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公开(公告)号：CN119230571A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202410817518.8
申请日：2024-06-24
Applicant: 奥林巴斯医疗株式会社
Inventor： 泷江秀一
IPC: H01L27/146 , H01L27/148 , A61B1/04 , A61B1/005
Abstract: 本发明提供摄像单元和内窥镜。摄像单元具有：半导体封装；平面布线板，其配设有多个第一焊盘和多个第二焊盘；以及立体布线板，其第二面具有隔着切口而对称的形状的第一区域和第二区域，在所述第一区域配设有多个第一连接盘，在所述第二区域配设有多个第二连接盘，所述多个第一连接盘与所述多个第一焊盘焊接接合，所述多个第二连接盘与所述多个第二焊盘焊接接合，所述多个第一焊盘的面积的总和即第一面积与所述多个第二焊盘的面积的总和即第二面积大致相同。
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公开(公告)号：CN118866930A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411331936.2
申请日：2024-09-24
Applicant: 北京空间机电研究所
Inventor： 韩立镪 , 王小勇 , 潘卫军 , 张旭 , 程甘霖 , 戴立群 , 王耕耘 , 卜洪波 , 吴淞波 , 姚瑶 , 樊奔 , 孙启扬 , 谢莉莉 , 谢圣文 , 柴瑞青 , 张芮萌 , 牟帅臣 , 陈瑞明
IPC: H01L27/148
Abstract: 本发明涉及一种大满阱TDI‑CMOS像元结构，属于CMOS图像传感器领域；包括6个CCD电极、4个列间隔离和3个CCD沟道；其中，4个列间隔离和3个CCD沟道均为长方体结构；4个列间隔离和3个CCD沟道交错相邻设置，形成长方体底座；6个CCD电极等间距均匀设置在长方体底座的上表面，且CCD电极的轴向与列间隔离和CCD沟道的轴向垂直；本发明适用于CCD‑CMOS融合型TDI图像传感器，尤其可在不影响电压摆幅、电荷传输效率、抗弥散能力的前提下，增加满阱容量性能。
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公开(公告)号：CN118538743A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202311617272.1
申请日：2023-11-29
Applicant: 爱思开海力士有限公司
Inventor： 张在亨
IPC: H01L27/146 , H01L27/148
Abstract: 公开了一种图像感测装置，该图像感测装置包括多个像素阵列，并且像素阵列包括：第一像素阵列，其包括多个第一单位像素；以及第二像素阵列，其围绕第一像素阵列设置并且包括多个第二单位像素，第一单位像素包括多个光电二极管，并且第一单位像素的每个光电二极管可以连接到不同的传输晶体管。
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公开(公告)号：CN113542637B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202110685333.2
申请日：2017-06-09
Applicant: 索尼公司
IPC: H04N25/617 , H04N25/74 , H04N25/75 , H04N25/77 , H01L27/146 , H01L27/148
Abstract: 通过减小基于负电压电源的电压波动的图像信号的波动来防止图像质量的下降。由第一控制信号控制图像信号输出单元，第一控制信号指示用于引起导通状态的导通电压和具有与导通电压的极性不同的截止电压的电压状态，并输出与导电状态下的电荷保持单元所保持的电荷对应的模拟图像信号。由第二控制信号控制复位单元，第二控制信号指示导通电压和截止电压的电压状态，复位单元在导通状态下将电荷保持单元复位，将截止电压的波动传输至电荷保持单元，并使模拟图像信号波动。参考信号发生单元生成参考信号，该参考信号是用作当从图像信号输出单元输出的模拟图像信号转换为数字图像信号时使用的参考的信号。参考信号校正单元根据截止电压的波动来校正所生成的参考信号。模数转换单元基于校正的参考信号执行转换。
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公开(公告)号：CN111430396B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202010167335.8
申请日：2020-03-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/148 , B82Y10/00
Abstract: 本申请涉及一种基于超导纳米线的单光子偏振探测器件及其实现装置，包括：衬底；像元层，像元层置于衬底上；其中，像元层包括一个或多个超像元单元；每个超像元单元包括至少四个像元单元，像元单元由一条蜿蜒曲折的超导纳米线构成；且每个像元单元的超导纳米线结构的平行方向的角度各不同；利用四个超像元对偏振光的偏振角的光响应计数可以实现对线性偏振光的偏振态求解。与现有的半导体偏振探测器相比，本申请中的超导纳米线结构具有线偏振器和光子探测器的双重功能，不仅集合了超导纳米线结构单光子探测器自身的优点，还具有器件规模可拓展、结构简单等特点，有望应用于微弱光环境下的偏振探测及成像、量子通信、天文观测等。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117832246A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410044315.X
