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公开(公告)号：CN119920785A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202411473549.2
申请日：2024-10-22
Applicant: 德州仪器公司
Inventor： J·A·M·普洛曼特斯 , J·S·索拉斯
IPC: H01L23/488 , H01L23/31 , H01L21/60 , H01L21/56
Abstract: 本申请涉及夹片封装中的电介质填充的键合焊盘。一种封装(104)包括：半导体管芯(110)，其包含装置侧(111)，所述装置侧中形成有电路系统；以及第一金属构件(118)，其处于所述管芯的所述装置侧上并且具有背对所述管芯的顶表面(123)。所述第一金属构件包含一组介电构件(120)，所述一组介电构件中的每个介电构件至少部分地延伸穿过所述第一金属构件的厚度。所述封装还包括焊接材料(122)，所述焊接材料接触所述第一金属构件的所述顶表面和所述一组介电构件中的所述介电构件的顶表面(125)。所述封装还包含第二金属构件(124)，所述第二金属构件耦合到所述焊接材料以及所述封装的导电端子(109)，所述导电端子暴露于所述封装的外部。
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公开(公告)号：CN119920772A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510374475.5
申请日：2025-03-27
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 本发明提供了一种功率半导体封装结构及具有其的功率半导体器件，其中，功率半导体封装结构包括：半导体芯片；第一极电连接结构，设置在半导体芯片的第一侧；第二极电连接结构，设置在半导体芯片的第二侧，第二极电连接结构包括缓冲结构、极座以及液态金属介质，缓冲结构设置在半导体芯片与极座之间，缓冲结构与极座之间形成容纳空间，液态金属介质设置在容纳空间内，缓冲结构与极座之间密封连接以防止液态金属介质脱离容纳空间。本申请的技术方案能够有效地解决相关技术中的功率半导体器件的压接封装难度大、成本高的问题。
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公开(公告)号：CN119920754A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202311425467.6
申请日：2023-10-30
Applicant: JCET 星科金朋韩国有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/56 , H01L23/538 , H01L23/31
Abstract: 本申请提供了一种用于形成电子封装组件的方法，包括：提供基底封装基板，其包括具有第一组导电图案的第一封装基板、具有第二组导电图案的第二封装基板以及第一封装基板与第二封装基板之间的互连部分；将柔性电缆连接件附接到基底封装基板的前表面上，并且柔性电缆连接件跨越互连部分以将第一组导电图案与第二组导电图案电连接；将具有第一空腔和第二空腔的模具附接在基底封装基板的前表面上以使第一空腔与第一封装基板对准且使第二空腔与第二封装基板对准；将模制材料注入到第一空腔和第二空腔中，在第一空腔内形成第一模盖且在第二空腔内形成第二模盖，其中，第一模盖通过基底封装基板的互连部分与第二模盖隔离；从基底封装基板上移除互连部分。
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公开(公告)号：CN113539844B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202110635733.2
申请日：2021-06-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开提供一种半导体装置及其制造方法。可使用异相装置以及不对称的双面成型封装技术，在多层重分布结构上制造半导体装置。半导体装置可形成为具有小的轮廓的异相三维扇出晶粒封装结构，且可使用单个承载基板来形成半导体装置。
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公开(公告)号：CN113161340B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202110460162.3
申请日：2021-04-27
Applicant: 广东汇芯半导体有限公司
IPC: H01L25/16 , H01L23/488 , H01L23/49 , H01L23/31 , H01L23/367 , H01L21/50 , H01L21/56
