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公开(公告)号：CN119947356A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510436705.6
申请日：2025-04-09
Applicant: 江西兆驰半导体有限公司
IPC: H10H20/01 , H10H20/841 , H10H20/857
Abstract: 本发明公开了一种耐高温LED芯片及其制备方法、显示屏，涉及LED制造领域。制备方法包括：刻蚀外延片形成导电台阶；形成第一光刻胶层、第二光刻胶层；形成光刻胶开口；蒸镀反射层、焊线层；去除第一光刻胶层、第二光刻胶层；形成钝化层并开孔。光刻胶开口包括第一开口和第二开口，第一开口的横截面的侧壁包括第一直线段；第二开口的横截面的侧壁包括第二直线段；第一直线段、第二直线段与外延片的表面的夹角为α1、α2，α2‑α1≥65°；反射层的侧壁、焊线层的侧壁与外延片的表面的夹角为β1、β2；β2‑β1≥60°。焊线层的侧壁与反射层的侧壁之间的距离≥2μm；实施本发明，可提升LED芯片的耐高温性能，提升其可靠性。
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公开(公告)号：CN119947353A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510110701.9
申请日：2025-01-23
Applicant: 惠州东君光源科技有限公司
IPC: H10H20/01 , H10H20/852 , H01L21/687 , H01L21/677
Abstract: 本发明涉及半导体封装设备技术领域，尤其涉及一种LED固晶装置及其固晶方法。本发明提供了这样一种LED固晶装置，包括有底座、芯片拾取系统、点胶系统、移动滑轨、移动台、放置台、输送带、下料台、存储框、电动滑轨、夹持组件和推料组件，底座顶部前侧设有芯片拾取系统，中间则安装有点胶系统，底座上位于点胶系统下方的位置横向设置有移动滑轨，移动滑轨上滑动式连接有两个移动台，移动台上均滑动式连接有放置台。通过设置两个放置台，可以在左右工位之间轮换，实现不间断的LED产品封装加工，每次一个放置台进行封装时，另一个放置台正在进行上料或下料操作，避免了传统单工位设备中的等待时间，大幅提升了生产效率。
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公开(公告)号：CN117925115B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202410111296.8
申请日：2024-01-25
Applicant: 中国地质大学(武汉) , 中国地质大学深圳研究院
IPC: C09J1/00 , C09J11/04 , H10H20/854 , H10H20/01
Abstract: 本申请提供了一种自修复的铝硅酸盐无机胶及深紫外LED全无机封装方法，属于电子封装技术领域，该自修复的铝硅酸盐无机胶包括以下成分：钻石微粉0～8wt％；硅酸钠溶液41～45wt％；粉煤灰51～56wt％。本申请的一种自修复的铝硅酸盐无机胶可以实现无机胶固化体的缺陷问题的自修复，增强无机胶固化体在常温或略高于常温下的自愈性能，在常温或略高于常温下具有更少的缺陷，有效地提高了铝硅酸盐无机胶与基体材料的剪切强度和深紫外LED的封装气密性，铝硅酸盐无机胶的自修复行为可以显着提高深紫外LED的使用寿命和可靠性。
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公开(公告)号：CN115050862B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202210765246.2
申请日：2022-06-30
Applicant: 东莞市中麒光电技术有限公司
IPC: H10H20/01 , H10H20/851
Abstract: 本发明公开了一种发光芯片制作方法，包括提供制备有晶粒的生长衬底，将所述生长衬底的厚度从所述生长衬底远离晶粒的第一面减薄至第一目标厚度；将厚度减薄至第一目标厚度的所述生长衬底的第一面与量子点色转换层键合，以使所述量子点色转换层与所述晶粒被减薄后的所述生长衬底间隔，所述晶粒发出的光可穿过减薄后的生长衬底进入所述量子点色转换层。同时，本发明还提供一种采用该制作方法制成的发光芯片。与现有技术相比，本发明工序简单，成品率高且可保证量子点的色转换效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119923033A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202411897170.4
申请日：2024-12-23
