一种荧光薄膜、发光器件,及薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN119193141A

    公开(公告)日:2024-12-27

    申请号:CN202411352593.8

    申请日:2024-09-26

    Abstract: 本发明涉及光致发光技术及LED器件领域,具体提供了一种荧光薄膜、发光器件,及薄膜的制备方法。荧光薄膜中包含碳点和聚乙烯吡咯烷酮,碳点和聚乙烯吡咯烷酮均匀分布,荧光薄膜在激发光照射下产生光致发光现象。方法包括如下步骤:步骤一,制备碳点溶液;步骤二,制备聚乙烯吡咯烷酮溶液;步骤三,将碳点溶液和聚乙烯吡咯烷酮溶液混合,得到混合液;步骤四,将混合液滴涂于载体表面,在室温下自然凝固,即在载体表面形成荧光薄膜。器件包括LED芯片,以及设置于LED芯片发光面上的荧光薄膜;荧光薄膜为碳点和聚乙烯吡咯烷酮的混合物。本发明方案中,PVP中的羰基和氮原子与碳点表面相互作用,避免了碳点的团聚,从而提高发光效率。

    一种植物LED灯珠及植物灯具
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119069608A

    公开(公告)日:2024-12-03

    申请号:CN202411084716.4

    申请日:2024-08-08

    Inventor: 叶仕安 周文 胡星

    Abstract: 本发明公开了一种植物LED灯珠及植物灯具,灯珠包括:支架、红光芯片、至少一个蓝光芯片与荧光粉层。红光芯片与蓝光芯片设置在支架上;荧光粉层设置支架上,红光芯片与蓝光芯片被包覆于荧光粉层中。当蓝光芯片发出蓝光后,荧光粉层被蓝光芯片发出的蓝光激发生成黄光和红光,蓝光、黄光与红光混合生成白光;白光与红光芯片发出的高波红光混合生成需要的光谱。本发明通过红光芯片、蓝光芯片与荧光粉层整合在一个灯珠内即可实现照射出白光与高波红光,并通过对红光芯片与蓝光芯片的数量比例进行调整,可以调节得到需要的光谱,以实现不同的红蓝光峰比例要求,且植物灯具的红蓝光分布均匀,从而可以降低植物灯具的眩光值,提高灯具的照射范围。

    一种低杂散光的MicroLED矩阵光源及其制造方法

    公开(公告)号:CN119050105A

    公开(公告)日:2024-11-29

    申请号:CN202411118408.9

    申请日:2024-08-15

    Abstract: 本发明公开一种低杂散光的MicroLED矩阵光源及其制造方法,该矩阵光源包括:驱动背板;光源芯片,其键合于驱动背板上,芯片包括发光外延层和对发光外延层电流扩展层加工和钝化层加工后形成的接触电极层、第一绝缘层、扩展电极层与绝缘隔离层;及若干硅基隔离墙,其设置为上宽下窄的结构,其键合于光源芯片上背离驱动背板的一侧,相邻的硅基隔离墙之间形成上窄下宽的出光口,矩阵光源的每个像素单元上方都对应有出光口。制造:利用硅衬底进行MicroLED芯片制作,将芯片与驱动背板键合,接着将硅衬底剥离后,再将芯片与刻蚀出喇叭口结构的硅基板开口面直接键合,将硅基板减薄至露出出光口形成隔离墙,最后对芯片薄膜封装和模组封装。

    显示面板及其制备方法、显示装置

    公开(公告)号:CN119031795A

    公开(公告)日:2024-11-26

    申请号:CN202411141605.2

    申请日:2024-08-19

    Abstract: 本发明实施例公开了一种显示面板及其制备方法、显示装置,通过进行至少两次发光器件的器件形成流程,形成隔离结构和发光器件,每次器件形成流程对显示区中部分位置处的隔离层进行图形化形成隔离开口,并至少在隔离开口中形成发光层和第二电极。在至少一次器件形成流程后,对包括至少部分信号线所在区域的设定区域的隔离层进行图形化,使得信号线所经历的器件形成流程次数较少,进而使得信号线侧面的侧刻量会较小。如此,可以使得信号线上的封装层可以与信号线的侧面接触面积更大,信号线的侧面与封装层之间不容易形成间隙,不易形成水氧入侵路径,进而提高封装效果,延长显示面板的使用寿命。

    显示装置
    9.
    发明公开
    显示装置 审中-公开

    公开(公告)号:CN119012846A

    公开(公告)日:2024-11-22

    申请号:CN202410602029.0

    申请日:2024-05-15

    Inventor: 崔喆铉

    Abstract: 一种显示装置包括:发光元件;第一无机封装膜,设置在发光元件上;有机封装膜,设置在第一无机封装膜上;以及第二无机封装膜,设置在有机封装膜上。第一无机封装膜包括:第一无机绝缘层,在发光元件上;第二无机绝缘层,在第一无机绝缘层上;第三无机绝缘层,在第二无机绝缘层上;第四无机绝缘层,在第三无机绝缘层上;以及第五无机绝缘层,在第四无机绝缘层上。第一无机绝缘层、第三无机绝缘层和第二无机封装膜中的每个包括氮化硅(SiNx),并且第三无机绝缘层的厚度大于第二无机封装膜的厚度。

    半导体发光装置和半导体发光装置的制造方法

    公开(公告)号:CN119008812A

    公开(公告)日:2024-11-22

    申请号:CN202410600504.0

    申请日:2024-05-15

    Inventor: 筱田明人

    Abstract: 本发明提供一种半导体发光装置,其具备基板、配置在基板上的端面发光元件、收容端面发光元件的罩、接合图案、第一接合剂、连通部和第二接合剂。接合图案设置在基板上,形成为在俯视时包围端面发光元件。第一接合剂将罩与接合图案的图案正面接合。连通部至少在俯视时向侧方贯通接合图案,使罩的内部与罩的外部连通。第二接合剂埋入连通部。

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