申请日：2024-01-11
Applicant: 锐芯微电子股份有限公司
IPC: H01L27/148 , H01L27/146 , H04N25/768
Abstract: 一种eCCD像素单元及其控制方法、TDI‑CMOS图像传感器。所述eCCD像素单元包括：衬底；位于所述衬底上方的栅氧化层；以及位于所述栅氧化层上方的多个分立的多晶硅电极；其中，各所述多晶硅电极在所述衬底中具有一一对应的沟道区域；所述多晶硅电极用于接收相应驱动电压信号，以使得电荷在沟道区域间沿预设电荷传输方向上传输；所述多晶硅电极的数量为8个或者16个。采用上述方案，可以提升TDI‑CMOS图像传感器的MTF效果及CTE性能。
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公开(公告)号：CN108735770B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN201810310753.0
申请日：2018-04-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/148 , H10B80/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体封装件，其包括：衬底上的第一半导体芯片；第二半导体芯片，其位于衬底上并且与第一半导体装置间隔开；模制层，其位于衬底上并且覆盖第一半导体芯片的侧部和第二半导体芯片的侧部；以及图像传感器单元，其位于第一半导体芯片、第二半导体芯片和模制层上。图像传感器单元电连接至第一半导体芯片。
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公开(公告)号：CN117497550A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311555093.X
申请日：2023-11-21
Applicant: 中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心
IPC: H01L27/146 , H01L27/148
Abstract: 本发明公开了一种EMCCD纵向抗光晕结构工艺实现方法，信号电荷在三面被PStop区域隔离的沟阻结构PD像元内可以有效积分，像元制作在P阱的内部；像元纵向抗晕结构考虑PD、鞍形p阱、N型衬底之间形成的有效电荷信号释放通路；同时考虑鞍形p阱对寄存器单元及放大器单元的影响，在VAB区域外形成浓度分布均匀的P型区，采用高能离子注入及长时间高温推阱的方式制作鞍形p阱；根据设计要求，通工艺仿真，同时结合工艺实验，来确定P阱的注入能量和剂量。本发明信号有利于抗晕结构的制作，同时也提高信号电荷转移速度。本发明同时满足纵向抗晕效果，器件制造过程将采用三次离子注入及高温推阱的方式来制造鞍形p阱。
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公开(公告)号：CN107146850B
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN201710116479.9
申请日：2017-03-01
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H01L27/148 , H10K39/32 , H10K30/60 , H10K30/80
Abstract: 本发明提供了一种成像元件。所述成像元件可包括：基板，所述基板具有第一光电转换单元；以及第二光电转换单元，所述第二光电转换单元位于所述基板的光入射侧。所述第二光电转换单元可以包括：光电转换层；第一电极；位于所述光电转换层上方的第二电极；第三电极；以及位于所述第三电极与所述光电转换层之间的绝缘材料，其中，所述绝缘材料的一部分位于所述第一电极与所述第三电极之间。
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公开(公告)号：CN111710687B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202010528184.4
申请日：2015-08-07
Applicant: 宽腾矽公司
Inventor： 乔纳森·M·罗思伯格 , 基思·G·法夫 , 大卫·布瓦韦尔
IPC: H01L27/146 , H01L27/148 , C12Q1/6869 , G01N21/64 , G01S7/486
Abstract: 一种集成电路包括光检测区域，其被配置成接收入射光子。所述光检测区域被配置成响应于所述入射光子产生多个电荷载流子。集成电路还包括至少一个电荷载流子存储区域。所述集成电路还包括电荷载流子分离结构，其被配置成基于产生电荷载流子的时间将所述多个电荷载流子中的所述电荷载流子选择性地指引到所述至少一个电荷载流子存储区域中。
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