公开(公告)号：CN119943758A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202411500537.4

申请日：2024-10-25

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 广濑翼

IPC: H01L21/78 ,  B23K26/38 ,  B23K26/402 ,  B23K26/067 ,  B23K26/035

Abstract: 本发明提供晶片的加工方法，能够减轻将晶片分割成各个器件芯片时的负荷，并且不会在器件芯片的外周产生崩边。晶片的加工方法包含如下的工序：第一加工工序，将对于晶片具有透过性的波长的第一激光光线的聚光点定位于与分割预定线对应的晶片的内部而照射，形成由细孔和围绕该细孔的改质层构成的盾构隧道；第二加工工序，将对于晶片具有透过性的波长且比该第一激光光线的输出强的第二激光光线的聚光点定位于与分割预定线对应的晶片的内部，并且按照比盾构隧道的间隔窄的间隔向晶片照射第二激光光线，沿着分割预定线在晶片的内部形成改质层而使分割预定线产生裂纹；以及分割工序，对晶片施加外力，将晶片分割成各个器件芯片。

公开(公告)号：CN119895572A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202380010049.2

申请日：2023-08-07

Applicant: 长江存储科技有限责任公司

Inventor： 莫平 ,  陈鹏 ,  谢炜 ,  方红 ,  刘磊 ,  夏志良

IPC: H01L23/544 ,  H01L21/78 ,  H01L21/283 ,  H01L21/66

Abstract: 本公开提供了一种半导体器件、芯片及其制备方法和存储系统，该半导体器件包括多条切割道、多个裸片和裸片测试结构，多个裸片由多条切割道交叉限定出来。该多条切割道包括至少一条第一切割道、多条第二切割道和第三切割道，所述第一切割道和第二切割道相互平行设置，所述第三切割道与第一切割道和第二切割道交叉设置。

公开(公告)号：CN119890142A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202311387785.8

申请日：2023-10-25

Applicant: 东莞新科技术研究开发有限公司

Inventor： 施木生

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/306 ,  H01L21/308

Abstract: 本发明公开的晶圆的湿法刻蚀分离方法包括：在晶圆的表面形成掩膜，所述晶圆上形成分离刻痕，所述掩膜保护所述晶圆并将所述分离刻痕暴露在外；在所述掩膜上形成光刻胶；以及将所述晶圆置于刻蚀液中浸泡以沿所述分离刻痕分离所述晶圆，所述刻蚀液为氢氟酸溶液或氢氧化钠溶液。该方法成本低、操作简单、且避免机械切割或热切割引起的应力、切割效果差的问题，从而减少半导体晶圆发生崩裂的可能，提高产品的良品率。

公开(公告)号：CN119864324A

公开(公告)日：2025-04-22

申请号：CN202510352097.0

申请日：2025-03-25

Applicant: 合肥沛顿存储科技有限公司

Inventor： 吴政达 ,  高漩 ,  廖玠诚 ,  刘春晓 ,  黎源 ,  林泽源 ,  苏柏元 ,  赵强 ,  李笑杰 ,  管兵兵

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/56 ,  H01L21/683 ,  H01L23/29 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明提供一种倒装芯片封装结构中芯片取出再利用的工艺方法，包括：（1）在载体上涂覆剥离层，将若干个倒装芯片封装结构以焊球朝上的方向贴装于剥离层上；（2）对剥离层上所有的倒装芯片封装结构进行塑封；（3）由上至下对再封装结构进行研磨或切削；（4）将再封装结构从载体上剥离，并将其切割成单个封装单元，每个封装单元中均包裹有单颗的芯片。本发明通过重新塑封、研磨或切削、剥离及切割工艺，确保了芯片的完整性和焊点的暴露，并利用残留的塑封材料对芯片进行保护，减少了材料的浪费，提高了良率；避免了酸洗产生的有害废液和激光产生的有害气体，更加绿色环保和安全；且工艺简单，适合大规模生产。

公开(公告)号：CN119852186A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202510069099.9

申请日：2025-01-16

Applicant: 同欣电子工业股份有限公司

Inventor： 徐瑞鸿 ,  李建成 ,  吴承昌

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L21/78 ,  H01L23/31 ,  H01L23/15 ,  H01L23/16 ,  H10F39/12 ,  H10F71/00 ,  H10F77/50

Abstract: 本发明公开一种传感器封装结构及其制造方法。所述传感器封装结构包含一陶瓷基板、安装且电性耦接于所述陶瓷基板的一感测芯片、形成于所述感测芯片的一环形支撑层、设置于所述环形支撑层的一透光片、及形成于所述陶瓷基板的一封装体。其中，所述陶瓷基板、所述感测芯片、所述环形支撑层、及所述透光片埋置于所述封装体之内。所述陶瓷基板的底面及所述透光片的至少部分外表面裸露于所述封装体之外，并且所述封装体的底缘切齐于所述陶瓷基板的所述底面。由此，所述传感器封装结构能通过采用所述封装体包埋其余构件的架构，以令所述封装体取得较佳的保护效果。

公开(公告)号：CN119839749A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202411791932.2