Abstract: 本发明涉及一种半导体电路和半导体电路的制造方法，包括散热基板、电路布线层、多个电子元件、多个引脚和密封层，其中引脚位于所述密封层内的部分至少在其相对的两侧面设置有凹槽。使得密封层的热塑性树脂能嵌入到这些凹槽中，在热塑性树脂固化后，密封层会形成与凹槽配合的凸台，通过凸台和凹槽的紧密结合，使得引脚与密封层之间结合紧密，避免了现有技术中引脚采用平滑的表面，在使用过程中由于引脚受到外部的拉扯力，容易出现引脚的表面与密封层分离产生微小缝隙的现象，从而使得周围环境中的湿气从这些缝隙入侵到半导体电路内部，导致其内部的电子元件漏电最终失效。因此有效的提升了半导体电路工作过程中的稳定性和可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119905460A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202311447697.2
申请日：2023-11-02
Applicant: 矽品精密工业股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/31 , H01L21/56 , H01L21/50 , H01L23/29
Abstract: 一种电子封装件及其制法，包括于承载结构上设置电子元件，再以散热覆盖层包覆该电子元件，且该散热覆盖层接触形成于该承载结构的侧面上的金属层，将使该电子元件的周围快速散热，以有效避免该电子元件于运作时因过热而失效的问题。
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公开(公告)号：CN119905408A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202510134825.0
申请日：2025-02-06
Applicant: 徐州致能半导体有限公司 , 广东致能半导体有限公司
Abstract: 本发明涉及一种氮化镓级联器件的封装方法及其封装结构，所述方法包括：对原始氮化镓芯片和原始低压增强芯片中的至少一个进行电极位置转移；提供封装框架；在基岛上贴装氮化镓芯片和低压增强芯片；进行电气互联，包括电连接氮化镓芯片的漏极和封装框架的器件漏极区；电连接低压增强芯片的栅极和封装框架的器件栅极区；电连接氮化镓芯片的源极和低压增强芯片的漏极；以及塑封并切割连接筋以得到单颗的氮化镓级联器件。本发明降低了生产成本，简化了氮化镓级联器件的封装工艺流程，提升了器件的性能和可靠性。
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公开(公告)号：CN119905406A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202510104359.1
申请日：2025-01-22
Applicant: 苏州通富超威半导体有限公司
IPC: H01L21/50 , H01L21/56 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/31 , H01L23/29 , H01L23/498
Abstract: 本公开实施例提供一种倒装芯片封装方法及封装结构，该方法包括：提供基板、芯片和金属层网，金属层网的尺寸与芯片的尺寸相同；将芯片倒装设置于基板；按照预设图案在芯片背面进行有机散热材料的点胶；将金属层网放置于有机散热材料并使金属层网与芯片对齐设置；将散热片贴装于金属层网，在贴装过程中有机散热材料受力后均匀覆盖芯片背面；将有机散热材料进行固化；金属层网能够在有机散热材料固化过程中阻挡有机散热材料的界面退化。该方法中芯片的尺寸与金属层网的尺寸相同，可以提升热传导效率和热应力分布均匀；金属层网能在有机散热材料固化过程中阻挡有机散热材料的界面退化，保证芯片背面有机材料的覆盖率，降低空洞率，提高芯片散热性能。
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公开(公告)号：CN113270322B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202110346933.6
申请日：2021-03-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L23/31 , H01L23/498
Abstract: 本公开提供一种芯片封装结构及用于形成芯片封装结构的方法。用于形成芯片封装结构的方法包括提供线路基板、在聚合物层以及导电垫上方形成导电粘合层、在导电粘合层上方形成镍层以及将芯片通过导电凸块接合到线路基板。线路基板包括基板、导电垫以及聚合物层，聚合物层位于基板以及导电垫上方，且聚合物层具有露出导电垫的一第一开口。导电粘合层直接接触并共形地覆盖聚合物层以及导电垫。镍层比导电粘合层厚，且镍层以及导电粘合层由不同的材料所形成。导电凸块位于镍层以及芯片之间。
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公开(公告)号：CN112510019B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN201910911029.8
申请日：2019-09-25
Applicant: 矽品精密工业股份有限公司
Abstract: 一种电子封装件及其制法，包括于一具有第一天线部的承载结构上设置至少一具有第二天线部的基板结构，再将一具有第一天线体与第二天线体的天线结构经由多个支撑件堆叠于该承载结构上以遮盖该第一天线部与该第二天线部，使该第一天线体对应该第一天线部，该第二天线体对应该第二天线部，从而经由该基板结构设于该承载结构上，以产生其它频率的5G毫米波，使该天线结构可依需求产生不同的天线信号。
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