Applicant: 南昌大学 , 南昌实验室 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种带静电保护功能的LED芯片及其制备方法，包括以下步骤：在衬底上生长外延层，所述外延层从下至上包括依次层叠的N型半导体层、活性层和P型半导体层；在外延层上刻蚀出通孔，暴露出N型半导体层；制备介质层、反射层、晶圆键合阻挡层和晶圆键合粘结层，将晶圆键合粘结层与基板上的晶圆键合粘结层共晶键合；去除衬底；肖特基电极保护光刻；制备去边层，并光刻外延层形成沟道；制备钝化层，制备肖特基电极；图形化钝化层和去边层，制备N面电极。本发明通过在LED芯片的焊盘下方设置肖特基二极管，在不牺牲光功率的前提下，提高LED的抗静电放电能力。
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公开(公告)号：CN119908185A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202380067273.5
申请日：2023-09-19
Applicant: 艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司
IPC: H10H20/852 , H10H20/854 , H10H20/853 , H10H20/01 , H01S5/028
Abstract: 在至少一个实施方式中，光电器件(100)包括具有安装区域(10)的载体(1)、安装在载体的安装区域处的光电半导体芯片(2)以及布置在安装区域上侧向地靠近半导体芯片的填充材料(3)，其中，半导体芯片的侧表面(20)被填充材料润湿。光电器件还包括在安装区域处侧向地靠近半导体芯片并与半导体芯片间隔开的至少一个吸引部件(4)。吸引部件至少被填充材料侧向地围绕。吸引部件不同于位于侧向地靠近吸引部件并且侧向地围绕吸引部件的安装区域的一部分。此外，吸引部件被配置成使得其由于表面能的最小化而吸引填充材料的液相。
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公开(公告)号：CN119907378A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202510405182.9
申请日：2025-04-02
Applicant: 江西兆驰半导体有限公司
Abstract: 本发明涉及LED的技术领域，本发明公开了一种防顶针的倒装LED芯片及其制备方法，防顶针的倒装LED芯片包括依次层叠的衬底和外延层；外延层上设置有凹槽，凹槽内设置有N型电极，外延层上还设置有电流阻挡层和透明导电层，透明导电层上设置有P型电极、钝化层和焊盘，焊盘包括P型焊盘和N型焊盘；还包括与钝化层相接触的防顶针层，防顶针层设置于P型焊盘和N型焊盘之间，防顶针层由按照预设间隙排列的若干金属层组成。实施本发明，可以降低倒装LED芯片封装固晶时顶针顶破芯片结构而导致漏电的可能性，而且顶针防护中金属层的间隔设置，也有效避免了锡膏溢出导致P型电极和N型电极连通导致的漏电问题。
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公开(公告)号：CN119907377A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202510388465.7
申请日：2025-03-31
Applicant: 山西中科潞安紫外光电科技有限公司
IPC: H10H20/831 , H10H20/857 , H10H20/858 , H10H20/84 , H10H20/01 , H10H29/14
Abstract: 本发明属于深紫外LED芯片技术领域，具体涉及一种深紫外LED芯片及其制备方法，包括蓝宝石衬底、外延层、深刻蚀区域、n刻蚀区域、n第一电极、p第一电极、n第二电极、p第二电极、第一钝化层、连接/反射层、第二钝化层、p厚金层、n厚金层、导热厚金层，蓝宝石衬底表面生长有外延层，外延层的中心和两端刻蚀有深刻蚀区域，外延层上刻蚀有两个n刻蚀区域，两个n刻蚀区域表面分别生长有n第一电极和n第二电极，外延层表面分别生长有p第一电极和p第二电极。本发明连接/反射层结构的设置，同时实现大面积光束反射、p电极与n电极电流扩展以及相邻单元p电极与n电极的串联作用，提升了光提取效率及器件可靠性。
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公开(公告)号：CN119907369A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202411911548.1
申请日：2024-12-24
Applicant: 青岛翼晨镭硕科技有限公司
IPC: H10H20/01 , H10H20/812
Abstract: 一种量子点单光子源的制备方法，包括以下步骤：(1)在衬底材料背面沉积SiO2介质膜；(2)通过电子束曝光及干法刻蚀工艺的工艺基于SiO2介质膜制备出所需要的图形结构；(3)采用分子束外延生长工艺在此衬底正面进行量子点单光子源结构的外延生长；(4)通过电子束曝光和刻蚀工艺形成光源单元完成量子点单光子源制备。该方法全部采用标准半导体工艺，提高了量子点单光子源的成品率，降低了制备难度，解决了难以批量化生产的问题，便于工业生产。
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