申请日：2024-12-06

Applicant: 合肥艾凯瑞斯智能装备有限公司

Inventor： 龚胜 ,  谭中林 ,  杨梓 ,  徐志强

IPC: B24B27/06 ,  B24B27/02 ,  B24B41/00 ,  B24B49/00 ,  B24B55/00 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明涉及晶圆划片加工技术领域，公开了一种晶圆划片机，包括床身以及布置在床身旋转工作台，其特征在于：所述旋转工作台通过X轴滑台组件实现在所述床身上沿着X轴方向移动至预定位置，所述X轴滑台组件包括X轴滑台、用以驱动X轴滑台移动的驱动组件以及与X轴滑台滑动连接的X轴基台；所述床身上布置有Y轴滑台组件，所述Y轴滑台组件上传动连接有Z轴滑台组件，所述Z轴滑台组件上安装有主轴切割组件。本发明，结构设计紧凑，通过气浮导轨与多导轨滑动设计，有效保障运动轴系长期精度的稳定性以及快速响应性；同时Z轴方向通过Z轴螺母座配合传动块组，控制主轴切割组件上下偏摆运动，重复定位精度好且运维成本低。

公开(公告)号：CN119833476A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202510119007.3

申请日：2025-01-23

Applicant: 上海积塔半导体有限公司

Inventor： 何勇 ,  刘贵明 ,  解海江

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3205 ,  B23K26/364

Abstract: 本发明涉及一种半导体芯片及其形成方法。所述半导体芯片的形成方法包括如下步骤：提供一晶圆，所述晶圆包括相对分布的正面和背面，于所述晶圆的所述背面形成背面金属层，所述晶圆的所述正面具有间隔排布的多个正面器件结构以及位于两相邻所述正面器件结构之间的切割道；采用切割刀沿所述切割道切割所述晶圆，形成延伸至所述晶圆内部的第一切割槽；采用激光沿所述第一切割槽切割所述背面金属层，形成与所述第一切割槽连通且沿第一方向贯穿所述背面金属层的第二切割槽。本发明避免了切割后形成的半导体芯片的边缘产生崩边、隐裂等问题，而且避免了单独采用激光切割导致的半导体芯片侧面发黑和热效应等问题。

公开(公告)号：CN119812116A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202411928797.1

申请日：2024-12-25

Applicant: 苏州清越光电科技股份有限公司

Inventor： 刘宏俊 ,  高裕弟 ,  安乐平 ,  郝力强 ,  李勇 ,  蔡全华 ,  唐鹏宇 ,  马晓静

IPC: H01L21/78 ,  B28D5/00

Abstract: 本发明属于半导体加工技术领域，公开一种封装片的切割方法，用于在第一规格封装片切割出第二规格封装片，封装片的切割方法包括，在第一规格封装片上设置与晶圆匹配的放置凹槽，设置四条边均与放置凹槽相切的矩形导槽，矩形导槽的深度大于放置凹槽深度且小于第一规格封装片厚度，沿矩形导槽对第一规格封装片进行切割，形成第二规格封装片。通过设置矩形导槽可实现切割成的第二规格封装片形状规整，晶圆封装后形成的芯片小型化，矩形导槽的设置相当于对第一规格封装片进行初步切割，使用切割刀沿矩形导槽切割第二规格封装片时，可调小切割刀的切割力度，放置凹槽切点处所受到的切割应力变小，降低第一规格封装片被切割时破片的风险。

公开(公告)号：CN119786439A

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202411995704.7

申请日：2024-12-31

Applicant: 无锡矽晶半导体科技有限公司

Inventor： 刘磊 ,  王小波 ,  郑强

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/68 ,  H01L21/687

Abstract: 本发明属于芯片加工技术领域，尤其是一种用于芯片划片解离的加工设备，现提出以下方案，包括操作台，所述操作台的顶部设置有固定机构，所述操作台顶部的一侧设置有平移机构，且平移机构的顶部设置有支撑座，所述支撑座的顶部固定有升降机构，且升降机构的一侧靠近顶部的位置固定有移动机构，所述移动机构的底部固定有切割机构，且切割机构位于固定机构的上方，所述切割机构的一侧设置有按压机构，且按压机构与切割机构之间形成配合。本发明便于对芯片的切割进行固定处理，防止在切割的过程中切割机构会向一侧移动时正在切割的芯片会在切割机构的作用下向一侧偏转，从而会导致芯片的划片解离发生偏差，进而对芯片的加工造成影响。

公开(公告)号：CN119786343A

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202510258179.9

申请日：2025-03-06

Applicant: 浙江广芯微电子有限公司

Inventor： 谢刚 ,  刘斌凯 ,  林宇航

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/67 ,  H01L21/78 ,  B28D5/00 ,  B28D7/00 ,  B28D7/02 ,  G06T7/00 ,  G06T7/13 ,  G06T5/70 ,  G06T5/40

Abstract: 本发明公开了一种MOSFET共线封装控制方法及系统，涉及半导体制造技术领域，该方法包括：获取待切割晶圆的芯片分布框线图，并根据该图进行切割最短路径寻优，生成晶圆切割推荐路径；获得切割速度和深度的时序信息。通过切割温度预测模型，结合切割路径、速度和深度信息，生成切割温度时序信息；根据温度时序信息优化冷却控制，获得推荐的冷却液流量和压力时序信息；基于切割和冷却参数进行晶圆切割，并获得多个分离芯片用于MOSFET共线集成封装。解决了现有技术中晶圆切割过程中的温度控制不精确、冷却效率低的技术问题，达到了提高晶圆切割过程中温度控制的精确性和冷却效率的技术效果。