除抗蚀剂层的剩余部分。可以例如通过在抗蚀剂层上的原子层沉积或旋涂沉积，或通过从抗蚀剂层的自分离来形成含金属的顶涂层。
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